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离子束刻蚀
被引量：
12
1
作者
赵丽华
周名辉
+3 位作者
王书明
李锦标
霍彩虹
周晓黎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期39-42,共4页
介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ２束流密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的...
介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ２束流密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果，对有关问题进行了讨论。
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关键词
离子束刻蚀
干法刻蚀
半导体器件
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职称材料
多层封装结构中的电阻计算
被引量：
2
2
作者
任怀龙
吴洪江
李松法
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期101-104,共4页
本文介绍了一种结合矩量法的边界元分析法，用于计算多层封装结构中，具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。
关键词
边界元
多层封装结构
电阻
计算
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职称材料
微机械微米／纳米加工技术现状
被引量：
1
3
作者
李拴庆
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第S1期45-49,共5页
本文简要介绍了微机电系统制作用的基本腐蚀技术，包括各向同性腐蚀，各向异性腐蚀、牺牲层腐蚀、干法腐蚀、ＨＦ阳极腐蚀等。重点介绍了为制作三维微结构而开发出的ＬＩＧＡ工艺、磁控反应离子腐蚀、深冷干法腐蚀、干法分离、ＩＨ工艺...
本文简要介绍了微机电系统制作用的基本腐蚀技术，包括各向同性腐蚀，各向异性腐蚀、牺牲层腐蚀、干法腐蚀、ＨＦ阳极腐蚀等。重点介绍了为制作三维微结构而开发出的ＬＩＧＡ工艺、磁控反应离子腐蚀、深冷干法腐蚀、干法分离、ＩＨ工艺和ＳＣＲＥＡＭＩ等三维加工技术。最后给出了个别加工、键合及ＭＥＭＣＡＤ等不可缺少的微机械微米／纳米加工技术。
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关键词
微机电系统
表面微机械加工
反应离子腐蚀
各向异性腐蚀
纳米加工
各向同性腐蚀
牺牲层
加工技术
腐蚀技术
腐蚀速率
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职称材料
大信号参数测试仪设计技术
4
作者
郭炳辉
王毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期54-57,共4页
通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪的硬件、软件设计和实际...
通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪的硬件、软件设计和实际使用效果。
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关键词
大信号参数
砷化镓
FET
PHEMT
测试仪
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职称材料
C波段高增益微封装GaAs功率放大器
5
作者
李增路
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期23-26,共4页
介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０～６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ＞３６ｄＢｍ，Ｇｐ＞４０ｄＢ，ηａｄｄ＞３３％。
关键词
高增益
微封装
功率放大器
砷化镓
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职称材料
题名
离子束刻蚀
被引量：
12
1
作者
赵丽华
周名辉
王书明
李锦标
霍彩虹
周晓黎
机构
电子部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第1期39-42,共4页
文摘
介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ２束流密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果，对有关问题进行了讨论。
关键词
离子束刻蚀
干法刻蚀
半导体器件
Keywords
Ion beam Etching Rate
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多层封装结构中的电阻计算
被引量：
2
2
作者
任怀龙
吴洪江
李松法
机构
石家庄
电子部第十三研究所
十室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期101-104,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文介绍了一种结合矩量法的边界元分析法，用于计算多层封装结构中，具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。
关键词
边界元
多层封装结构
电阻
计算
Keywords
Boundary element, Moment method,Multiport,Interior apertures and exterior boundary
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
TN711.02 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
微机械微米／纳米加工技术现状
被引量：
1
3
作者
李拴庆
机构
电子部第十三研究所
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第S1期45-49,共5页
文摘
本文简要介绍了微机电系统制作用的基本腐蚀技术，包括各向同性腐蚀，各向异性腐蚀、牺牲层腐蚀、干法腐蚀、ＨＦ阳极腐蚀等。重点介绍了为制作三维微结构而开发出的ＬＩＧＡ工艺、磁控反应离子腐蚀、深冷干法腐蚀、干法分离、ＩＨ工艺和ＳＣＲＥＡＭＩ等三维加工技术。最后给出了个别加工、键合及ＭＥＭＣＡＤ等不可缺少的微机械微米／纳米加工技术。
关键词
微机电系统
表面微机械加工
反应离子腐蚀
各向异性腐蚀
纳米加工
各向同性腐蚀
牺牲层
加工技术
腐蚀技术
腐蚀速率
分类号
TH704 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
大信号参数测试仪设计技术
4
作者
郭炳辉
王毅
机构
电子部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期54-57,共4页
文摘
通过计算机产生一定脉冲重复频率的窄脉冲来测试ＧａＡｓＦＥＴ或ＰＨＥＭＴ的Ｉ－Ｖ特性，能大大克服器件在直流状态下的热效应和电子陷阱效应，对器件大信号建模和器件机理分析具有重要意义，着重论述了测试仪的硬件、软件设计和实际使用效果。
关键词
大信号参数
砷化镓
FET
PHEMT
测试仪
Keywords
I V Characteristics Large signal parameter Narrow pulse Opera ting interface
分类号
TN325.307 [电子电信—物理电子学]
TN386.07 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
C波段高增益微封装GaAs功率放大器
5
作者
李增路
机构
电子部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期23-26,共4页
文摘
介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０～６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ＞３６ｄＢｍ，Ｇｐ＞４０ｄＢ，ηａｄｄ＞３３％。
关键词
高增益
微封装
功率放大器
砷化镓
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子束刻蚀
赵丽华
周名辉
王书明
李锦标
霍彩虹
周晓黎
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999
12
在线阅读
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职称材料
2
多层封装结构中的电阻计算
任怀龙
吴洪江
李松法
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
微机械微米／纳米加工技术现状
李拴庆
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
4
大信号参数测试仪设计技术
郭炳辉
王毅
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
C波段高增益微封装GaAs功率放大器
李增路
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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