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碲镉汞PIN结构雪崩器件的I区材料晶体质量研究
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作者 沈川 张竞 +5 位作者 杨辽 郭慧君 谢浩 周梅华 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期174-178,共5页
本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体... 本文对中波红外PIN结构的碲镉汞(HgCdTe)雪崩器件关键雪崩区域的材料晶体质量进行研究。通过在实验材料上对PIN结构雪崩器件的全过程工艺模拟,采用微分霍尔、微分少子寿命等测试手段进行材料表征,评估获得了关键雪崩区域的真实材料晶体质量。研究发现,现有优化工艺下雪崩区域的晶体质量良好,拟合材料的SRH寿命最好能达到20.7μs,可达到原生材料SRH寿命的相当水平,满足高质量中波碲镉汞雪崩器件的研制要求。同时,我们以获得的雪崩区域SRH寿命为基础,对HgCdTe APD结构器件进行相应2维数值模拟,获得理论最优的暗电流密度8.7×10^(-10) A/cm^(2)。 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩器件 少子寿命 暗电流
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32×32甚长波红外HgCdTe焦平面器件(英文) 被引量:2
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作者 郝立超 黄爱波 +5 位作者 解晓辉 李辉 赖灿雄 陈洪雷 魏彦锋 丁瑞军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第5期59-64,共6页
甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒... 甚长波红外波段富含大气湿度、CO_2含量及云层结构和温度轮廓等大量信息,是大气遥感的重要组成部分。设计了一种32×32甚长波红外焦平面阵列,采用在ZnCdTe衬底上液相外延生长的As掺杂p型材料上进行B+离子注入形成光敏元,通过铟柱倒焊技术和带有改进型背景抑制结构的读出电路互联,制成截止波长达到14滋m的焦平面器件。该红外焦平面器件像元面积为60滋m×60滋m,工作温度在50 K温度下。测试结果显示:读出电路性能良好,焦平面黑体响应率达到1.35×107V/W,峰值探测率为2.57×10^(10)cmH z^(1/2)/W,响应率非均匀性约为45%,盲元率小于12%。 展开更多
关键词 碲镉汞 甚长波 红外焦平面 读出电路 背景抑制
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Ge_(20)Sb_(15)Se_(65)硫系玻璃光子晶体光纤的中红外色散特性 被引量:12
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作者 刘永兴 张培晴 +4 位作者 许银生 戴世勋 王训四 徐铁峰 聂秋华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期516-521,共6页
硫系玻璃与石英玻璃相比具有高折射率(2.0~3.5)、低声子能量(<350cm-1)、优良的中远红外透过性能(可至25μm)等特性.本文制备了一种在中红外具有优良透过特性的无As环保型Ge20Sb15Se65硫系玻璃材料,以此为基质材料设计了一种三层空... 硫系玻璃与石英玻璃相比具有高折射率(2.0~3.5)、低声子能量(<350cm-1)、优良的中远红外透过性能(可至25μm)等特性.本文制备了一种在中红外具有优良透过特性的无As环保型Ge20Sb15Se65硫系玻璃材料,以此为基质材料设计了一种三层空气孔结构光子晶体光纤,利用多极法对光纤的中红外色散特性进行了数值模拟,系统研究了结构参量孔径d、孔间距Λ以及d/Λ对其色散特性的影响.分析表明:通过改变包层空气孔直径d或空气孔间距Λ,可灵活的调节光子晶体光纤的零色散波长向短波或长波方向移动.通过优化结构参量发现,当Λ=3μm,d/Λ=0.35附近变化时,可获得3~5μm色散平坦,且色散值小于5ps.nm-1.km-1的光子晶体光纤. 展开更多
关键词 光子晶体光纤 硫系玻璃 中红外色散 多极法
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长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器 被引量:11
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作者 周易 陈建新 +5 位作者 徐庆庆 徐志成 靳川 许佳佳 金巨鹏 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期210-213,224,共5页
报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度... 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流. 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 长波12.5μm 暗电流
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Si基CdTe/HgCdTe分子束外延材料的位错抑制 被引量:4
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作者 沈川 顾仁杰 +3 位作者 傅祥良 王伟强 郭余英 陈路 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期490-494,共5页
基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料... 基于GaAs/Si材料中位错的运动反应理论,修正获得CdTe/Si和HgCdTe/Si外延材料中的位错运动反应模型.采用快速退火方法对Si基HgCdTe外延材料进行位错抑制实验研究,实验结果与理论曲线基本吻合,从理论角度解释了不同高温热处理条件对材料体内位错的抑制作用.对于厚度为4~10μm的CdTe/Si进行500℃快速退火1 min,可使位错密度降低0.5~1个数量级,最好结果为2.5×105cm-2. 展开更多
关键词 碲镉汞 热退火 位错 分子束外延
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中波PIN结构碲镉汞雪崩器件变温特性的数值模拟研究 被引量:3
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作者 沈川 杨辽 +3 位作者 郭慧君 杨丹 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期576-581,共6页
本文对中波HgCdTeAPD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数。对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,发现在高工作温度下,影响暗电流的主要是SRH(小偏压)和雪崩机制(大偏压)。对在高工作温度... 本文对中波HgCdTeAPD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数。对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,发现在高工作温度下,影响暗电流的主要是SRH(小偏压)和雪崩机制(大偏压)。对在高工作温度情况下各层参数的变化引起器件性能的变化进行了研究,对不同层厚度、掺杂浓度对器件性能的影响进行了相应理论计算,并对计算结果进行相应的对比研究,获得了理论上最优化的HgCdTeAPD高温器件结构,为后续高工作温度的APD器件的研发提供重要参考。 展开更多
关键词 HGCDTE APD结构 数值模拟 高工作温度
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四层结构模型下的InAs/GaSb超晶格材料能带计算 被引量:3
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作者 周易 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期13-17,72,共6页
在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料的能带结构.同时,计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量,以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算,并与... 在包络函数近似下采用K.P理论计算了InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料的能带结构.同时,计算了超晶格材料的电子有效质量和空穴有效质量,以及不同的结构对应的吸收系数.在此基础上使用了考虑包括界面在内的四层超晶格模型进行能带计算,并与实验结果进行比较,超晶格材料响应截止波长的结果更为接近实验值.不同的界面也会引起能带结构的变化,带来截止波长的变化.对于应变补偿的InAs/GaSb超晶格材料,非对称InSb界面相比对称界面有更大的截止波长. 展开更多
关键词 Ⅱ类超晶格 包络函数近似 能带计算
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分子束外延HgCdTe nBn结构红外探测器的理论计算和优化 被引量:1
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作者 沈川 陈路 +3 位作者 傅祥良 王伟强 卜顺栋 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期271-274,293,共5页
通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件... 通过2维数值模拟对HgCdTe nBn红外探测器的光电性质进行了研究.理论计算了nBn结构中各层的参数的变化(包含厚度的变化、掺杂浓度的变化以及组分)对器件性能的影响规律.通过优化上述器件结构参数,理论上获得了最优化结构的HgCdTe nBn器件,为获得高性能MBE外延HgCdTe nBn红外探测器提供重要参考. 展开更多
关键词 分子束外延 HGCDTE nBn结构 数值模拟
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多层HgCdTe异质外延材料的热退火应力分析 被引量:1
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作者 沈川 顾仁杰 +1 位作者 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期122-127,共6页
前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒... 前期研究采用高温热处理方法,获得了抑制位错的最佳退火条件.通过比对实验,发现不同衬底上HgCdTe表面的CdTe钝化层在热处理过程中对位错的抑制作用各有不同.结合晶格失配应力和热应力对不同异质结构进行理论计算,借助X射线摇摆曲线的倒易空间分析,解释了CdTe钝化层对HgCdTe位错抑制的影响作用. 展开更多
关键词 碲镉汞 碲化镉钝化层 热退火 位错 应力
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红外硫系光纤传像束研究进展 被引量:7
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作者 祝清德 王训四 +9 位作者 聂秋华 姜晨 朱敏鸣 廖方兴 张培全 张培晴 吴越豪 戴世勋 徐铁峰 陶光明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2873-2880,共8页
硫系光纤传像束作为一种红外图像的传输媒质,就是通过光纤将红外光学图像直接从一端传输到另一端,不需要经过传统光纤通信中所需的光电信号转换过程。光纤束传像的基本原则是保证图像像元间互不干扰的独立传输,扩充了光纤只能传输光信... 硫系光纤传像束作为一种红外图像的传输媒质,就是通过光纤将红外光学图像直接从一端传输到另一端,不需要经过传统光纤通信中所需的光电信号转换过程。光纤束传像的基本原则是保证图像像元间互不干扰的独立传输,扩充了光纤只能传输光信号而不能传输图像的功能。类似于可见光波段采用塑料光纤或石英光纤传像,红外图像的传输可以采用红外光纤传像束。在红外光纤和光纤传像束的发展过程中,红外硫系光纤传像束以其特有的红外光学应用优势和不可替代的成纤特性,具备广泛应用于医学、工业、科研、军事、航天等众多科学技术领域的潜力。本文在归纳光纤传像束与其它传像系统相比所具有的优势的基础上,又讨论了影响硫系光纤传像束传像性能的多种因素,并阐述了硫系光纤传像束的特点、应用及其目前面临的主要问题和未来发展趋势。 展开更多
关键词 红外光纤传像束 像元 酸溶法 叠片法 分辨率
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远红外新型碲基悬吊芯光纤的制备及光学性能研究 被引量:4
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作者 徐铁松 梁晓林 +11 位作者 钟明辉 王弦歌 焦凯 司念 肖晶 刘佳 赵浙明 王训四 张培晴 刘永兴 戴世勋 聂秋华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期206-211,共6页
利用熔融淬冷法制取了(Ge 10 Te 43)90-AgI 10和Ge 10 Sb 10 Se 80玻璃,并采用挤压法制成了一种对环境无害的双材料类芯包结构的悬吊芯光纤.制成的光纤具备3~11μm的宽谱透光性,其最低损耗仅为0.5 dB/m.讨论了GeTe-AgI悬吊芯光纤的光场... 利用熔融淬冷法制取了(Ge 10 Te 43)90-AgI 10和Ge 10 Sb 10 Se 80玻璃,并采用挤压法制成了一种对环境无害的双材料类芯包结构的悬吊芯光纤.制成的光纤具备3~11μm的宽谱透光性,其最低损耗仅为0.5 dB/m.讨论了GeTe-AgI悬吊芯光纤的光场模式和红外激光光斑,并利用中红外光参量放大器进行激光泵浦,获得了光谱宽度为1.6~8.9μm的超连续谱输出. 展开更多
关键词 硫系玻璃 中远红外 悬吊芯光纤 光纤损耗 超连续谱
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红外硫系微结构光纤的研究进展 被引量:2
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作者 董友仁 王训四 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期54-65,共12页
硫系微结构光纤结合了红外硫系玻璃和微结构光纤的优点,在红外指纹区内分子结构鉴别、痕量气体检测、深空探测、红外激光传输等领域具有重大应用价值.本文从结构分类、应用特点和制备技术三方面,对目前红外硫系微结构光纤的研究进展进... 硫系微结构光纤结合了红外硫系玻璃和微结构光纤的优点,在红外指纹区内分子结构鉴别、痕量气体检测、深空探测、红外激光传输等领域具有重大应用价值.本文从结构分类、应用特点和制备技术三方面,对目前红外硫系微结构光纤的研究进展进行了逐一介绍,并对硫系微结构光纤的未来发展进行了展望. 展开更多
关键词 硫系玻璃 微结构光纤 悬吊芯光纤 布拉格光纤 光子晶体光纤 反谐振光纤
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基于色散调制的硒化砷条型波导的超连续谱产生
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作者 宋茂壮 杨振 +1 位作者 张政 王荣平 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期133-143,共11页
研究了基于色散调制硒化砷条型波导超连续谱的产生,通过调整波导结构参数,使零色散点转移到通信波长附近,在1.55μm波长处获得反常色散。波导长度为10 mm,波导横截面面积为500 nm×800nm,获得1.55μm波长处的非线性系数为48.754W^(-... 研究了基于色散调制硒化砷条型波导超连续谱的产生,通过调整波导结构参数,使零色散点转移到通信波长附近,在1.55μm波长处获得反常色散。波导长度为10 mm,波导横截面面积为500 nm×800nm,获得1.55μm波长处的非线性系数为48.754W^(-1)·m^(-1)。利用脉宽为579fs、重复频率为50 MHz、峰值功率为70 W的光纤激光脉冲在波导中产生了带宽600 nm的超连续谱。研究结果提供了一种使用常见激光泵浦平面波导实现集成片上超连续光源的途径。 展开更多
关键词 超连续谱 条型波导 色散调控 硒化砷 反常色散
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Er^(3+)掺杂硫系玻璃微球在980nm激光泵浦下的荧光特性 被引量:5
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作者 吕社钦 吴越豪 +4 位作者 路来伟 李超然 张培晴 张巍 戴世勋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期454-459,共6页
采用玻璃粉料高温漂浮熔融法制备了0.9%Er2S3(质量分数)∶75%GeS2-15%Ga2S3-10%CsI(摩尔分数)硫系玻璃微球,并用熔融拉锥法制备了锥腰直径为2.31μm的石英光纤锥。将其与直径119μm的硫系微球进行耦合,在980 nm激光泵浦下获得了微球中与... 采用玻璃粉料高温漂浮熔融法制备了0.9%Er2S3(质量分数)∶75%GeS2-15%Ga2S3-10%CsI(摩尔分数)硫系玻璃微球,并用熔融拉锥法制备了锥腰直径为2.31μm的石英光纤锥。将其与直径119μm的硫系微球进行耦合,在980 nm激光泵浦下获得了微球中与Er3+:4I13/2→4I15/2跃迁对应的1.54μm处的荧光光谱。分析了微球和块状玻璃荧光光谱差异的原因,并用Mie散射理论公式对微球荧光光谱共振峰间隔进行了计算。共振峰间隔实验结果与理论计算误差最小仅为0.05%,验证了理论分析的正确性。最后,讨论了微球峰值间隔与泵浦功率的关系,排除了泵浦功率对共振峰间隔的影响。 展开更多
关键词 掺铒硫系玻璃 微球 光纤锥耦合 形貌共振
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Sn对Ge-Se-Te玻璃结构与光学特性的影响 被引量:2
15
作者 尹冬梅 屠德阳 +3 位作者 车丙晨 张芳芳 林常规 戴世勋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期279-283,共5页
采用熔融淬冷法制备了系列Ge3Se5Te2Snx(x=0、0.4、0.8、1.2、1.6、2.0,mol%)硫系玻璃。采用X射线衍射(XRD)图谱、差示扫描量热曲线(DSC)、可见/近红外光谱、傅里叶红外(FTIR)光谱、显微拉曼光谱等手段对玻璃的物化性能及结构进行表征,... 采用熔融淬冷法制备了系列Ge3Se5Te2Snx(x=0、0.4、0.8、1.2、1.6、2.0,mol%)硫系玻璃。采用X射线衍射(XRD)图谱、差示扫描量热曲线(DSC)、可见/近红外光谱、傅里叶红外(FTIR)光谱、显微拉曼光谱等手段对玻璃的物化性能及结构进行表征,研究发现Sn的引入导致Ge-Se-Te玻璃系统物化性能的变化:玻璃的转变温度Tg降低、红外截止波长发生红移,并有效地降低了杂质吸收峰对样品红外透过率的影响。利用Philips网络约束理论计算的玻璃平均配位数及拉曼光谱的变化,讨论了引入Sn对Ge-Se-Te玻璃的影响。 展开更多
关键词 硫系玻璃 热稳定性 红外透过范围
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高温热退火对多层P-on-N结构HgCdTe的界面影响 被引量:2
16
作者 沈川 陈路 +2 位作者 卜顺栋 刘仰融 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期156-160,共5页
对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究。研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构。这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制。同时,对热退火前后P... 对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究。研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改变,从而破坏原生结构。这种改变可以一定程度上通过工艺条件进行控制。同时,对热退火前后P-on-N结构变化进行了二维数值模拟,研究了不同变化对其能带结构和光电流的影响。 展开更多
关键词 碲镉汞 P-on-N 界面结构 热退火 光电流
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不同钝化层结构对HgCdTe热退火Hg空位调控影响 被引量:1
17
作者 沈川 刘仰融 +3 位作者 孙瑞赟 卜顺栋 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期425-429,共5页
对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝... 对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,HgCdTe外延材料的Hg空位浓度的变化随着钝化层结构的不同而发生改变。且这种改变是因为HgCdTe表层的钝化层的存在改变了原始热退火的平衡态过程。同时,通过二次离子质谱(SIMS)测试以及相应的理论拟合进行了验证。 展开更多
关键词 碲镉汞 Hg空位 钝化层 热退火
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分子束外延P-on-N HgCdTe As扩散调控研究
18
作者 沈川 杨辽 +4 位作者 刘仰融 卜顺栋 王高 陈路 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期799-803,共5页
对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火... 对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易于形成符合设计参数的PN结轮廓,为后续新型焦平面器件的研发提供基础。研究发现,在热退火过程中,原位As掺杂HgCdTe的As浓度的大小和纵向分布随着不同的Hg分压而发生改变。并通过理论计算获得了不同Hg分压下的As扩散系数。同时,通过数值模拟对不同As扩散长度的P-on-N器件结构进行了暗电流模拟,验证了As掺杂结深推进工艺的重要性。 展开更多
关键词 碲镉汞 As扩散 热退火 暗电流
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基于挤压技术的Ge-Te-Se低损耗芯-包结构光纤的制备及其性能 被引量:6
19
作者 廖方兴 王训四 +11 位作者 聂秋华 祝清德 程辞 孙礼红 刘硕 潘章豪 张培全 张培晴 刘自军 戴世勋 徐铁峰 陶光明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期88-93,共6页
采用化学和物理提纯法制备出透光性较好的高纯度Ge20Te20Se60和Ge20Se80玻璃,分别作为光纤纤芯和包层玻璃基质.利用硫系玻璃的流变特性和黏度对温度的依赖性,用平直模具挤压法制备了完整芯包结构、低结构缺陷、椭圆度较好的光纤.研究表... 采用化学和物理提纯法制备出透光性较好的高纯度Ge20Te20Se60和Ge20Se80玻璃,分别作为光纤纤芯和包层玻璃基质.利用硫系玻璃的流变特性和黏度对温度的依赖性,用平直模具挤压法制备了完整芯包结构、低结构缺陷、椭圆度较好的光纤.研究表明:对玻璃进行相应提纯后,光纤损耗明显降低,平均损耗为8.5dB/m;在4.25μm处光纤损耗达到最低,为6.8dB/m.平直模具挤压法克服了Te玻璃易析晶的困难,所得到的Te基硫系玻璃光纤芯包层界面清晰、均匀度较好、损耗值较低、满足红外光在理想结构光纤中传输和传感的需求,在中远红外光学领域有一定的潜在应用价值. 展开更多
关键词 红外光纤 硫系光纤 芯包结构 挤压法 玻璃提纯 Te玻璃 低损耗
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低零色散Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃 被引量:1
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作者 陈朋 薛祖钢 +6 位作者 田优梅 赵浙明 张培晴 王训四 戴世勋 王荣平 徐铁峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期253-258,共6页
从玻璃组分与玻璃光学折射率分布及零色散波长位置的影响机理出发,研究低色散卤化物对硫系玻璃的色散调控作用.制备了Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃,利用差示扫描量热仪、红外椭偏仪、红外光谱仪等测试了该玻璃的物化性质,分析了原料和玻璃提纯... 从玻璃组分与玻璃光学折射率分布及零色散波长位置的影响机理出发,研究低色散卤化物对硫系玻璃的色散调控作用.制备了Ge-Ga-Se-CsI硫卤玻璃,利用差示扫描量热仪、红外椭偏仪、红外光谱仪等测试了该玻璃的物化性质,分析了原料和玻璃提纯工艺、CsI含量对玻璃形成以及透过范围的影响,并计算了该玻璃的材料色散.实验结果表明:该玻璃的透过范围可覆盖可见光至中远红外波段(0.55~18μm);该玻璃的材料零色散点随着CsI含量的增加明显蓝移,摩尔百分比为20%和40%的CsI含量可使该玻璃材料的零色散波长蓝移至3.5μm和1.5μm附近,且该玻璃的热稳定性较好,有利于低色散中红外光纤的制备和应用.结合玻璃提纯技术和高温聚合物保护拉丝光纤拉丝工艺,获得了最低损耗为8.2dB/m的单折射率硫卤玻璃光纤. 展开更多
关键词 硫卤玻璃 材料色散 色散蓝移 低零色散点 中红外光纤
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