高性能 2.5Gb/s 用的 DFB-LD/EA 单片集成器件

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作者 李同宁 金锦炎 +8 位作者 杨新民 王彩玲 刘涛 黄涛 王任凡 吴又生 罗毅 文国鹏 孙长征 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1998年第11期1-6,共6页

报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比... 报导了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ＠Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ＞３５ｄＢ，调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ。该发射模块在２．５Ｇｂ／ｓＤＷＤＭ系统上进行了传输试验，传输２４０Ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ＠ＢＥＲ＝１０－１２。 展开更多

关键词 调制器 DWDM系统 光纤通信系统 2.5GB/S

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2.5 Gbit/s用DFB-LD/EA单片集成器件

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作者 李同宁 金锦炎 +8 位作者 杨新民 王彩玲 刘涛 黄涛 王任凡 吴又生 罗毅 文国鹏 孙长征 《光通信研究》 北大核心 1999年第3期42-46,54,共6页

本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消... 本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果。出纤功率Ｐｆ≥２．５ｍＷ，Ｉｆ＝７５ｍＡ，边模抑制比ＳＭＳＲ≥３５ｄＢ。调制器反向偏压为２．５Ｖ时的消光比为１４ｄＢ；该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓＤＷＤＭ系统上进行传输试验，传输２４０ｋｍ后无误码，其通道代价≤１ｄＢ，ＢＥＲ＝１０－１２。 展开更多

关键词 集成光学 多量子阱激光器 调制器 DWDM系统

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同轴型光电器件的研究开发

3

作者 邱向东 吴又生 杜普君 《光通信研究》 1994年第1期130-132,共3页

本文简要地介绍了武汉电信器件公司正在研究开发的同轴型光电器件，新的器件的工艺与结构特点以及主要技术指标、使用前景。

关键词 光电器件 同轴型 插拔式 组合透镜

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斜端面光纤耦合效率理论与实验研究 被引量：6

4

作者 谭旭东 任钢 +1 位作者 蔡邦维 乔裔明 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期59-61,89,共4页

应用场耦合方法模拟计算了不同光纤斜端面角度下半导体激光器的耦合效率,并进行了实验测量。结果表明,不同的光纤斜端面角度下,对半导体激光器的耦合效率影响很大,根据不同的芯片参数合理选择不同的斜端面光纤可以得到尽可能高的耦合效率。

关键词 斜端面光纤 半导体激光器 耦合效率 端面反射

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固定波长应变量子阱的设计与比较 被引量：2

5

作者 张哲民 黄德修 李同宁 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第12期1083-1086,共4页

针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使... 针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为ＬＨ，第二子带为ＨＨ，则存在一个最优的阱宽，阱宽太小不能消除ＬＨＩ与ＨＨ２的耦合，阱宽太大又会带来ＬＨ３与ＨＨ２的耦合。 展开更多

关键词 应变量子阱 增益系数 激光器 设计 垒层材料

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两段式DFB半导体激光器波长调谐实验研究 被引量：3

6

作者 罗斌 吕鸿昌 杨新民 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第8期30-32,共3页

采用国产普通折射率耦合型两段式DFB半导体激光器进行了波长调谐实验研究，实验结果表明，通过分别调节激光器两段的工作电流，不仅可以使器件单模工作，而且还能进行波长调谐。波长调谐范围为6．2nm，连续波长调谐范围为0．9nm。

关键词 两段式DFB半导体激光器 波长调谐

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双偏振双波长混合应变量子阱激光器 被引量：1

7

作者 张哲民 金锦炎 +2 位作者 黄格凡 李同宁 黄德修 《光通信研究》 北大核心 1998年第2期46-49,共4页

本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结... 本文报道了以混合应变量子阱结构为有源区的激光器。对有源区分别采用体材料、匹配量子阱、压应变量子阱和混合应变量子阱结构的激光器进行了比较。混合应变量子阱激光器能同时工作于两种偏振模式，而且两种偏振模式的激射波长不同。结合实验结果，我们可以看出在混合应变量子阱结构中，从偏振自发辐射谱峰值波长差不能推断两种量子阱的能带填充效应大小。 展开更多

关键词 半导体激光器 应变量子阱 偏振

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单量子阱激光器的结构设计与分析

8

作者 张哲民 黄德修 李同宁 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1997年第7期43-45,共3页

考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限... 考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限制层厚度的增加，注入到量子阱内的载流子比例减小。小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。采用其它减小价带耦合的方法，如在阱区引入应变，可进一步提高激光器的性能。 展开更多

关键词 量子阱激光器 光学限制因子 载流子

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混合应变多量子阱波导结构设计

9

作者 张哲民 黄德修 李同宁 《光通信研究》 北大核心 1998年第4期52-55,共4页

本文从理论上对混合应变量子阱结构（既有张应变量子阱又有压应变量子阱）的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小，其变化量也不大，对光学限制影响相对小一些。当各层的折射率一定时，对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多，... 本文从理论上对混合应变量子阱结构（既有张应变量子阱又有压应变量子阱）的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小，其变化量也不大，对光学限制影响相对小一些。当各层的折射率一定时，对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多，限制因子与波导层厚度的关系也类似。在最佳波导层厚度附近的区域，ΓＴＭ／ΓＴＥ比值变化对波导层厚比较敏感，这点可以用于偏振无关放大器的设计中，因为我们能够通过调节波导层厚度改变ＴＭ／ＴＥ模式增益比。 展开更多

关键词 量子阱 光学限制因子 光电器件

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（001）和（111）取向的张应变量子阱光学特性的比较

10

作者 张哲民 李同宁 《光子学报》 CSCD 1999年第1期68-71,共4页

以（００１）和（１１１）价ｕｔｔｉｎｇｅｒ－Ｋｏｈｎ哈密顿量为基础，讨论了这两种取向的量子阱的能带结构、态密度（ＤＯＳ）、跃迁阵元和增益特性，由于材料结构的各向异性，（１１１）取向的量子阱在平行生长面内有较小的重空穴... 以（００１）和（１１１）价ｕｔｔｉｎｇｅｒ－Ｋｏｈｎ哈密顿量为基础，讨论了这两种取向的量子阱的能带结构、态密度（ＤＯＳ）、跃迁阵元和增益特性，由于材料结构的各向异性，（１１１）取向的量子阱在平行生长面内有较小的重空穴有效质量，无应变和压类变激光器可以很利用这一点，而（０１）取向的量较小的平面内轻穴有效质量，但并不比（１１１）量子阱的注入下。 展开更多

关键词 应变 量子阱 增益系数 光学特性 取向激光器

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InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定

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作者 王典芬 丁国庆 《光通信研究》 1996年第2期45-51,共7页

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，... 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面。 展开更多

关键词 XPS 带隙 失配率 半导体外延材料 异质结构

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850nm氧化限制型VCSEL研究 被引量：2

12

作者 岳爱文 王任凡 +1 位作者 沈坤 石兢 《光通信研究》 北大核心 2004年第2期36-38,58,共4页

通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器... 通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信. 展开更多

关键词 VCSEL 垂直腔面发射激光器 氧化限制 分布布拉格反射器 光纤通信

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InGaAsP／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹

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作者 丁国庆 孙文华 +1 位作者 魏铭鉴 崔光杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期61-63,66,共4页

讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜厚度的精确性。研究了影响干涉指纹的因素，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。

关键词 异质外延材料 摇摆曲线 干涉指纹 化合物半导体

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40Gb/s光收发模块的技术分析 被引量：4

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作者 胡毅 丁国庆 +2 位作者 邹行川 邓柱彬 邱国燕 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第2期15-18,共4页

分析了开发40Gb/s光收发模块的必然性,探讨了模块的主要技术难点和急需解决的技术问题,提出了 40Gb/s光收发模块的研发初步方案设想,并对模块的研发现状和市场需求作了分析和预测。

关键词 光收发模块 40GB/S 调制方式 噪声 色散 码型 光纤通信

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高可靠大功率1．3μm发光二极管 被引量：2

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作者 吴振英 胡常炎 +2 位作者 刘自力 李蓉萍 吴桐 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1996年第2期121-125,共5页

把１．３μｍ波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验，共测试２４８５００器件小时。该器件在２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激活能Ｅａ＝０．４８ｅＶ；与标准单模光... 把１．３μｍ波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验，共测试２４８５００器件小时。该器件在２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激活能Ｅａ＝０．４８ｅＶ；与标准单模光纤耦合后，在２５℃、１００ｍＡ下的光功率大于３０μＷ，最大可大于５０μＷ。 展开更多

关键词 发光二极管 大功率 可靠性 二极管

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2.5Gbit/s光发射模块消光比与光接收误码特性 被引量：4

16

作者 丁国庆 邓柱斌 《光通信研究》 北大核心 2001年第1期52-55,共4页

改变 2 .5Gbit/s光发射模块消光比 ( EX) ,对作为标准接收用的光接收机灵敏度进行了测试 .实验表明 ,EX小于 9.0时 ,光接收灵敏度较差 ;EX大于 1 5.0时 ,由于眼图中交叉点偏低或光脉冲波形畸变 ,可能导致光接收灵敏度恶化 ;EX在 9.0～ 1... 改变 2 .5Gbit/s光发射模块消光比 ( EX) ,对作为标准接收用的光接收机灵敏度进行了测试 .实验表明 ,EX小于 9.0时 ,光接收灵敏度较差 ;EX大于 1 5.0时 ,由于眼图中交叉点偏低或光脉冲波形畸变 ,可能导致光接收灵敏度恶化 ;EX在 9.0～ 1 2 .0范围时 ,光接收灵敏度最佳 . 展开更多

关键词 消光比 光接收灵敏度 光发射模块 光纤通信 误码

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端镜面镀膜对具有DC－PBH结构的MQW－LD光电性能的影响 被引量：1

17

作者 丁国庆 李明娟 赵俊英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期48-52,共5页

报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长λｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％～９０％），Ｉｔｈ可降低３．８～５．ｌｍＡ，... 报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长λｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％～９０％），Ｉｔｈ可降低３．８～５．ｌｍＡ，λｐ加长４ｎｍ左右；端镜面镀增透膜ＡＲ（反射率Ｒ１＝１０％～１５％），Ｉｔｈ将增加３ｍＡ，波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。 展开更多

关键词 端镜面镀膜 DC-PBH MQW-LD 半导体器件 制造工艺

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光通信用高速长波长APD结构优化与最佳光倍增 被引量：2

18

作者 丁国庆 《光通信研究》 北大核心 2000年第5期43-49,共7页

分析、比较了几种台面和平面长波长 APD在结构、技术指标和可靠性等方面的优缺点 ;指出了长波长 APD的一些物理限制和目前工艺水平下的择优结构 ;从实践和理论上讨论了 APD的最大倍增和最佳光接收机灵敏度 .

关键词 SAGM-APD 光倍增 光通信 光接收机 结构优化

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InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD室温下静态光电特性的研究 被引量：1

19

作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期38-43,共6页

本文介绍了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD在室温下的静态光电特性,报道了I_d-V、I_p-V、M_p-V及过剩噪声系数F的测量结果,指出了该器件‘光死区’电压范围和最大光倍增因子M_p的范围,给出了估算(0.8～0.98)V_B偏压范围内修正后的M_p经验... 本文介绍了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD在室温下的静态光电特性,报道了I_d-V、I_p-V、M_p-V及过剩噪声系数F的测量结果,指出了该器件‘光死区’电压范围和最大光倍增因子M_p的范围,给出了估算(0.8～0.98)V_B偏压范围内修正后的M_p经验公式。 展开更多

关键词 光电特性 半导体

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10G APD组件的跨阻增益带宽和接收灵敏度 被引量：1

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作者 胡长飞 丁国庆 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2009年第6期34-37,共4页

报告了几个10Gb/sAPD-TIA组件的光接收灵敏度、眼图和小信号带宽测试结果,讨论了组件跨阻增益-带宽特性和获得最佳灵敏度的方法,指出了10Gb/s信号最低带宽要求和APD-TIA组件带宽要求。

关键词 最佳光接收灵敏度 跨阻增益带宽乘积 光接收眼图 小信号带宽(S21)

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