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石家庄站信息处理系统硬件设计
1
作者 刘玉武 《铁道运输与经济》 北大核心 1991年第S1期40-41,共2页
石家庄站是一个枢纽型编组站,它是京广、石太、石德三条铁路干线的交点,南北站线延长17公里,分为七个车场,两个货场,一个客站,一个北焦站,90多条专用线,19台调车机车和四个确报所,日均办理车数17000辆左右,其中有调中转车占7... 石家庄站是一个枢纽型编组站,它是京广、石太、石德三条铁路干线的交点,南北站线延长17公里,分为七个车场,两个货场,一个客站,一个北焦站,90多条专用线,19台调车机车和四个确报所,日均办理车数17000辆左右,其中有调中转车占72%,本站作业车日均500辆。 展开更多
关键词 石家庄站 本站作业车 有调中转车 信息处理系统 专用线 枢纽型 铁路干线 调车机车 站线 非正常情况
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中职电子技术基础课程教学改革策略
2
作者 王顺体 《现代农村科技》 2024年第8期132-133,共2页
中职是职业教育的重要组成部分,而中职学校又肩负着为社会提供和培养专门技能人才的重要任务。在中职学校课程体系中,电子技术基础课程具有较强的实践性,需要学生通过动手操作理解课堂知识,为了保障这门课程的教学效果,教师在开展教学... 中职是职业教育的重要组成部分,而中职学校又肩负着为社会提供和培养专门技能人才的重要任务。在中职学校课程体系中,电子技术基础课程具有较强的实践性,需要学生通过动手操作理解课堂知识,为了保障这门课程的教学效果,教师在开展教学的过程中需要与学生的日常生活实际进行联系以促进学生的理解。 展开更多
关键词 电子技术 课堂教学 策略探讨
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用于微电子封装的化学镀纯镍工艺 被引量:3
3
作者 刘巧明 夏传义 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期14-16,共3页
研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子... 研究了一种能获得厚的纯镍化学镀溶液,讨论了溶液中各种化学成分、操作温度、稳定剂对沉积速度的影响,在此基础上确定了最佳配方及操作程序.对电子元件引线镀镍、镀金后的拉力进行了测试,对镀层硬度、方阻进行了测定.此方法适用于电子封装中W、Mo-Mn金属化及Cu、Ni、可伐等金属上的镀覆. 展开更多
关键词 镀镍 封装 微电子 镍合金 电镀
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电子电镀技术的回顾与展望 被引量:2
4
作者 夏传义 《半导体情报》 1996年第3期10-18,共9页
评述了国内外电子工业中贵金属及其合金镀层、可焊性镀层、化学镀及功能镀等有关方面近期发展及应用情况,并展望了90年代电子电镀技术的发展动向。
关键词 电子电镀 贵金属 合金镀 可焊性镀层 化学镀
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伪码扩频调制的连续波雷达在电子战环境中的效能
5
作者 业德骅 《电子对抗技术》 1995年第4期13-18,共6页
简述伪码扩频连续波雷达的特点,分析伪码扩频体制连续波雷达在现代电子战中的抗干扰与抗截获性能,展望在未来战场的应用前景.
关键词 电子战 连续波雷达 伪码扩频 低截获概率
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中职英语口语教学策略探究
6
作者 田向丽 《英语教师》 2024年第14期66-69,共4页
分析影响教学策略制订的因素和条件。为更好地达成英语教学目标,取得良好的教学效果,探索中职英语口语教学策略,即立足中职学生的现状,努力创建积极的课堂环境;通过听读训练,丰富语言输入;通过背诵记忆,增强语感和表达能力;通过多种活... 分析影响教学策略制订的因素和条件。为更好地达成英语教学目标,取得良好的教学效果,探索中职英语口语教学策略,即立足中职学生的现状,努力创建积极的课堂环境;通过听读训练,丰富语言输入;通过背诵记忆,增强语感和表达能力;通过多种活动鼓励学生大胆开口说,初步提高语言运用能力;创设交际活动情境,激发学生的交际需求和学习兴趣;充分运用信息技术,构建真实、开放、交互、合作的教学环境。 展开更多
关键词 中职英语 口语教学 教学策略
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NURBS插补技术在高速加工中的应用研究 被引量:37
7
作者 黄翔 曾荣 +1 位作者 岳伏军 廖文和 《南京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期82-85,共4页
在数控加工中 ,同传统的线性插补相比 ,采用 NURBS插补刀轨加工 ,具有高速、高精度和高表面质量的独特优点 ,是伴随着高速加工技术发展起来的支撑高速加工单元技术—— CNC控制机和 CAM软件包的核心基础技术。本文从讨论研究 NURBS插补... 在数控加工中 ,同传统的线性插补相比 ,采用 NURBS插补刀轨加工 ,具有高速、高精度和高表面质量的独特优点 ,是伴随着高速加工技术发展起来的支撑高速加工单元技术—— CNC控制机和 CAM软件包的核心基础技术。本文从讨论研究 NURBS插补刀轨的生成方法、CNC中 NURBS插补器的关键技术等着手 ,阐述了NURBS插补的特点和技术要点 ,指出了五坐标 NURBS插补技术和基于连续动态控制进给速度的智能 展开更多
关键词 NURBS插补技术 高速加工 CNC CAM 数控加工
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燃料油氧化脱硫技术中氧化剂的研究进展 被引量:7
8
作者 张娟 赵地顺 +3 位作者 陈英曼 王金龙 段二红 陈凤平 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期577-582,共6页
随着世界硫含量燃料标准的提高,降低燃料油的硫含量成为全球研究热点。氧化脱硫技术因其操作条件温和、成本低,近十几年研究较多。在氧化脱硫技术中,氧化剂的选择是其关键。本文就十几年来,氧化脱硫技术中氧化剂的研究进行了综述,并提... 随着世界硫含量燃料标准的提高,降低燃料油的硫含量成为全球研究热点。氧化脱硫技术因其操作条件温和、成本低,近十几年研究较多。在氧化脱硫技术中,氧化剂的选择是其关键。本文就十几年来,氧化脱硫技术中氧化剂的研究进行了综述,并提出今出氧化剂的发展方向。 展开更多
关键词 燃料油 氧化脱硫 氧化剂
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基于匹配滤波的胎儿心电监护仪的研制 被引量:4
9
作者 周礼杲 梁毓厚 +1 位作者 叶大田 张振栋 《中国医疗器械杂志》 CAS 1989年第5期253-257,共5页
本文叙述的胎儿心电监护仪对母腹胎儿心电信号应用匹配滤波消去母体心电波,并用波形识别、逻辑判断与差分检测法从噪声中提取胎儿心电信号。这种胎儿心电监护仪除能象通常胎儿监护仪提供胎心率与宫缩曲线外,还同时能给出胎儿心电图和母... 本文叙述的胎儿心电监护仪对母腹胎儿心电信号应用匹配滤波消去母体心电波,并用波形识别、逻辑判断与差分检测法从噪声中提取胎儿心电信号。这种胎儿心电监护仪除能象通常胎儿监护仪提供胎心率与宫缩曲线外,还同时能给出胎儿心电图和母亲心率曲线。 展开更多
关键词 匹配滤波 胎儿心电 心电监护仪
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聚天冬氨酸接枝共聚物的合成及其性能的研究 被引量:4
10
作者 闫美芳 刘振法 +3 位作者 张利辉 高玉华 吴运娟 陈英曼 《河北省科学院学报》 CAS 2006年第4期67-69,共3页
合成了含不同比例羟基基团的聚天冬氨酸接枝共聚物,对其阻碳酸钙、磷酸钙和分散氧化铁的性能进行了评定,并与聚天冬氨酸进行比较。结果表明:当羟基与聚琥珀酰亚胺的摩尔比为0.2,药剂质量浓度为8mg/L时,对碳酸钙的阻垢率为100%;当羟基与... 合成了含不同比例羟基基团的聚天冬氨酸接枝共聚物,对其阻碳酸钙、磷酸钙和分散氧化铁的性能进行了评定,并与聚天冬氨酸进行比较。结果表明:当羟基与聚琥珀酰亚胺的摩尔比为0.2,药剂质量浓度为8mg/L时,对碳酸钙的阻垢率为100%;当羟基与聚琥珀酰亚胺的摩尔比为0.8,质量浓度为8mg/L时,对磷酸钙的阻垢率为98.2%;当羟基与聚琥珀酰亚胺的摩尔比为0.8,质量浓度为30mg/L时,分散氧化铁的性能最好。当羟基与聚琥珀酰亚胺的摩尔比为0.8时,聚天冬氨酸接枝共聚物的综合性能最好。 展开更多
关键词 聚天冬氨酸 接枝共聚物 2-氨基乙醇 阻垢分散性
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测试场地对大型圆口径天线增益测量影响的研究 被引量:2
11
作者 秦顺友 陈奇波 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1994年第5期88-93,共6页
本文运用近区功率方程导出了圆口径天线近区增益与测量距离的关系,计算了圆口径改进广义Taylor位移分布和指数型分布的近场增益误差修正的数值结果,阐述了消除地面反射误差的方法,并提出了在斜测试场中减少地面反射误差的一种... 本文运用近区功率方程导出了圆口径天线近区增益与测量距离的关系,计算了圆口径改进广义Taylor位移分布和指数型分布的近场增益误差修正的数值结果,阐述了消除地面反射误差的方法,并提出了在斜测试场中减少地面反射误差的一种简易方法。最后,给出了测试实例,从而验证了理论分析和计算的正确性。 展开更多
关键词 圆口径天线 增益 测量 测试场
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多层封装结构中的电阻计算 被引量:2
12
作者 任怀龙 吴洪江 李松法 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期101-104,共4页
本文介绍了一种结合矩量法的边界元分析法,用于计算多层封装结构中,具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。
关键词 边界元 多层封装结构 电阻 计算
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直流磁控溅射中氩气压力对WSi/GaAs系统的影响 被引量:1
13
作者 宫俊 孙铁囤 +2 位作者 张文敏 周南生 马振昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期35-38,共4页
以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,研究了在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi薄膜及WSi/GaAs系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;... 以WSi复合材料作为靶源,采用直流磁控溅射工艺成膜,研究了在不同氩气(载能粒子)压力条件下,800℃、17min退火前后WSi薄膜及WSi/GaAs系统的性能。包括用显微照像观察不同氩气压力下淀积膜退火前后表面变化;SEM分析系统断面、AES分析膜层与GaAs衬底的界面情况;并通过肖特基二极管I-V特性的测量研究其整流特性。实验结果表明,在1.3~1.6pa氩气压力下淀积的WSi膜层与GaAs衬底所构成的系统具有良好的物理、化学和电学性能,能够满足自对准GaAsMESFET的工艺要求。 展开更多
关键词 溅射 硅化钨薄膜 氩气压力 直流磁控溅射
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抛物环面天线交叉极化特性的研究 被引量:1
14
作者 杜彪 杨可忠 钟顺时 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期12-16,共5页
本文利用物理光学法导出了抛物环面天线的交叉极化辐射场公式,并用其对该天线的交叉极化特性进行了深入的研究,得出了一些有意义的结论和数值结果,为这种天线实现低交叉极化性能奠定了理论基础。
关键词 单偏置天线 抛物环面天线 交叉极化
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GaAs经硫和硒钝化处理后的光致发光 被引量:2
15
作者 邢东 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期44-46,共3页
研究了用Na_2S·9H_2O,(NH_4)_2S_x和Se钝化的GaAs的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后,我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析... 研究了用Na_2S·9H_2O,(NH_4)_2S_x和Se钝化的GaAs的光致发光。这种钝化是经湿法化学处理来进行的。硫和硒处理后,我们观察到光致发光强左有明显的增强。同时我们也比较了三种钝化方法的效果。经分析认为,这种增强是由于表面复合中心密度的减小而造成的。 展开更多
关键词 钝化处理 GAAS 光致发光 表面处理
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频谱仪测量低电平的精度研究 被引量:3
16
作者 秦顺友 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期108-111,共4页
本文利用正弦信号加高斯噪声的包络概率密度函数,导出了频谱仪测量低电平的修正因子计算公式.给出了数值修正曲线,并用实验结果验证了理论计算的正确性.
关键词 频谱仪 低电平测量
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微波功率器件及其电路 被引量:2
17
作者 党冀萍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期17-20,48,共5页
简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状,分析了在微波功率方面与国外的差距,并指出了造成目前差距的原因所在,对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。
关键词 微波功率器件 电路
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C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术 被引量:5
18
作者 徐立生 何建华 +1 位作者 苏文华 齐俊臣 《半导体情报》 1995年第1期24-29,60,共7页
叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验,利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置V_(DS)=8V,I_(DS)=375mA,沟道温度Tch=11... 叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验,利用该方法对C波段GaAs功率场效应晶体管DX0011进行可靠性评估。在偏置V_(DS)=8V,I_(DS)=375mA,沟道温度Tch=110℃,10年的失效率λ≈27FIT。其主要失效模式是I_(DSS)退化,激活能E=1.28eV。 展开更多
关键词 微波功率场效应晶体管 加速寿命试验 可靠性 C波段 砷化镓
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C^3I系统仿真技术研究 被引量:1
19
作者 秦彦波 《火力与指挥控制》 CSCD 北大核心 1995年第2期53-56,共4页
针对C ̄3I系统仿真基本技术特点,文章重点对C ̄3I仿真程序基本结构、通用GPSS-F仿其语言编程特点及存在问题进行了研究。对C ̄3I系统仿真设计与实现有参考价值。
关键词 C^3I系统 仿真 人机系统 军事
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GaAs-InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
20
作者 陈松岩 李玉东 +3 位作者 王本忠 张玉贤 刘式墉 刘悦 《高技术通讯》 CAS CSCD 1995年第3期1-3,共3页
提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)晶面衍射半峰高宽(FWHM)低至140arcsec。并制... 提出了一种新的生长过渡层的方法,并利用低压金属有机气相外延技术在InP衬底上生长出高质量GaAs外延材料,用X射线双晶衍射测得5μm厚GaAs外延层的(004)晶面衍射半峰高宽(FWHM)低至140arcsec。并制出GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导为100ms/mm,可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。 展开更多
关键词 复合材料 金属半导体 场效应 晶体管 外延生长
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