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热烈祝贺机电部沈阳仪器仪表工艺研究所建所三十周年
1
作者 黄缉熙 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1991年第2期3-5,共3页
关键词 仪器仪表 工艺 微细加工
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激光焊接微薄仪表零件工艺技术的研究
2
作者 蔡万涛 左景林 +1 位作者 刘广军 付世平 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1992年第4期16-18,共3页
本文介绍了用激光焊接微薄仪表零件工艺中的有关问题,如实验装置、工艺参数分析、金相组织及机械强度分析等。
关键词 仪表零件 激光焊接 工艺
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扩散硅压力传感器结构设计及封装工艺研究 被引量：8
3
作者 刘沁 吕忠钢 陈艳文 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1996年第10期18-19,共2页
本文比较详细地探讨了现今应用很广的几种扩散硅压力传感器的结构及封装工艺,提出了全固态隔离膜片结构的基本封装形式,并对传感器结构设计和封装时必须注意的问题和基本参数进行了探讨。
关键词 扩散硅 压力传感器 传感器
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直接淀积式Ge—Au薄膜应变计的工艺研究 被引量：1
4
作者 李昕欣 陈跃 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1992年第3期28-30,共3页
直淀式Ge—Au薄膜应变计全部采用平面工艺,应变电阻和内引线全部薄膜化。通过对Ge、Au双源淀积应变电阻工艺的研究,使得灵敏系数K达到25以上,电阻温度系数α低于±2×10^(-4)/℃。同时消除了应变胶的蠕变效应,提高了传感器的精... 直淀式Ge—Au薄膜应变计全部采用平面工艺,应变电阻和内引线全部薄膜化。通过对Ge、Au双源淀积应变电阻工艺的研究,使得灵敏系数K达到25以上,电阻温度系数α低于±2×10^(-4)/℃。同时消除了应变胶的蠕变效应,提高了传感器的精度和可靠性。 展开更多
关键词 应变计 薄膜 工艺 无胶应用
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EI型扩散硅力敏器件工艺技术研究 被引量：1
5
作者 李妍君 乔文华 吴丁民 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1995年第1期17-19,共3页
本文叙述的EI型扩散硅力敏器件为工业变送器配套使用的微差压传感器,其压力量程为0.6kPa,线性优于0.5％。该器件填补国内空白,器件性能指标达到国际80年代中期同类产品先进水平。
关键词 扩散硅 力敏器件 工艺 压差传感器 变送器
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铜合金弹性元件无铬钝化新工艺的研究
6
作者 邱广涛 王幼学 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1991年第1期19-21,共3页
本文主要研究了铜合金弹性元件无铬钝化工艺,结果表明,无铬钝化新工艺提高了铜合金的耐蚀性,并消除了铬酸污染。在导电性、可焊性方面也满足了弹性元件及电气元件的要求。
关键词 铜合金 弹性元件 无铬钝化 工艺
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InSb薄膜制备工艺技术研究 被引量：2
7
作者 刘佩瑶 于成民 王晓雯 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1996年第2期18-21,共4页
本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.
关键词 薄膜 磁敏元件 制备工艺
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InSb 薄膜磨抛工艺技术的研究 被引量：1
8
作者 孔海霞 于成民 +1 位作者 孙仁涛 刘佩瑶 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1998年第10期13-15,共3页
】在ＩｎＳｂ薄膜制备过程中，用机械磨抛的方法，探索了Ｉｎ２Ｏ３氧化膜的去除和ＩｎＳｂ敏感膜层的减薄、抛光等技术问题，从而提出一种新型磨抛工艺。文章介绍了该工艺的基本原理及不同工艺规范的磨抛结果。
关键词 INSB薄膜 磨抛工艺 补偿技术 传感器
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油脂化工厂蒸发器的高压水射流清洗工艺研究 被引量：5
9
作者 吕文柱 曾艳丽 +2 位作者 惠敬儒 常彦辉 赵淑红 《中国油脂》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期20-21,共2页
油脂厂蒸发器钢管内壁垢层的清洗一直是设备检修中的难题，为了缩短检修时间、增加开工时间，不得不降低检修标准，既影响了生产、降低了设备功效，其隐性损失又是不可忽视的。对传统的清洗工艺进行了分析，阐述了高压水射流清洗技术的... 油脂厂蒸发器钢管内壁垢层的清洗一直是设备检修中的难题，为了缩短检修时间、增加开工时间，不得不降低检修标准，既影响了生产、降低了设备功效，其隐性损失又是不可忽视的。对传统的清洗工艺进行了分析，阐述了高压水射流清洗技术的特点，通过现场清洗试验，取得了可靠的试验数据，得出了高压水射流清洗技术适用于油脂厂蒸发器清洗的结论。 展开更多
关键词 高压水射流 清洗 蒸发器 除垢 油脂化工厂
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超薄波纹管焊接工艺的研究 被引量：1
10
作者 李松 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1989年第4期7-11,共5页
本文介绍了由0.1mm厚的膜片焊接组成的焊接波纹管的焊接工艺问题,其中包括微束脉冲等离子焊机的原理、焊前处理工艺、工装夹具、影响焊接质量的因素,经过试验研究所得到的最佳工艺参数及检验方法等。
关键词 波纹管 焊接工艺 敏感元件 仪表
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智能测控仪表的研究 被引量：1
11
作者 马天程 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1997年第12期23-24,28,共3页
本文重点介绍以ＭＩＣＲＯＣＨＩＰ公司的ＰＩＣ１６Ｃ７１单片机为核心的智能测控仪表的研究。其中包括硬件和软件的结构设计。
关键词 单片机 智能测控仪表 工业控制
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He—Ne激光器硬封工艺的研究
12
作者 汪德涛 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1992年第6期13-15,共3页
从激光管结构、封接材料、实验等方面介绍用低熔点玻璃封接可调内腔式He—Ne激光管的工艺、实验及结果。这种激光管的特点是连续工作寿命长,可获得最佳输出功率。
关键词 激光器 氦氖激光器 密封
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OEM硅压力传感器温度补偿技术研究 被引量：7
13
作者 彭春文 朱红杰 +2 位作者 付世平 刘宏伟 徐淑霞 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第7期9-11,共3页
OEM硅压力传感器除具有普通扩散硅压力传感器的灵敏度高、稳定性好等优点外 ,还具有体积小、价格低廉 ,易于批量生产等特点 ,成为市场的主导产品。文中对多种OEM硅压力传感器的温度特性曲线及其补偿电路进行测试、比较、分析 ,对传感器... OEM硅压力传感器除具有普通扩散硅压力传感器的灵敏度高、稳定性好等优点外 ,还具有体积小、价格低廉 ,易于批量生产等特点 ,成为市场的主导产品。文中对多种OEM硅压力传感器的温度特性曲线及其补偿电路进行测试、比较、分析 ,对传感器温度曲线可补偿性进行研究 ,实现了低温度系数厚膜网络温度补偿。 展开更多
关键词 硅压力传感器 温度补偿 温度漂移
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湿敏共聚物的制备及其敏感元件的电特性研究 被引量：2
14
作者 张彤 孙良彦 +4 位作者 徐宝琨 金玲玲 任辉 林洪 郝永德 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2000年第8期13-15,共3页
利用接枝共聚反应合成了对湿度敏感的高分子材料 ,基于该共聚物制成的电阻式湿度传感器在全湿量程范围内 ,阻抗值变化了 3个数量级 ,响应时间小于 5s .对元件的湿敏特性、电压特性、频率特性、温度特性以及交流特性进行了测试 ,对其敏... 利用接枝共聚反应合成了对湿度敏感的高分子材料 ,基于该共聚物制成的电阻式湿度传感器在全湿量程范围内 ,阻抗值变化了 3个数量级 ,响应时间小于 5s .对元件的湿敏特性、电压特性、频率特性、温度特性以及交流特性进行了测试 ,对其敏感机理进行了分析。 展开更多
关键词 复阻抗 湿敏共聚物 制备 敏感元件 电特性
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双霍尔元件磁敏电流传感器的研究 被引量：2
15
作者 于成民 曾永宁 +3 位作者 孙仁涛 冯桂华 刘佩瑶 关杰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1992年第5期8-11,共4页
采用双元件双气隙的方法制做的电流传感器大幅度降低了传感器的非线性度和位置误差,提高了传感器的抗干扰能力与量程范围。本文还建立了双元件电流传感器输出霍尔电压的理论计算模型。
关键词 霍尔器件 电流传感器 研究
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硅压阻传感器稳定性品质的研究 被引量：6
16
作者 陈信琦 季安 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1999年第8期1-2,29,共3页
根据多年研制硅压阻传感器的经验，定性地归纳和探讨硅压阻传感器稳定性的主要影响因素，并提出相应的预防和解决措施。
关键词 硅压阻传感器 稳定性 传感器
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高精度硅电容压力传感器的研究 被引量：1
17
作者 李昕欣 张纯棣 +2 位作者 庞世信 鲍敏杭 杨恒 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1996年第10期7-10,共4页
本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。
关键词 电容 压力传感器 传感器 硅电容
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智能磁敏电阻转速仪研究 被引量：1
18
作者 姜翌 孙承松 +1 位作者 李伟 关杰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1999年第7期13-15,共3页
介绍一种智能化小型转速仪，分析了它的工作方式、电路结构和误差。转速传感器选用金属强磁体磁阻元件制成。
关键词 磁阻元件 传感器 智能仪表 转速仪
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扩散硅力敏传感器平面工艺CAD——制作扩散电阻的工艺参数设计 被引量：1
19
作者 匡石 张治国 唐慧 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1999年第12期14-17,共4页
扩散硅力敏传感器ＣＡＤ 的技术包括３ 大部分：传感器平面工艺ＣＡＤ；传感器芯片结构ＣＡＤ；传感器结构ＣＡＤ．平面工艺ＣＡＤ 是根据半导体技术的理论，将氧化、注入、退火、再扩、腐蚀、淀积等工艺的物理模型用数学语言建立起数... 扩散硅力敏传感器ＣＡＤ 的技术包括３ 大部分：传感器平面工艺ＣＡＤ；传感器芯片结构ＣＡＤ；传感器结构ＣＡＤ．平面工艺ＣＡＤ 是根据半导体技术的理论，将氧化、注入、退火、再扩、腐蚀、淀积等工艺的物理模型用数学语言建立起数学模型，再利用计算机进行数值计算，使传感器芯片平面工艺流程的实验过程移植到计算机上进行，通过对工艺参数仿真计算，实现了传感器平面工艺的ＣＡＤ技术。制作传感器扩散电阻需要多个平面工艺步骤，每个工艺步骤都需要确定几个工艺参数，而任意一个工艺参数的变化都将对器件的最终特性有影响。因此在设计传感器时，平面工艺的ＣＡＤ技术将起到重要作用。扩散硅力敏传感器平面工艺ＣＡＤ是基于ＩＣＥＣＲＥＭ 软件进行的。 展开更多
关键词 扩散电阻 CAD 力敏传感器 扩散硅 传感器
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二极管交流桥式硅电容压力传感器接口电路的研究 被引量：1
20
作者 李昕欣 朱海军 杨恒 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1994年第4期10-13,共4页
通过对多种电容传感器接口电路的列举和特性的比较,选取4个二极管交流桥式接口形式。分别通过解析计算及利用SPICE程序进行计算机模拟,对电路的特性进行了详细的分析。最后介绍了利用Diode-Quad电路进行传感器接口电路构成的实验。
关键词 硅电容 压力传感器 接口电路
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