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半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性
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作者 宋久旭 杨银堂 +1 位作者 刘红霞 张骥 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期317-320,345,共5页
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40~40 mV),碳纳米管伏安特... 采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40~40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。 展开更多
关键词 单壁碳纳米管 非平衡格林函数法 透射谱 输运特性
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电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法 被引量:1
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作者 李伟华 庄奕琪 +2 位作者 杜磊 包军林 马中发 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1059-1062,1091,共5页
基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件... 基于高阶统计量理论,采用双相干系数平方和对电子器件噪声进行了定量分析.通过分析非线性非高斯信号、线性非高斯信号、非线性高斯信号、线性高斯信号,给出噪声信号的线性与高斯性的定量判定标准.将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析,表明电子器件噪声中存在这4种类型的信号,并可以用该方法进行有效区分.研究结果为电子器件噪声非常规特性的分析提供了理论依据与定量判据. 展开更多
关键词 电子器件的噪声 时间序列分析 高阶统计量 高斯性 线性
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(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响 被引量:1
3
作者 乔丽萍 王聪华 +3 位作者 李淑萍 李丽 俞丽娟 何磊 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第1期9-12,共4页
由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分... 由Schrdinger方程出发,基于(101)单轴应力下Si材料导带E-k解析模型,重点研究沿任意晶向(101)单轴应力对Si材料电子电导率有效质量的影响。结果表明:(101)单轴应力沿0°和45°晶向均导致导带底附近的六度简并能谷分裂成两组分立的能谷;(101)单轴张应力下,沿45°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显减小,沿0°和90°晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大;(101)单轴压应力下,Si材料沿高对称晶向的电子电导率有效质量随应力增大而明显增大或几乎不变。 展开更多
关键词 应变张量 简并度 晶向 张应力
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AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
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作者 刘红侠 卢风铭 +2 位作者 王勇淮 宋大建 武毅 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期147-151,共5页
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、... 为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点. 展开更多
关键词 AlxGa1-xN/GaN异质结 二维电子气 多子带模型 能级分布
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掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究 被引量:9
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作者 宋久旭 杨银堂 +2 位作者 柴常春 刘红霞 丁瑞雪 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期87-91,共5页
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超... 采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小. 展开更多
关键词 掺氮 3C—SiC 电子结构 第一性原理计算
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应变Si1-xGex(100)电子散射几率 被引量:2
6
作者 赵丽霞 张鹤鸣 +1 位作者 宣荣喜 胡辉勇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期86-89,105,共5页
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2... 基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关. 展开更多
关键词 应变Si1-xGex 电子 散射
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应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型 被引量:1
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作者 胡辉勇 张鹤鸣 +6 位作者 戴显英 王顺祥 朱永刚 区健锋 俞智刚 马何平 王喜媛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2056-2058,共3页
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分... 应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 展开更多
关键词 应变硅 调制掺杂 电子面密度 阈值电压
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掺硼锯齿型单壁碳纳米管的电子结构 被引量:2
8
作者 宋久旭 杨银堂 +1 位作者 刘红霞 石立春 《电子器件》 CAS 2008年第5期1529-1532,共4页
为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能... 为了研究掺硼碳纳米管的电子结构,对可能存在掺杂方式进行了结构优化,得到掺硼碳纳米管最可能的存在结构。采用密度泛函理论下的第一性原理计算,对不同掺杂浓度的最可能存在掺杂结构进行了计算,结果表明随着掺杂浓度的增加碳纳米管的能带间隙呈现增大的趋势。 展开更多
关键词 掺硼 电子结构 单壁碳纳米管 第一性原理
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适用于高速信号传输的低失真及宽带模拟开关 被引量:1
9
作者 曹寒梅 蔡伟 +2 位作者 杨银堂 陆铁军 王宗民 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期838-841,共4页
提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路.所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定,并能够实现轨到轨(rai-to-rail)输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差(KGST)保持恒定,而且基本... 提出了一种应用于高速信号传输系统的低失真、宽带自举模拟开关电路.所提出开关的栅源过驱动电压由NMOS和PMOS开启电压之和决定,并能够实现轨到轨(rai-to-rail)输入范围内开关的栅源电压与阈值电压之差(KGST)保持恒定,而且基本消除了体效应的影响.采用TSMC0.18μmCMOS工艺,HSPICE仿真结果表明,输入信号在0~1.8V之间变化时,开关的KGST基本保持恒定,其-3dB带宽大于10GHz;当输入信号的频率为1.5GHz,满摆幅电压为0.8V时,输出信号几乎能够无衰减的跟随输入信号,其无杂散动态范围为65.4dB. 展开更多
关键词 低失真 高频 轨到轨 开关 自举
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一种3.1-10.6GHz超宽带低噪声放大器设计 被引量:2
10
作者 张滨 杨银堂 李跃进 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第1期49-52,61,共5页
设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1~10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使... 设计了一种基于TSMC 0.13μm CMOS工艺,用于3.1~10.6GHz带宽的CMOS低噪声放大器。输入级采用共栅极结构,在宽频带内能较好地完成输入匹配。放大级采用共源共栅结构,为整个电路提供合适的增益。输出则采用源极输出器来进行输出匹配。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1GHz~10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于2.5dB,增益为20.5dB,整个电路功耗为8mW。 展开更多
关键词 低噪声放大器 超宽带 增益 噪声系数 共源共栅
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路的参数提取(英文) 被引量:1
11
作者 常远程 张义门 +2 位作者 张玉明 王超 曹全君 《电子器件》 CAS 2007年第1期49-53,共5页
本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了A1GaN/CmNHEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法.采用这些方法,实际测量了5~10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参... 本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)小信号等效电路模型的基础上,考虑了A1GaN/CmNHEMT的结构特性,具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法.采用这些方法,实际测量了5~10GHz频率下HEMT器件的小信号S参数并提取了它的电学参数。S参数的计算值与实际测量值进行了比较.实验结果表明此方法简单易行。较为精确. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMTS 小信号 参数提取
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SiGe HBT超宽带低噪声放大器设计 被引量:1
12
作者 张滨 杨银堂 李跃进 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第4期76-80,共5页
采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1~10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益... 采用ADS软件设计并仿真了一种应用于UWB标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于JAZZ 0.35μmSiGe工艺,工作带宽为3.1~10.6GHz。电路的输入极采用共发射极结构,利用反馈电感来进行输入匹配,第二级采用达林顿结构对信号提供合适的增益。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在3.1~10.6GHz带宽内,放大器的电源电压在3.3V时,噪声系数低于2.5dB,增益大于24dB,功耗为28mV,输出三阶交调为17dBm。 展开更多
关键词 锗硅异质结晶体管 低噪声放大器 增益 噪声系数
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)
13
作者 常远程 张义门 +2 位作者 张玉明 曹全君 王超 《电子器件》 CAS 2007年第2期353-355,共3页
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏... 对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了Al GaN/GaN HEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系. 展开更多
关键词 器件模拟 大信号模型 ALGAN/GANHEMT I-V特性
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纤锌矿型GaN电子迁移率的计算
14
作者 杨燕 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期513-517,共5页
考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓... 考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制———电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessensrule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大. 展开更多
关键词 氮化镓 电子漂移迁移率 霍耳因子 霍耳迁移率 补偿率
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一种新型无源UHFRFID带隙基准电路 被引量:8
15
作者 杜永乾 庄奕琪 +2 位作者 李小明 景鑫 戴力 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期148-152,200,共6页
设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0... 设计了一种适用于无源超高频射频识别芯片的电流模带隙基准电路,其中负温度系数电流利用BJT管的基射极电压的负温度特性产生,正温度系数电流利用偏置在亚阈值区的MOS器件其漏源电流与栅源电压呈指数关系的特性产生.该基准电路采用TSMC 0.18μm工艺库仿真并投片验证,基准电压的绝对值偏差最大不超过1.75%.测试结果表明,该电路功耗仅为0.65μW,最低工作电压为0.829V,温度系数为±63×10-6/℃,芯片有效面积为0.04mm2.该基准电路已成功应用于一款无源超高频射频识别芯片中,其读取灵敏度为-16dBm. 展开更多
关键词 超高频射频识别 低压 低功耗 亚阈值 带隙基准
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铁电材料的核辐射效应 被引量:7
16
作者 唐重林 柴常春 +1 位作者 娄利飞 楼晓强 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期33-36,共4页
大量研究结果和实验数据显示,铁电材料与器件具有极强的抗辐射能力,在军事和空间领域具有广阔的应用前景,因此铁电材料及其器件的抗辐射能力与机理研究日益受到关注。首先综述了国内外关于铁电材料的核辐射效应研究最新进展,在此基础上... 大量研究结果和实验数据显示,铁电材料与器件具有极强的抗辐射能力,在军事和空间领域具有广阔的应用前景,因此铁电材料及其器件的抗辐射能力与机理研究日益受到关注。首先综述了国内外关于铁电材料的核辐射效应研究最新进展,在此基础上对其核辐射效应微观机理进行了分析和讨论,指出了铁电材料在抗辐射领域的发展趋势和研究方向。 展开更多
关键词 铁电材料 核辐射 位移效应 电离效应
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纳米MOS器件RTS噪声测量与分析 被引量:5
17
作者 张鹏 庄奕琪 +3 位作者 鲍立 马中发 包军林 李伟华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1041-1045,共5页
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报... 提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数.通过对90 nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10.在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍. 展开更多
关键词 随机电报信号噪声 噪声测量 虚拟仪器 纳米MOS器件
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基于负反馈箝位技术的高性能CMOS带隙基准源 被引量:6
18
作者 曹寒梅 杨银堂 +2 位作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2008年第6期1517-1520,共4页
该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准... 该文提出了一种结构简单的高性能带隙电压基准源。电路设计中采用负反馈箝位技术实现电压箝位,消除了运放自身失调效应的影响,简化了电路设计;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比(PSRR)。整个电路采用SMIC0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-15~70℃范围内的温度系数为10.8ppm/℃,直流PSRR为74.7dB,在10Hz^1MHz频带内的总的输出噪声电压为148.7μV/sqrt(Hz)。 展开更多
关键词 带隙电压基准源 负反馈箝位 温度稳定性
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一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源 被引量:6
19
作者 曹寒梅 杨银堂 +2 位作者 蔡伟 陆铁军 王宗民 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期620-623,共4页
提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm... 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源.电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比.整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃-125℃范围内的温度系数为12.9×10^-6/℃,频率为10 Hz时的电源抑制比为67.2 dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中. 展开更多
关键词 负反馈箝位 带隙电压基准源 高温度稳定性
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应变Si/(001)Si1-xGex能带结构模型 被引量:5
20
作者 宋建军 张鹤鸣 +2 位作者 戴显英 胡辉勇 宣荣喜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期14-17,共4页
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随G... 应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。 展开更多
关键词 应变硅 K.P法 能带结构
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