构建成才平台加强高等教育区团学工作——关于高等教育区团学工作的发展思考

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作者 许剑 《成才之路》 2013年第8期67-67,共1页

高等教育区作为国内高校教育发展的新模式，必然要经历不同的发展阶段，处于不同发展阶段中，区域性团学工作也有不同特点，通过对苏州独墅湖高教区10年发展过程中团学工作的特点分析，研究高等教育区不同发展阶段团学工作的思路和方法... 高等教育区作为国内高校教育发展的新模式，必然要经历不同的发展阶段，处于不同发展阶段中，区域性团学工作也有不同特点，通过对苏州独墅湖高教区10年发展过程中团学工作的特点分析，研究高等教育区不同发展阶段团学工作的思路和方法，将为国内高等教育区团学工作的创新开展提供借鉴，从而有助于推进高等教育区的发展。 展开更多

关键词 团学工作 高等教育区 发展

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一种带功率检测和自适应偏置的CDMA功率放大器 被引量：5

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作者 梁聪 滑育楠 +3 位作者 胡善文 张晓东 张海涛 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期81-84,89,共5页

设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真... 设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真,改善其线性度。采用2μm InGaP/GaAs HBT晶体管工艺成功流片,测试结果表明,与普通功率放大器相比较,当输出功率小于10 dBm时,新型功率放大器的集电极电流大幅降低,系统整体效率提高了2.2倍;1 dB增益压缩点由30 dBm增加到32 dBm;当输出功率为28 dBm时,ACPR和ALTR分别改善了5 dB和12 dB,IM3改善了11 dB。 展开更多

关键词 功率检测 自适应偏置 效率 线性度

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一种解决HBT功率器件热失控的新方法 被引量：1

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作者 胡善文 钱罕杰 +2 位作者 孙晓红 张晓东 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期56-59,64,共5页

提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中... 提出了一种具有强耦合作用的新型镇流电阻器网络,该镇流电阻器网络为树形拓扑结构,对其工作原理进行了详细分析。基于COMSOL MULTIPHYSICS软件的仿真结果表明:该镇流电阻器网络具有自适应功能,通过其耦合作用可以自动调整HBT并联阵列中晶体管的电流,使高温HBT的热量向低温HBT传递,获得更为均匀的温度分布,较好地解决了热失控问题。采用该新型镇流电阻器网络与传统镇流电阻器网络设计了两种面积相等的电路,在同等的偏置条件下测得其温度分布曲线,通过比较可以看出新型镇流电阻器网络具有更为均匀的热分布。 展开更多

关键词 镇流电阻器网络 热失控

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一种适用于功率放大器的InGaP/GaAs HBT预失真电路 被引量：1

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作者 胡善文 钱罕杰 +2 位作者 孙晓红 张晓东 高怀 《电子器件》 CAS 2010年第5期568-571,共4页

提出了一种具有串、并联负反馈网络的有源预失真电路,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:该预失真电路能够产生增益扩展与负相位偏差,可将其用于补偿功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,... 提出了一种具有串、并联负反馈网络的有源预失真电路,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:该预失真电路能够产生增益扩展与负相位偏差,可将其用于补偿功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,提高功放的线性度。将该预失真电路作为输入级设计了一款功率放大器,并基于截止频率为29.5 GHz的2μmInGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明:在3.5 V偏置电压下、1.5～1.8 GHz频段范围内,功放的功率增益可达27dB,P1dB为28 dBm,最大功率附加效率为36%。 展开更多

关键词 负反馈网络 预失真 功率放大器

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LDMOSFET电热耦合解析模型

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作者 孙晓红 戴文华 +2 位作者 严唯敏 陈强 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期370-376,424,共8页

建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该... 建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。 展开更多

关键词 横向双扩散金属氧化物半导体晶体管 解析模型 晶体管模型 封装模型 热模型

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一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术 被引量：4

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作者 王锋 胡善文 +1 位作者 张晓东 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期159-164,共6页

介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上... 介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。 展开更多

关键词 射频横向双扩散金属氧化物场效应晶体管 等效电路模型 预匹配 输入输出匹配

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一种高频无源元件的EM建模分析技术 被引量：3

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作者 薛川 梁聪 +2 位作者 张晓东 胡善文 高怀 《电子科技》 2011年第1期59-64,共6页

采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs... 采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs半导体工艺进行了流片。测试结果表明，在0．1～40GHz频率范围内，采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值。采用EM等效电路模型设计的电路与传统模型设计的电路相比，更接近于流片后的实际结果，该方法不仅有效地提高了微波集成电路设计的准确度，而且缩短了设计周期、节省了设计成本。 展开更多

关键词 砷化镓 无源元件 电磁仿真 等效电路模型

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一种新型提高射频功率放大器PAE的电路技术 被引量：2

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作者 郭瑜 胡善文 +1 位作者 张晓东 高怀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期257-262,共6页

提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz... 提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz时,该功放的P_(1db)达到了30.05 dBm,功率附加效率达到了58.75%,较普通功放提高了12%,功率增益在20 dB左右。 展开更多

关键词 相位匹配 谐波控制 功率附加效率 功翠放大詈苷

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一款新型基于推挽式结构的射频功率放大器 被引量：1

9

作者 牛旭 滑育楠 +3 位作者 胡善文 张晓东 高怀 孙晓红 《电子器件》 CAS 2010年第6期696-699,共4页

基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明:该功率放大器在700MHz～1100MHz的频率范围内,其增益为25dB,在1dB... 基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明:该功率放大器在700MHz～1100MHz的频率范围内,其增益为25dB,在1dB增益压缩点处,输出功率大于2W,功率附加效率为50%,OIP3大于44dBc。 展开更多

关键词 推挽式 效率 线性 功率放大器

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集电结电容C_(BC)对HBT功率放大器非线性的影响

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作者 丁杰 胡善文 +1 位作者 张晓东 高怀 《电子科技》 2011年第1期115-117,120,共4页

GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律,给出了CBC随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软... GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容CBC是HBT功率放大器产生非线性的主要参量。文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBTCBC随电路偏置变化的规律,给出了CBC随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证。理论分析及仿真结果表明:CBC随输入信号功率的增大而增大,是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因,最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性。 展开更多

关键词 集电结电容 异质结双极晶体管 功率放大器 非线性

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镜像法在计算LDMOS热模型中的运用

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作者 杨烨 滑育楠 +2 位作者 孙晓红 张晓东 高怀 《电子器件》 CAS 2010年第3期299-302,共4页

计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的... 计算LDMOS器件的二维温度分布,采用镜像方法从计算单指条器件的温度出发,考虑实际问题中存在的表面绝热条件以及两层介质间的连续性条件,获得单指条器件纵向温度分布函数。将所有热源在表面上点的温度进行叠加,得到多指条并联时器件的横向温度分布图。基于MATLAB编程计算,结果表明:镜像法简单实用且能更精确的计算出温度的梯度分布。此计算结果可用于开发精确的器件热模型。 展开更多

关键词 横向扩散金属氧化物半导体 镜像法 边界条件 MATLAB 温度分布

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一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究

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作者 卞新海 陈文兰 +2 位作者 王京 王寅生 高怀 《科技创新与应用》 2012年第06Z期5-6,共2页

本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问... 本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问题。仿真和测试结果表明,当最高基本频率同为1.20GHz时,全集成单片微波混沌电路比现有技术的频谱带宽扩展了23%,达到DC-4.30GHz,输出电压摆幅也提升15%。 展开更多

关键词 混沌 Colpitts电路 砷化镓 基本频率

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一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管

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作者 朱向伟 胡善文 +2 位作者 梁聪 张晓东 高怀 《现代电子技术》 2011年第2期145-147,150,共4页

根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB... 根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB提高了2 dB,线性得到了改善。 展开更多

关键词 HBT 直流偏置 自热效应 线性度

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