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纳米CeO_2磨料对GaAs晶片的CMP性能研究被引量：14: 1; 作者陈杨李霞章陈志刚《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期253-256,267,共5页; 通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨。结果表明,使用超细C... 展开更多; 关键词 CeO2磨料 GAAS晶片抛光; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅晶片化学机械抛光中的化学作用机理被引量：12: 2; 作者陈志刚陈杨陈爱莲《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期112-114,126,共4页; 通过分析硅晶片化学机械抛光过程中软质层的形成及其对材料去除过程的影响,研究了使用纳米CeO2磨料进行化学机械抛光中的化学作用机理。分析表明,软质层是抛光液与硅晶片反应形成的一层覆盖在硅基体表面的腐蚀层,其硬度比基材小,厚度大... 展开更多; 关键词化学机械抛光软质层化学作用; 在线阅读下载PDF 职称材料

硅烷接枝聚乙烯的表征被引量：5: 3; 作者龚方红蒋必彪 +3 位作者刘春林汪信陆路德杨绪杰《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期173-176,共4页; 采用红外光谱（IR）测定了乙烯基三甲氧基硅烷（A171）接枝聚乙烯的硅烷特征吸收峰的吸光比，使用电感藕合等离子发射光谱仪（ICP—AES）测得硅炕接枝LLDPE、LDPE和HDPE的接枝率分别为0．671％～0．988％、0．349％～0．972％和0．254％... 展开更多; 关键词聚乙烯硅烷接枝电感藕合等离子发射光谱仪; 在线阅读下载PDF 职称材料

纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究被引量：2: 4; 作者陈杨李霞章 +1 位作者陈志刚陈爱莲《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期555-559,共5页; 通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体,研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果,并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度。结果表明,使用纳米CeO2磨料抛光后的表面具有最低的表面... 展开更多; 关键词纳米磨料抛光硬度粗糙度; 在线阅读下载PDF 职称材料

磺酸甜菜碱共聚物水溶液的黏度性质被引量：1: 5; 作者孔立智任涛 +2 位作者黄佳黎芦鹏飞翟光群《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期65-68,共4页; 通过自由基聚合制备了N,N-二甲基-N-甲基丙烯酰氧乙基-N-丁基磺酸铵(DMABS)及其与丙烯酸钠(NaAAc)、对乙烯基苯磺酸钠(NaSS)的均/共聚物。探讨了共聚物溶液的黏度行为随单体组成、聚合物浓度、离子强度与离子种类的变化关系,发现少量阴... 展开更多; 关键词聚电解质磺酸甜菜碱阴离子单体溶液性质特性黏数; 在线阅读下载PDF 职称材料

聚乙烯蜡的羧基化及其应用被引量：3: 6; 作者龚方红徐建平 +1 位作者殷大斌汪信《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期18-22,共5页; 研究了聚乙烯蜡（PEW）与马来酸酐（MAH）熔融接枝反应，在PEW分子链上引入了极性基团。采用红外光谱（IR）和核磁共振谱（NMR）表征了接枝物的结构，采用滴定法测得接枝物的酸值在25～60mgKOH／g之间。研究了接枝单体MAH、引发剂过氧... 展开更多; 关键词聚乙烯蜡马来酸酐接枝偶联剂; 在线阅读下载PDF 职称材料

乙烯基硅烷在聚乙烯中的传输行为被引量：1: 7; 作者龚方红林明德 +2 位作者汪信陆路德杨绪杰《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1277-1280,共4页; 采用浸泡称重法得到了 3种硅烷 (A171,A172 ,A15 1)在LDPE、LLDPE、HDPE塑料试片中的渗透量随时间变化的关系 ,测得了不同温度下的扩散系数 ;采用有限差分计算方法 ,计算机模拟上述体系的物质传输过程 ,计算得到的 3种硅烷在 3种塑料片... 展开更多; 关键词聚乙烯乙烯基硅烷扩散系数有限差分法; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米CeO_2磨料对GaAs晶片的CMP性能研究被引量：14: 1; 作者陈杨李霞章陈志刚; 机构江苏工业学院材料系江苏大学材料学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期253-256,267,共5页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK2002010) 江苏省高技术项目(BG2004022); 文摘通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨。结果表明,使用超细CeO2磨料最终在1μm×1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra值为0.740nm的超光滑表面,而且抛光后表面的微观起伏更趋于平缓。实验证明,超细CeO2磨料对GaAs晶片具有良好的抛光效果。; 关键词 CeO2磨料 GAAS晶片抛光; Keywords cerium dioxide abrasive GaAs wafer polishing; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅晶片化学机械抛光中的化学作用机理被引量：12: 2; 作者陈志刚陈杨陈爱莲; 机构江苏工业学院材料系江苏工业学院机械系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期112-114,126,共4页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK2002010)江苏省高技术项目(BG2004022); 文摘通过分析硅晶片化学机械抛光过程中软质层的形成及其对材料去除过程的影响,研究了使用纳米CeO2磨料进行化学机械抛光中的化学作用机理。分析表明,软质层是抛光液与硅晶片反应形成的一层覆盖在硅基体表面的腐蚀层,其硬度比基材小,厚度大约在几个纳米。软质层的存在一方面增大单个磨料所去除材料的体积,增加材料去除速率;另一方面减小了磨料嵌入硅晶片基体的深度,这对于实现塑性磨削,降低抛光表面粗糙度,都起着重要的作用。; 关键词化学机械抛光软质层化学作用; Keywords CMP soft layer chemical effect; 分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅烷接枝聚乙烯的表征被引量：5: 3; 作者龚方红蒋必彪刘春林汪信陆路德杨绪杰; 机构南京理工大学化工学院江苏工业学院材料工程系; 出处《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期173-176,共4页; 基金江苏省自然科学基金资助(BK2002100) 江苏省高校自然科学基金资助项目(05KJB430024); 文摘采用红外光谱（IR）测定了乙烯基三甲氧基硅烷（A171）接枝聚乙烯的硅烷特征吸收峰的吸光比，使用电感藕合等离子发射光谱仪（ICP—AES）测得硅炕接枝LLDPE、LDPE和HDPE的接枝率分别为0．671％～0．988％、0．349％～0．972％和0．254％～0．750％．与IR谱图结合，得到了吸光比与接枝率的标准工作曲线；采用核磁共振仪（NMR）测定了硅烷接技聚乙烯的^1H和^13C谱图，测算了接枝率和结构变化．验证了IR和ICP—AES的结果。; 关键词聚乙烯硅烷接枝电感藕合等离子发射光谱仪; Keywords polyethylenc vinyl silane grafting ICP-AES; 分类号 TQ325.12 [化学工程—合成树脂塑料工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究被引量：2: 4; 作者陈杨李霞章陈志刚陈爱莲; 机构江苏工业学院材料系江苏大学材料学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期555-559,共5页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK2002010) 江苏省高新技术项目(BG2004022); 文摘通过均相沉淀法制备了纳米CeO2和Al2O3粉体,研究了在相同抛光条件下纳米CeO2、SiO2和Al2O3磨料对GaAs晶片的抛光效果,并用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌并测量表面粗糙度。结果表明,使用纳米CeO2磨料抛光后的表面具有最低的表面粗糙度,在1μm×1μm范围内表面粗糙度Ra值为0.740nm,而且表面的微观起伏更趋于平缓。文中还探讨了GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理,考虑了纳米磨料在抛光条件下所发生的自身变形,并分析了纳米磨料硬度对抛光表面粗糙度的影响,初步解释了在相同的抛光条件下不同硬度的纳米磨料为什么具有不同的抛光表面粗糙度。; 关键词纳米磨料抛光硬度粗糙度; Keywords nano-sized abrasives polishing hardness roughness; 分类号 TG356.28 [金属学及工艺—金属压力加工]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名磺酸甜菜碱共聚物水溶液的黏度性质被引量：1: 5; 作者孔立智任涛黄佳黎芦鹏飞翟光群; 机构江苏工业学院材料系; 出处《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期65-68,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(20674033) 江苏省自然科学基金资助项目(BK2008142) 教育部留学回国人员科研启动基金; 文摘通过自由基聚合制备了N,N-二甲基-N-甲基丙烯酰氧乙基-N-丁基磺酸铵(DMABS)及其与丙烯酸钠(NaAAc)、对乙烯基苯磺酸钠(NaSS)的均/共聚物。探讨了共聚物溶液的黏度行为随单体组成、聚合物浓度、离子强度与离子种类的变化关系,发现少量阴离子单体的引入可显著提高共聚物在水溶液中的比浓黏度;对于阴离子单体含量较低的共聚物,共聚物水溶液的特性黏数随着离子强度的增加而逐渐上升;而对于阴离子单体含量较高的共聚物,特性黏数随着离子强度的增加而迅速下降。; 关键词聚电解质磺酸甜菜碱阴离子单体溶液性质特性黏数; Keywords polyelectrolyte sulfobetaine anionic monomer solution property intrinsic viscosity; 分类号 O631.4 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名聚乙烯蜡的羧基化及其应用被引量：3: 6; 作者龚方红徐建平殷大斌汪信; 机构南京理工大学化工学院江苏工业学院材料工程系扬子石化公司塑料厂; 出处《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期18-22,共5页; 基金江苏省自然科学基金资助项目(BK2002100) 江苏省高校自然科学基金资助项目(05KJB430024)。; 文摘研究了聚乙烯蜡（PEW）与马来酸酐（MAH）熔融接枝反应，在PEW分子链上引入了极性基团。采用红外光谱（IR）和核磁共振谱（NMR）表征了接枝物的结构，采用滴定法测得接枝物的酸值在25～60mgKOH／g之间。研究了接枝单体MAH、引发剂过氧化二异丙苯（DCP）和抗氧剂1010用量对接枝物酸值的影响。结果表明，当反应温度为140℃，MAH、DCP和抗氧剂1010用量分别为10．71％，1．96％，0．40％时，接枝产物的综合性能较好。接枝产物制成的填充母料应用于LDPE／CaCO3体系，可以起到较好的偶联作用，改善填充体系的力学性质。; 关键词聚乙烯蜡马来酸酐接枝偶联剂; Keywords polyethylene wax maleic anhydride grafting coupling agent; 分类号 TQ311 [化学工程—高聚物工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名乙烯基硅烷在聚乙烯中的传输行为被引量：1: 7; 作者龚方红林明德汪信陆路德杨绪杰; 机构南京理工大学江苏工业学院材料工程系; 出处《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1277-1280,共4页; 基金江苏工业学院青年科技基金资助项目 ( 2 0 0 188); 文摘采用浸泡称重法得到了 3种硅烷 (A171,A172 ,A15 1)在LDPE、LLDPE、HDPE塑料试片中的渗透量随时间变化的关系 ,测得了不同温度下的扩散系数 ;采用有限差分计算方法 ,计算机模拟上述体系的物质传输过程 ,计算得到的 3种硅烷在 3种塑料片中的扩散系数。根据Arrhenius方程求得A171在HDPE、LDPE、LLDPE中的扩散活化能分别为 38 2、2 4 0和 2 2 0kJ。; 关键词聚乙烯乙烯基硅烷扩散系数有限差分法; Keywords polyethylene,vinyl silane,diffusion coefficient,finite differences; 分类号 O631 [理学—高分子化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	纳米CeO_2磨料对GaAs晶片的CMP性能研究	陈杨李霞章陈志刚	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	14	在线阅读下载PDF 职称材料
2	硅晶片化学机械抛光中的化学作用机理	陈志刚陈杨陈爱莲	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	12	在线阅读下载PDF 职称材料
3	硅烷接枝聚乙烯的表征	龚方红蒋必彪刘春林汪信陆路德杨绪杰	《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	纳米磨料对GaAs晶片的抛光研究	陈杨李霞章陈志刚陈爱莲	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	磺酸甜菜碱共聚物水溶液的黏度性质	孔立智任涛黄佳黎芦鹏飞翟光群	《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	聚乙烯蜡的羧基化及其应用	龚方红徐建平殷大斌汪信	《石油炼制与化工》 CAS CSCD 北大核心	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
7	乙烯基硅烷在聚乙烯中的传输行为	龚方红林明德汪信陆路德杨绪杰	《应用化学》 CAS CSCD 北大核心	2004	1	在线阅读下载PDF 职称材料