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题名超密集波分复用无源光网络技术
被引量:2
- 1
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作者
胡卫生
郑宏军
罗清龙
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机构
上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
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出处
《中兴通讯技术》
2014年第5期2-5,共4页
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基金
高等学校博士学科点专项科研基金(20110073130006)
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文摘
超密集波分复用光接入网(UDWDM-PON)方案可以在C波段密排1 000个下行波长和1 000个上行波长,支持1 000个用户。每个用户独立使用一对波长,可实现速率千兆并具有速率万兆的潜力。使用分光器兼容现有光分配网,采用数字相干通信技术,功率预算将可超过43 dB。UDWDM-PON在用户带宽保证、容量汇聚能力、网络覆盖范围等方面发展潜力明显。
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关键词
超密集波分复用
无源光网络
分光器
相干通信技术
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Keywords
ultra-dense wavelength division multiplexed
passive optical network
optical spliter
digital coherent communication
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分类号
TN929.1
[电子电信—通信与信息系统]
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题名基于蓝光TADF材料的敏化白光OLED特性
被引量:1
- 2
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作者
徐子杰
王文军
李淑红
刘云龙
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机构
聊城大学物理科学与信息工程学院
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期1005-1014,共10页
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基金
国家自然科学基金(61775089)
山东省自然科学基金(ZR2020KB18,ZR2022MF240)
聊城大学项目(318011904,318051650)。
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文摘
白光有机发光二极管(WOLEDs)由于面光源、可柔性、轻薄、自发光等优势而广泛应用于显示和照明领域。目前,高效溶液处理的混合白光有机发光二极管很少被报道。本文选择蓝色热致延迟荧光材料DMAC-DPS作为传统橙色磷光材料PO-01-TB的敏化主体,制备了热活化敏化的杂化单发光层有机发光二极管白光器件,分析了器件能量传递机制。通过主客体掺杂浓度调控,实现了外部量子效率最高为8.00%、电流效率为22.32 cd/A、对应CIE坐标(0.405,0.497)及色温为4059 K的暖白光OLED器件,增加空穴阻挡层DPEPO有效地提高了器件的光谱稳定性,实现了更小的ΔCIE(0.017,0.016)。
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关键词
白光有机发光二极管
热致延迟荧光材料
溶液处理
能量转移
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Keywords
white organic light-emitting diodes
thermally activated delayed fluorescence materials
solution treat-ment
energy transfer
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分类号
TN312.8
[电子电信—物理电子学]
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题名PM-QPSK相干系统中改进的OSNR监测方法
被引量:1
- 3
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作者
王芳
张霞
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机构
聊城大学网络信息中心
北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
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出处
《光通信研究》
北大核心
2014年第4期24-27,共4页
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基金
IPOC开放基金(BUPT)资助项目(IPOC2013B005)
山东省自然科学基金资助项目(ZR2010FM043)
聊城市科技发展项目(2013GJH16)
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文摘
针对100Gbit/s及以上PM-QPSK(偏振复用正交相移键控)相干光通信系统,提出了一种改进的基于统计矩的带内OSNR(光信噪比)监测方案,并在搭建的100Gbit/s PM-QPSK相干接收系统中对该方案进行了数值仿真。结果表明,在5~25dB的OSNR范围内,该改进方案对不同占空比的RZ(归零)码调制信号的监测误差均小于0.5dB;根据商用相干接收机对接收端OSNR的要求,取其参考值为14dB,则在0.5dB的监测范围内,对CD(色散)的容忍度为2 400ps/nm,对一阶PMD(偏振模色散)即DGD(差分群时延)的容忍度为62ps。
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关键词
光纤通信系统
光信噪比监测
偏振复用正交相移键控
色散
偏振模色散
-
Keywords
fiber-optic communication system
OSNR monitoring
PM-QPSK
CD
PMD
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分类号
TN914
[电子电信—通信与信息系统]
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题名ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性
- 4
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作者
秦书超
董瑞新
杜倩倩
王媛
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机构
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
聊城大学物理科学与信息工程学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第7期419-424,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(11375081)
山东省自然科学基金资助项目(ZR2012FM026
ZR2012FL20)
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文摘
通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量其电学特性,分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明:在不同的扫描电压作用下,器件均表现出稳定的负微分电阻特性,且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态,器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理,均可有效减小低阻态的阻值,提高器件的峰-谷电流比率,进而优化器件的记忆特性。最后,基于能谷散射理论,对器件的负微分电阻特性进行了合理解释,理论和实验结果吻合较好。
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关键词
ZnS纳米薄膜
负微分电阻
记忆特性
退火温度
能谷散射
-
Keywords
ZnS nano-film
negative differential resistance
memory characteristic
annealingtemperature
inter-valley scattering
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分类号
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名基于异靛蓝的供体-受体型共聚物忆阻器的构建及性能
- 5
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作者
袁帅
董瑞新
刘汝新
闫循领
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机构
聊城大学物理科学与信息工程学院
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2019年第1期8-12,56,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61574071)
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文摘
由于供体-受体型聚合物具有较强的诱捕和释放电荷的能力,在忆阻器的研究方面具有很大的潜力。利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩和噻吩合成了低带隙的供体-受体半导体聚合物(IPDT)(异靛蓝/噻吩/丙烯二氧噻吩的摩尔比率为x/1/1-x),构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,发现器件具有较稳定的忆阻特性。x=0.5时器件的开、关电压分别为8和-7.5 V,高低电阻比达到102,室温下的忍耐力循环测量超过2 000次。x=0.25时器件的开、关电压分别减小为2.2/-1.6 V,最大电流下降了5个量级。x=0.2时器件的开、关电压分别为1.9和-1.1 V,高低电阻比提高到103,最大电流仍为纳安量级。结果表明供体单元的占比越高,器件的开关电压越低,且较低的电流更有利于降低功耗。发现器件的忆阻特性是由聚合物材料内部电子通道的形成与断裂引起的。
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关键词
忆阻器
供体-受体
有机聚合物
异靛蓝
电子通道
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Keywords
memristor
donor-acceptor
organic semiconductor polymer
iso-indigo
electronic channel
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分类号
TN304.5
[电子电信—物理电子学]
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题名基于零维杂化锑基氯化物的可逆荧光发射转化
- 6
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作者
谭丽
罗志山
李茜
韩江
邹超
常晓勇
权泽卫
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机构
南方科技大学化学系
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
松山湖材料实验室前沿科学研究-功能配位材料团队
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第3期537-547,共11页
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基金
国家自然科学基金(52072166)
广东省自然科学基金(2022A1515010918)
深圳市资助科技创新委员会(KQTD2016-053019134356,RCJC2021060910444106)。
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文摘
零维有机-无机杂化金属卤化物因可调控的自陷态激子发射在发光和显示等领域具有很好的应用前景。特别是同时具有单线态和三线态激子发射双带光谱的零维金属卤化物在白光固态照明应用中极具潜力。本工作报道了两种零维杂化锑基氯化物(C_(24)H_(20)P)_(2)SbCl_(5)(Ⅰ)和(C_(24)H_(20)P)_(2)SbCl_(5)·H_(2)O·0.5DMF(Ⅱ)(C_(24)H_(20)P为四苯基膦,Ph4P)。在低能量光子(如360 nm)激发下,化合物Ⅰ和Ⅱ分别呈现出由自陷态激子发射的红色和黄色的单峰宽带光谱。此外,当用高能量光子(如310 nm)激发时,Ⅱ的光谱呈现出双带白光发射,除黄光发射带外,还出现了一个源于单线态自陷激发发射的蓝光发射带。研究表明,通过引入和去除DMF和水分子,化合物Ⅰ和Ⅱ能实现可逆转化。该研究揭示了小分子对零维杂化金属卤化物晶体结构的调控机制,从而实现单带发射和双带发射之间的转变,为设计具有小分子传感应用的零维金属卤化物奠定了研究基础。
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关键词
零维
杂化锑基氯化物
自陷态激子
小分子
双带发射
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Keywords
zero-dimensional
hybrid antimony halide
self-trapped exciton
small molecule
dual-band emission
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分类号
O482.31
[理学—固体物理]
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题名用于音频功放的数字上采样滤波器设计
- 7
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作者
程凯
曹晓东
闵令辉
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机构
聊城大学物理科学与信息工程学院
中国科学院半导体研究所
聊城大学山东省光通信科学与技术重点实验室
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出处
《无线电通信技术》
2022年第6期1105-1110,共6页
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文摘
设计了一种用于音频功放的数字上采样滤波器,通过可配置的多级插值系统将多种采样率(44.1 kHz、48.0 kHz、88.2 kHz、96.0 kHz、176.4 kH、192 kHz)的音频信号采样频率提高到6.144/5.6448 MHz,解决了目前功放芯片只能兼容某种单一采样频率信号的问题,极大提高了音频功放的性能和音频功放芯片的灵活性。通过对半带滤波器算法结构研究,依据半带滤波器的特点,在不损失性能的前提下改进滤波器结构,使半带滤波器的资源消耗减少3/4。最终经Matlab和Modelism仿真验证分析,上采样率器带内纹波损失低于0.03 dB,各级滤波器阻带衰减-80 dB左右,滤波器最大群延时为2.052 ms,输出波形光滑,满足实际使用需求。
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关键词
上采样
半带滤波器
音频功放
可配置的多级插值系统
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Keywords
upsampling
half-band filter
audio amplifie
configurable multilevel interpolation system
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分类号
TN713.7
[电子电信—电路与系统]
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