光学仿真算法的CAD系统实现

1

作者 刘剑 孙玲玲 +1 位作者 卢山鹰 周磊 《机电工程》 CAS 2009年第4期59-62,共4页

随着光电子集成和各种平面波导器件的集成度、复杂度越来越高以及光器件的结构越来越精密,用解析的方法对器件进行分析和设计已经无法实现。为实现光学器件的良好设计,以有限差分光束传播法(FD-BPM)为仿真算法开发了光学芯片仿真软件,... 随着光电子集成和各种平面波导器件的集成度、复杂度越来越高以及光器件的结构越来越精密,用解析的方法对器件进行分析和设计已经无法实现。为实现光学器件的良好设计,以有限差分光束传播法(FD-BPM)为仿真算法开发了光学芯片仿真软件,实现了光波导器件的模拟仿真。由该仿真结果与Matlab仿真结果的对比可知,该仿真软件能达到显示波导状态的基本要求。 展开更多

关键词 有限差分光束传播法 光学仿真 折射率分布

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倾斜梳齿的MEMS电容式传感器惯性脉冲响应特性研究 被引量：12

2

作者 董林玺 颜海霞 +1 位作者 钱忺 孙玲玲 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1035-1040,共6页

DRIE(Deep Reactive Ion Etching)工艺加工的高深宽比梳齿电容不能保证绝对平行.本文在考虑低真空空气阻尼力的同时,研究了梳齿电容倾斜的MEMS传感器对脉冲惯性信号的响应,并分析了DRIE工艺因素对器件性能的影响.研究结果表明,当传感器... DRIE(Deep Reactive Ion Etching)工艺加工的高深宽比梳齿电容不能保证绝对平行.本文在考虑低真空空气阻尼力的同时,研究了梳齿电容倾斜的MEMS传感器对脉冲惯性信号的响应,并分析了DRIE工艺因素对器件性能的影响.研究结果表明,当传感器为没有静电力反馈的双边电容结构时,梳齿电容的不平行对传感器的响应位移、惯性脉冲响应线性度范围影响明显,且随着封装真空度增加而加重.若传感器有静电力反馈,惯性脉冲响应的灵敏度降低,但DRIE工艺因素的影响程度降低.为了抑制DRIE工艺导致的梳齿电容不平行因素的影响,文中还设计了一个新型的变电容面积的MEMS惯性传感器,并用ANSYS初步分析了其性能,设计了其详细的制作工艺流程. 展开更多

关键词 高精度微传感器 倾斜梳齿 惯性脉冲响应 MEMS

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孔的形状和排列方式对厚孔板微结构压膜空气阻尼的影响分析 被引量：6

3

作者 董林玺 刘国华 钱忺 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1262-1266,共5页

本文对微结构上孔的形状和排列方式对压膜空气阻尼的影响进行了理论和模拟分析.理论研究表明对于不同厚度、不同排列方式下的孔单元阵列,若孔的总面积和孔单元面积均为常数,当孔数增加到某一值时有最小阻尼力,并用FEM工具ANSYS证明了该... 本文对微结构上孔的形状和排列方式对压膜空气阻尼的影响进行了理论和模拟分析.理论研究表明对于不同厚度、不同排列方式下的孔单元阵列,若孔的总面积和孔单元面积均为常数,当孔数增加到某一值时有最小阻尼力,并用FEM工具ANSYS证明了该结论的正确性.结果还表明孔数对恒定尺寸微结构空气阻尼的影响随着结构厚度和孔数的增加而变得更加明显.分析结果对比表明在同样的尺寸条件下,孔方形排列微结构的空气阻尼小于孔蜂窝式排列微结构的空气阻尼,该现象随着孔单元面积的增加变得越明显,但是随着孔单元接近微结构的边界,阻尼之间的差距减小.研究结果可以用在高精度MEMS器件如MEMS地震检波器、MEMS光开关和MEMS红外光传感器等的优化设计中去. 展开更多

关键词 MEMS加速度计 压膜空气阻尼 孔板 孔排列 优化设计

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梳齿的不平行对电容式微机械传感器阶跃信号响应的影响 被引量：5

4

作者 董林玺 孙玲玲 +1 位作者 车录锋 王跃林 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期525-530,共6页

分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板... 分析了梳齿电容式传感器在三种电容驱动方式下,梳齿电容极板的不平行对传感器受到阶跃加速度信号作用时可靠工作条件的影响。得到了梳齿倾斜效应对传感器阶跃加速度响应影响的分析模型。结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,若电容极板的倾斜角变到0.5°时,对于单边电容结构、双边电容结构和有力反馈的双边电容结构,传感器能够承受的临界阶跃加速度分别变为电容极板完全平行时的0.34、0.44、0.52。并针对DRIE工艺刻蚀梳齿的原理,讨论了改进梳齿不平行的方法。 展开更多

关键词 电容式传感器 惯性传感器 可靠工作范围 阶跃信号

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新型复合沟道Al_(0.3)Ga_(0.7)N/Al_(0.05)Ga_(0.95)N/GaN HEMT低相位噪声微波单片集成压控振荡器(英文) 被引量：3

5

作者 程知群 蔡勇 +3 位作者 刘杰 周玉刚 刘稚美 陈敬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期241-245,共5页

设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提... 设计并研制了一种新型复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT)微波单片集成压控振荡器(VCO),且测试了电路的性能。CC-HEMT的栅长为1μm,栅宽为100μm。叉指金属-半导体-金属(MSM)变容二极管被设计用于调谐VCO频率。为提高螺旋电感的Q值,聚酰亚胺介质被插入在电感金属层与外延在蓝宝石上GaN层之间。当CC-HEMT的直流偏置为Vgs=-3V,Vds=6V,变容二极管的调谐电压从5.5V到8.5V时,VCO的频率变化从7.04GHz到7.29GHz,平均输出功率为10dBm,平均功率附加效率为10.4%。当加在变容二极管上电压为6.7V时,测得的相位噪声为-86.25dBc/Hz(在频偏100KHz时)和-108dB/Hz(在频偏1MHz时),这个结果也是整个调谐范围的平均值。据我们所知,这个相位噪声测试结果是文献报道中基于GaN HEMT单片VCO的最好结果。 展开更多

关键词 Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 压控振荡器 相位噪声

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周期性缺陷接地结构的微带线 被引量：5

6

作者 刘海文 孙晓玮 +1 位作者 李征帆 孙玲玲 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期675-679,共5页

基于单元缺陷接地结构(DGS)等效电路模型,研究了周期性缺陷接地结构微带线的色散关系,并给出其阻带的快速估算方法。为提高微波电路的集成度和灵活性,提出了基于周期性DGS结构弯折型微带线,分析其带阻特性、色散特性和阻抗特性。实验证... 基于单元缺陷接地结构(DGS)等效电路模型,研究了周期性缺陷接地结构微带线的色散关系,并给出其阻带的快速估算方法。为提高微波电路的集成度和灵活性,提出了基于周期性DGS结构弯折型微带线,分析其带阻特性、色散特性和阻抗特性。实验证明,该结构在4～7GHz之间具有良好的宽阻带特性。 展开更多

关键词 缺陷接地结构 阻带 色散 弯折型微带线

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微波HBT建模技术研究综述 被引量：9

7

作者 孙玲玲 刘军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期336-340,共5页

本文对微波异质结双极型晶体管 (HBT)发展及其应用现状、用于HBT器件的等效电路模型 ,以及HBT器件大、小信号建模技术、模型参数提取方法及研究进展进行述评 .

关键词 异质结双极型晶体管(HBT) 大信号 小信号 模型 参数提取

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用于多处理器媒体SoC设计的实时总线调度优化策略 被引量：3

8

作者 陈科明 刘鹏 +1 位作者 王维东 姚庆栋 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1546-1551,共6页

为了减少多处理器媒体系统芯片(SoC)总线任务调度过程中的处理器性能损失,从减少总线任务冲突的角度出发,提出了改变任务属性和调整任务优先级相结合的总线任务调度优化策略.在保证任务实时性的前提下,通过增加原有任务可执行时间,将原... 为了减少多处理器媒体系统芯片(SoC)总线任务调度过程中的处理器性能损失,从减少总线任务冲突的角度出发,提出了改变任务属性和调整任务优先级相结合的总线任务调度优化策略.在保证任务实时性的前提下,通过增加原有任务可执行时间,将原有任务划分为多个子任务,动态调整任务优先级,充分利用总线的空闲时间执行部分任务,减少了总线任务冲突,降低了处理器因等待数据源而引起的性能损失.将该方法应用于多处理器媒体系统芯片MediaSoC3221A的设计中,当进行运动图像专家组(MPEG)实时解码时处理器的性能损失从原来的4.7%减小到0.1%. 展开更多

关键词 系统芯片(SoC) 媒体处理 总线调度 多处理器

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微环辅助Mach-Zehnder光调制器的线性特性 被引量：3

9

作者 潘剑侠 王帆 杨建义 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1511-1515,共5页

分析了有损耗的多环辅助Mach-Zehnder(MZ)光调制器,获得了在偏置点处令二阶和三阶高次项同时为零的方程,并在此基础上解得单环和双环辅助下的设计参量的解析表达式.利用解析式可方便地得到在偏置点处二阶和三阶高次项同时为零的高线性M... 分析了有损耗的多环辅助Mach-Zehnder(MZ)光调制器,获得了在偏置点处令二阶和三阶高次项同时为零的方程,并在此基础上解得单环和双环辅助下的设计参量的解析表达式.利用解析式可方便地得到在偏置点处二阶和三阶高次项同时为零的高线性MZ光调制器的设计方案.同时对微环辅助MZ光调制器的特性进行了分析. 展开更多

关键词 集成光学 光调制器 Math—Zehnder干涉仪 线性调制 光微环谐振器 全通滤波器

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基于扫描的VLSI全速测试方法 被引量：2

10

作者 马琪 焦鹏 周宇亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1090-1093,共4页

当工艺进入到超深亚微米以下,传统的故障模型不再适用,必须对电路传输延迟引发的故障采用延迟故障模型进行全速测试。给出了常用的延迟故障模型,介绍了一种基于扫描的全速测试方法,并给出了全速测试中片上时钟控制器的电路实现方案。对... 当工艺进入到超深亚微米以下,传统的故障模型不再适用,必须对电路传输延迟引发的故障采用延迟故障模型进行全速测试。给出了常用的延迟故障模型,介绍了一种基于扫描的全速测试方法,并给出了全速测试中片上时钟控制器的电路实现方案。对芯片进行测试,可以直接利用片内锁相环电路输出的高速时钟对电路施加激励和捕获响应,而测试向量的扫描输入和响应扫描输出则可以采用测试机提供的低速时钟,从而降低了全速测试对测试机时钟频率的要求。最后,对于全速测试方案提出了若干建议。 展开更多

关键词 可测性设计 延迟故障 全速测试 扫描测试

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10Gb/s SiGe光接收机限幅放大器 被引量：1

11

作者 黄海云 徐跃 +2 位作者 刘华珠 刘军 孙玲玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第7期60-62,共3页

给出了一个利用IBM 0.5μm SiGe BiCMOS工艺实现的10Gb/s限幅放大器。在标准的3.3V 电源电压,功耗为133.77mW。在31dB的输入动态范围内,可以保持980mVpp恒定输出摆幅。

关键词 光接收机 主放大器 限幅放大器 SIGE BICMOS 工艺

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以太网桥接专用集成电路的实现 被引量：2

12

作者 刘华珠 黄海云 +1 位作者 陈雪芳 李嘉穗 《现代电子技术》 2005年第8期94-96,共3页

介绍了一种基于高级数据链路控制(HDL C)协议,实现以太网桥接的专用集成电路技术,介绍了该集成电路的系统组成和主要模块功能,着重讨论了高级数据链路控制(HDL C)协议的算法设计以及FIFO控制模块中双指针操作方式的技术实现。

关键词 以太网 高级数据链路控制(HDLC) 桥接 专用集成电路

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片上SRAM内建自测试的实现方法 被引量：2

13

作者 马琪 裘燕锋 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2010年第S1期185-189,共5页

存储器内建自测试(MBIST)技术是目前芯片嵌入式存储器测试的最通用方法.介绍了基于自编RTL和基于Synopsys Rambist EDA技术的两种片上SRAM BIST电路方法.

关键词 片上SRAM 内建自测试 MBIST算法

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基于FPGA技术的DRAM分时存取方法 被引量：1

14

作者 刘华珠 陈雪芳 黄海云 《现代电子技术》 2005年第10期111-112,115,共3页

介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块... 介绍了一种基于现场可编程技术对DRAM进行读写和刷新操作的方法,根据现场可编程器件设计的特点,结合DRAM读写和刷新时序的要求,提出了同步化操作DRAM的思想,给出了具体同步化操作DRAM的实现方法,针对现场可编程器件设计中经常有多模块同时存取DRAM芯片的需求,提出了对DRAM芯片进行分时存取的方法,讨论了该方法的实现机制,结合具体的项目设计,给出了分时存取方法的关键时序,避开了复杂的DRAM控制器,节省了设计资源,简单方便地解决了DRAM操作的仲裁问题。 展开更多

关键词 FPGA DRAM 同步化 分时存取方法

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面向MPSoC性能评估的高速缓存建模技术

15

作者 修思文 李彦哲 +3 位作者 黄凯 马德 晏荣杰 严晓浪 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期1367-1375,共9页

分析现有的面向MPSoC性能评估的高速缓存建模技术的缺点,提出用于本机模拟的静态分析和动态标注相结合的缓存建模技术.该技术采用GCC剖析,避免了命中判断时标签比较,扩展了缓存更新的粒度.建立准确的指令和各类型变量在目标平台的地址... 分析现有的面向MPSoC性能评估的高速缓存建模技术的缺点,提出用于本机模拟的静态分析和动态标注相结合的缓存建模技术.该技术采用GCC剖析,避免了命中判断时标签比较,扩展了缓存更新的粒度.建立准确的指令和各类型变量在目标平台的地址映射表,提高了仿真速度和评估的准确性.该技术支持对多级缓存的建模,扩展了对多处理器平台的支持.实验结果表明,该技术的评估速度和准确性均优于现有技术. 展开更多

关键词 MPSoC性能评估 高速缓存建模 本机模拟 GCC剖析 静态分析 动态标注 多级缓存

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基于网络划分和并行运算的P/G布线网络快速分析算法

16

作者 马琪 蒋平 +2 位作者 陈树毅 李春强 张敏 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2008年第7期55-57,共3页

提出了一个基于网络划分和分布式并行运算的P/G网快速验证方法。对于各子网运算,采用带加速子网运算策略的Cholesky分解法;并根据各个子网运算相互独立的特点,采用基于MPI(Message Passing Interface)的并行结构对子网络运算进行分布式... 提出了一个基于网络划分和分布式并行运算的P/G网快速验证方法。对于各子网运算,采用带加速子网运算策略的Cholesky分解法;并根据各个子网运算相互独立的特点,采用基于MPI(Message Passing Interface)的并行结构对子网络运算进行分布式并行运算。实验证明,该快速验证方法在运算时间和内存占用上效果十分良好。 展开更多

关键词 MESH结构 P/G网 并行运算 CHOLESKY分解 MPI

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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析

17

作者 董林玺 孙玲玲 王跃林 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期465-469,共5页

为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。 展开更多

关键词 电容式传感器 惯性传感器 可靠工作范围 阶跃信号 偏置电压极性

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一种用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型

18

作者 孙玲玲 王静 刘军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期49-53,共5页

提出一个应用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型,描述了模型参数的提取方法,并把此模型应用于单、多指InGaP/GaAs HBT器件的建模。对器件的I-V特性及50MHz-15GHz频率范围内S参数进行了测量和仿真。结果表明,50MHz-9GHz频率范围内,简化... 提出一个应用于InGaP/GaAs HBT的简化的VBIC模型,描述了模型参数的提取方法,并把此模型应用于单、多指InGaP/GaAs HBT器件的建模。对器件的I-V特性及50MHz-15GHz频率范围内S参数进行了测量和仿真。结果表明,50MHz-9GHz频率范围内,简化后模型可对InGaP/GaAs HBT 交流小信号特性进行较好的表征。 展开更多

关键词 INGAP/GAAS HBT VBIC 模型

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应用于等离子显示驱动的高压集成电路工艺

19

作者 洪慧 韩雁 叶晓伟 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1715-1718,共4页

介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺... 介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2.0μm标准CMOS工艺完全兼容的新型高压BCD工艺.设计了新型场氧作厚栅HV-pMOS器件和薄栅氧HV-nVDMOS器件,开发了一种新型的PDP扫描驱动集成电路.采用此工艺可以节省三个光刻版、两次注入(HV-N阱和PDA)和一次氧化工艺,有效地降低工艺复杂度和生产成本.最终流片和测试结果表明,HV-nVDMOS和HV-pMOS管的耐压均超过165 V,达到系统设计要求.当电源电压为90 V、负载为200 pF时,PDP扫描驱动芯片的上升沿和下降沿时间分别为165和30 ns,这充分验证了芯片具有很强的驱动电流能力. 展开更多

关键词 等离子平板显示屏 扫描驱动集成电路 场氧栅 高压驱动电路

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一种复杂背景下的目标提取算法

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作者 孔霆 孙玲玲 +2 位作者 李训根 周磊 黄良孟 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2008年第3期221-223,共3页

针对目标与背景颜色接近,普通阈值处理算法不能有效实现图像分割的情况,提出了一种基于阈值处理的目标提取算法。首先对图像进行阈值处理得到目标,然后针对剩余像素进行二次阈值处理,最后第三次阈值处理在两次阈值处理后得到的目标总和... 针对目标与背景颜色接近,普通阈值处理算法不能有效实现图像分割的情况,提出了一种基于阈值处理的目标提取算法。首先对图像进行阈值处理得到目标,然后针对剩余像素进行二次阈值处理,最后第三次阈值处理在两次阈值处理后得到的目标总和中去掉被误提取的背景,得到了较好的分割效果。 展开更多

关键词 图像分割 阈值 目标提取

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