真空微电子平板显示器工艺研究 被引量：3

1

作者 皇甫鲁江 朱长纯 +3 位作者 淮永进 铁执玲 单建安 郭彩林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期119-121,共3页

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳... 本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。 展开更多

关键词 场致发射 平板显示器 真空微电子器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

真空微电子管的研究

2

作者 关辉 朱长纯 +1 位作者 陈宁 张声良 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 1996年第5期309-315,共7页

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进... 综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。 展开更多

关键词 计算机模拟 真空器件 微结构 微电子管

在线阅读 下载PDF 职称材料

第一性原理对Ga_nP_m^-阴离子团簇结构及其光电子能谱的研究(英文) 被引量：6

3

作者 李恩玲 陈贵灿 +2 位作者 王雪文 薛英 马红 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期279-286,共8页

本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结... 本文利用密度泛函理论(DFT)对GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇的几何结构、电子态及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)团簇的基态结构.这些阴离子团簇的几何结构随着n的增大,在n=5时由平面结构转化为立体结构;在GanP2-(n=1-6)团簇中,P-P比Ga-P容易成键;在GanP-(n=2-7)和GanP2-(n=1-6)阴离子团簇中,Ga3P2-,Ga4P2-,Ga5P2-和Ga6P-的基态结构最稳定. 展开更多

关键词 GanPm^-阴离子团簇 密度泛函理论(DFT) 几何结构

在线阅读 下载PDF 职称材料

北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析 被引量：3

4

作者 贺朝会 李国政 刘恩科 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期175-181,共7页

首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。... 首次从利用高能电子打靶产生的质子进行半导体器件的单粒子效应（ＳＥＥ）实验研究的角度分析了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）次级束中的质子的能量范围和产额，计算了３种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围，估算了反应截面。研究表明：选取重核做靶可以不同程度地提高质子产生截面，质子的微分产额（ｄ２ＹｄＥｄΩ）可达１．６６×１０－３ｓ－１·ｓｒ－１·ｅＶ－１。可以用ＢＥＰＣ次级束中的质子做翻转截面比较大（σ＝１０－８ｃｍ２）的半导体器件的单粒子效应实验研究。 展开更多

关键词 质子 单粒子效应 正负电子对撞机 次级束模拟

在线阅读 下载PDF 职称材料

双量子阱结构中电子共振隧穿的相干模型

5

作者 金世荣 罗晋生 徐仲英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期333-339,共7页

提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同.

关键词 共振隧穿 双量子阱 PL TRPL F-P模型 电子

在线阅读 下载PDF 职称材料

钼阴极表面电子流的HRTFEM观察

6

作者 窦菊英 陈尔纲 +1 位作者 杨德清 朱长纯 《电子显微学报》 CAS CSCD 2000年第4期619-620,共2页

关键词 钼阴极 表面电子流 HRTFEM

在线阅读 下载PDF 职称材料

从头计算对Ga_nN_m团簇的结构与稳定性的研究(英文) 被引量：6

7

作者 李恩玲 陈贵灿 +3 位作者 王雪文 马德明 薛英 马红 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期477-485,共9页

用B3LYP-DFT方法对GanN2（n=1～7）和GanN（n=2～8）团簇的结构与稳定性进行了研究．在6—31G^＊水平上进行了结构优化和频率分析，得到了GanN2（n=1-7）和GanN（n=2～8）团簇的基态结构．在GanN（n=2～8）团簇的基态几何结构中，N原子... 用B3LYP-DFT方法对GanN2（n=1～7）和GanN（n=2～8）团簇的结构与稳定性进行了研究．在6—31G^＊水平上进行了结构优化和频率分析，得到了GanN2（n=1-7）和GanN（n=2～8）团簇的基态结构．在GanN（n=2～8）团簇的基态几何结构中，N原子处在分子结构的中心；在GanN2（n=1～3）团簇中，N—N键比Ga-N键强；在GanN2（n=4～7）团簇中存在Ga3N单元和Ga4N单元．在GanN2（n=1～7）和GanN2（n=2～8）团簇中，Ga4N2，Ga6P2，Ga3N，GasN和GaiN较其它团簇稳定． 展开更多

关键词 GanNm 团簇 密度泛函理论(DFT) 结构 稳定性

在线阅读 下载PDF 职称材料

pA量级质子束流测量系统 被引量：5

8

作者 贺朝会 耿斌 +4 位作者 陈晓华 张前美 杨海亮 李国政 刘恩科 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期40-42,4,共4页

研制的质子束流测量系统，本底电流仅为１０－ １４Ａ 量级，可测最大电流达ｍ Ａ 量级。在质子单粒子效应实验中，测得了ｐＡ 量级的质子束流及其随时间变化的关系，为半导体器件单粒子翻转截面的计算提供了必需的数据。

关键词 法拉第探测器 静电计 质子束流测量系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用加速器提供的重离子进行SRAM单粒子效应研究 被引量：3

9

作者 张正选 李国政 +4 位作者 罗晋生 陈晓华 姬琳 王燕萍 巩玲华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期125-128,共4页

报导了利用北京大学串列静电加速器提供的重离子对两类静态随机存储器进行单粒子效应的实验和测量。给出了两类静态随机存储器的单粒子效应翻转截面随线性能量转移值的变化关系曲线。

关键词 吕列静电加速器 单粒子效应 重离子 SRAM

在线阅读 下载PDF 职称材料

FLASHROM28F256和29C256的14MeV中子辐照实验研究 被引量：4

10

作者 贺朝会 陈晓华 +5 位作者 李国政 刘恩科 王燕萍 姬林 耿斌 杨海亮 《核电子学与探测技术》 CSCD 北大核心 2000年第2期115-119,153,共6页

给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错... 给出了国内首次 FL ASH ROM器件的中子辐照效应实验研究结果。发现 2 8F2 56和 2 9C2 56器件的14Me V中子辐照效应不同于以往所认为的单粒子效应 ,它只有“0”→“1”错误。错误发生有个中子注量阈值 ,当中子注量小于某一个值时 ,无错误 ;当中子注量达到一定值时 ,开始出现错误。随着中子注量的增加 ,错误数增加 ,直到所有“0”变为“1”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误 ,不能用编程器重新写入数据。错误随读取次数的增加而增加。在相同的中子注量下 ,不加电的器件无错误 ,而加电的器件都出现错误 。 展开更多

关键词 FLASH ROM 14MeV 中子辐照实验

在线阅读 下载PDF 职称材料

6H-SiC JFET高温解析模型 被引量：2

11

作者 张玉明 张义门 罗晋生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期117-119,138,共4页

本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6HSiCJEFT性能（包括亚阈区）的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出... 本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6HSiCJEFT性能（包括亚阈区）的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出电导、温度决定的模型参数等效应载流子的计算考虑了SiC中杂质能级特点，采用两级电离模型，模拟了典型结构器件的高温特性。 展开更多

关键词 碳化硅 场效应晶体管 模型 高温

在线阅读 下载PDF 职称材料

带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准 被引量：2

12

作者 张强 陈贵灿 +2 位作者 田泽 王进军 李攀 《现代电子技术》 2007年第20期150-153,共4页

提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的... 提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路。采用UMC 0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB。此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70μs。 展开更多

关键词 CMOS 带隙基准 低噪声 电源抑制比 软启动电路 快速启动电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC薄膜的场致发射实验研究 被引量：2

13

作者 李德昌 杨银堂 +1 位作者 李跃进 朱长纯 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期529-532,共4页

利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉ... 利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ的指数形式，而其发射场强的阈值约为１Ｖ／μｍ．在测试出的Ｉ～Ｖ特性曲线上，发现了共振隧穿特征． 展开更多

关键词 碳化硅薄膜 场致发射 测试实验 真空场致发射

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 被引量：1

14

作者 张正选 罗晋生 +3 位作者 袁仁峰 何宝平 姜景和 罗尹虹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期128-129,132,共3页

本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.

关键词 I-V特性 辐射 界面陷阱 MOSFET

在线阅读 下载PDF 职称材料

钴钝化多孔硅的制备及其场发射特性研究 被引量：2

15

作者 曾凡光 刘兴辉 +1 位作者 朱长纯 王文卫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期604-605,609,共3页

采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm... 采用化学染色腐蚀法在Co(NO3)2 和HF酸组成的腐蚀液中制备了钴钝化多孔硅,其表面形貌由垂直于表面分布的尺度为0.5~1.5μm 的硅尖组成,部分硅尖顶端还有0.1~0.5μm的圆形孔洞,硅尖的面密度约为1.0×108 个/cm2,多孔硅层厚度约为2μm。XPS分析结果表明,钴原子仅存在于多孔硅表面非常薄的一层内。其场发射具有较好的可靠性和可重复性,开启场强一般为2.3V/μm 左右,场强为5.4V/μm时,亮点均匀而且密集,发射电流密度达到30μA/cm2 左右。 展开更多

关键词 钴 多孔硅 场发射

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于谐振式传感器的微型双层薄板热挠曲的研究 被引量：1

16

作者 姚振华 朱长纯 +1 位作者 程敏 刘君华 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期59-61,共3页

本文对微机械中热胀系数不同的材料构成的双层复合薄板在均匀温升下的挠曲特性进行了研究 ,提出了在均匀温升下双层薄板热挠曲求解的能量法 ,并给出了小挠度下中心挠度与板厚的解析关系 ,为薄膜谐振式传感器温度特性的研究和新型温度传... 本文对微机械中热胀系数不同的材料构成的双层复合薄板在均匀温升下的挠曲特性进行了研究 ,提出了在均匀温升下双层薄板热挠曲求解的能量法 ,并给出了小挠度下中心挠度与板厚的解析关系 ,为薄膜谐振式传感器温度特性的研究和新型温度传感器的设计与开发打下了基础 . 展开更多

关键词 薄膜微机械 谐振式传感器 双层薄板热挠曲

在线阅读 下载PDF 职称材料

Si_(1-x)Ge_x/Si Y-分支波长信号分离器 被引量：1

17

作者 李宝军 李国正 刘恩科 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期251-255,共5页

利用Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的等离子体色散效应，对１．３μｍ和１．５５μｍ光通信波长的Ｓｉ基Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器进行了理论分析，设计了结构参数和电学参数，并分析了其分支特性．

关键词 SI1-XGEX 光波导 波长信号分离器

在线阅读 下载PDF 职称材料

SO_2气体传感器的新进展 被引量：8

18

作者 魏培永 韩建强 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第3期1-3,共3页

主要介绍了国内外当前SO2 气体传感器的研究现状及其发展趋势 ,并着重介绍了声表面波 (SAW )SO2

关键词 气体传感器 声表面波 二氧化硫

在线阅读 下载PDF 职称材料

关于合成立方氮化硼触媒材料的研究 被引量：4

19

作者 于丽娟 《西安建筑科技大学学报（自然科学版）》 EI CSCD 1998年第1期86-88,共3页

参考国内外的有关工作，进一步研究了合成立方氮化硼（以下简称ｃＢＮ）的触媒材料Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的制备方法，通过改进工艺得到了高纯相Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４（９５％），证明了该触媒对合成ｃＢＮ有良好作用，通过对Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的常、高... 参考国内外的有关工作，进一步研究了合成立方氮化硼（以下简称ｃＢＮ）的触媒材料Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的制备方法，通过改进工艺得到了高纯相Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４（９５％），证明了该触媒对合成ｃＢＮ有良好作用，通过对Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的常、高压相的Ｘ射线谱的分析表明，对合成ｃＢＮ起作用的是Ｍｇ３Ｂ２Ｎ４的高压相而不是常压相． 展开更多

关键词 催化剂 合成 立方氮化硼 高温高压

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于Morlet小波的滚动轴承故障信号奇异性分析 被引量：1

20

作者 丁娜 关立行 文常保 《轴承》 北大核心 2006年第1期29-32,共4页

针对滚动轴承故障信号分析中单一频域表征的问题,提出了将Morlet连续小波变换应用于故障信号奇异性提取和分析的新方法。在分析了滚动轴承故障信号的奇异性特征和奇异性信号小波检测机理的基础上,将Morlet连续小波用于对滚动轴承故障信... 针对滚动轴承故障信号分析中单一频域表征的问题,提出了将Morlet连续小波变换应用于故障信号奇异性提取和分析的新方法。在分析了滚动轴承故障信号的奇异性特征和奇异性信号小波检测机理的基础上,将Morlet连续小波用于对滚动轴承故障信息的提取与分析。试验证明,该方案能有效地对滚动轴承故障信号在时间和尺度平面进行分析,可以同时表征奇异性信号的时间和频率信息。 展开更多

关键词 滚动轴承 故障信号 MORLET小波 奇异性

在线阅读 下载PDF 职称材料