摘要
通过均相沉淀法制备了不同粒径的CeO2超细粉体,并配制成不同氧化剂浓度和pH值的抛光液对GaAs晶片进行化学机械抛光。研究了不同粒径CeO2磨料对GaAs晶片的抛光效果,并对GaAs晶片化学机械抛光材料去除机理进行了探讨。结果表明,使用超细CeO2磨料最终在1μm×1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra值为0.740nm的超光滑表面,而且抛光后表面的微观起伏更趋于平缓。实验证明,超细CeO2磨料对GaAs晶片具有良好的抛光效果。
Ultra fine powders of cerium dioxide with different sizes were prepared via homogenous precipitation and were collocated into polishing slurry with different concentration of H2O2 and pH value for chemical-mechanical polishing of GaAs wafer. The polishing effect of different granularity cerium dioxide was studied, and the material removal mechanism in CMP of GaAs wafer was also studied. At last a super smooth surface with a roughness of 0.740nm was obtained within 1 μ m × 1μ m and its surface undulation was smaller.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期253-256,267,共5页
Semiconductor Technology
基金
江苏省自然科学基金资助项目(BK2002010)
江苏省高技术项目(BG2004022)
作者简介
陈杨（1978-），男，安徽凤阳人，硕士研究生，讲师，主要从事纳米粉体制各，以及超光滑表面抛光研究
陈志刚（1955-），男，教授，博士生导师，主要从事先进陶瓷材料、纳米材料的制备，以及材料摩擦学研究。
