期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
溶胶-凝胶法和高分子网络凝胶法合成光催化ZnO纳米晶的比较研究
被引量：
7
1
作者
刘禹彤
徐小楠
+3 位作者
陈雨
张秋平
袁欢
徐明
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第5期942-949,共8页
通过对比溶胶-凝胶法和高分子网络凝胶法合成的ZnO纳米晶的微结构和光催化活性来探讨不同制备方法对光催化剂的影响,用XRD、TEM、SEM、XPS和PL对所制备样品的晶体结构、形貌、化学成分和光学特性进行了研究。结果表明,随着温度的升高,...
通过对比溶胶-凝胶法和高分子网络凝胶法合成的ZnO纳米晶的微结构和光催化活性来探讨不同制备方法对光催化剂的影响,用XRD、TEM、SEM、XPS和PL对所制备样品的晶体结构、形貌、化学成分和光学特性进行了研究。结果表明,随着温度的升高,两种方法制备的样品其晶粒尺寸都增大,颗粒团聚现象改善,化学吸附氧浓度增大,缺陷减少,结晶性变好。比较发现,煅烧温度为650℃,采用高分子网络凝胶法制备的光催化剂的光催化效果更好。分析认为,高分子网络凝胶法更适合ZnO光催化剂的合成。
展开更多
关键词
ZN
O
溶胶-凝胶法
高分子网络凝胶法
光催化活性
在线阅读
下载PDF
职称材料
纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
2
作者
张念波
田金秀
+5 位作者
李卫
武莉莉
黎兵
张静全
冯良桓
徐明
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期331-334,共4页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3....
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。
展开更多
关键词
纳米晶硅
掺杂
表面改性
模拟
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
溶胶-凝胶法和高分子网络凝胶法合成光催化ZnO纳米晶的比较研究
被引量：
7
1
作者
刘禹彤
徐小楠
陈雨
张秋平
袁欢
徐明
机构
西南
民族大学
电气
信息
工程学院
西南民族大学信息材料四川省重点实验室
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第5期942-949,共8页
基金
四川省学术带头人培养基金(25727502)
西南民族大学研究生创新型科研项目(CX2017SZ035)
文摘
通过对比溶胶-凝胶法和高分子网络凝胶法合成的ZnO纳米晶的微结构和光催化活性来探讨不同制备方法对光催化剂的影响,用XRD、TEM、SEM、XPS和PL对所制备样品的晶体结构、形貌、化学成分和光学特性进行了研究。结果表明,随着温度的升高,两种方法制备的样品其晶粒尺寸都增大,颗粒团聚现象改善,化学吸附氧浓度增大,缺陷减少,结晶性变好。比较发现,煅烧温度为650℃,采用高分子网络凝胶法制备的光催化剂的光催化效果更好。分析认为,高分子网络凝胶法更适合ZnO光催化剂的合成。
关键词
ZN
O
溶胶-凝胶法
高分子网络凝胶法
光催化活性
Keywords
ZnO
sol-gel method
polymer gel method
photocatalytic activity
分类号
O614.24 [理学—无机化学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
2
作者
张念波
田金秀
李卫
武莉莉
黎兵
张静全
冯良桓
徐明
机构
四川
大学
材料
科学与工程学院
西南民族大学信息材料四川省重点实验室
四川
师范
大学
固体物理研究所
出处
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期331-334,共4页
基金
The National 863 Program(2011AA050515)fund support
Sichuan Normal University for the program support
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。
关键词
纳米晶硅
掺杂
表面改性
模拟
Keywords
Silicon nanocrystals
Doping
Surface modification
Simulation
分类号
O474 [理学—半导体物理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溶胶-凝胶法和高分子网络凝胶法合成光催化ZnO纳米晶的比较研究
刘禹彤
徐小楠
陈雨
张秋平
袁欢
徐明
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文)
张念波
田金秀
李卫
武莉莉
黎兵
张静全
冯良桓
徐明
《光谱学与光谱分析》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
