采用第一性原理对3C-Si C块体和3C-Si C(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-Si C块体是带隙为1.44 e V的G-M间接带隙半导体,3C-Si C(111)表面是带隙为2.05 e V的M-G间接带隙半导体,3C-Si C(...采用第一性原理对3C-Si C块体和3C-Si C(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-Si C块体是带隙为1.44 e V的G-M间接带隙半导体,3C-Si C(111)表面是带隙为2.05 e V的M-G间接带隙半导体,3C-Si C(110)表面形成带隙值为0.87 e V的直接带隙半导体;3C-Si C(100)表面转变为导体。由光学性质分析得到,与3C-Si C块体比较,3C-Si C(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移。展开更多
文摘采用第一性原理对3C-Si C块体和3C-Si C(111)、(110)和(100)三个表面的电子结构和光学性质进行理论计算。计算结果表明:3C-Si C块体是带隙为1.44 e V的G-M间接带隙半导体,3C-Si C(111)表面是带隙为2.05 e V的M-G间接带隙半导体,3C-Si C(110)表面形成带隙值为0.87 e V的直接带隙半导体;3C-Si C(100)表面转变为导体。由光学性质分析得到,与3C-Si C块体比较,3C-Si C(100)、(110)、(111)表面的介电函数,吸收谱,反射谱,能量损失函数等均出现红移。