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基于Kolmogorov-Smirnov检验的LED可靠性评估 被引量:9
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作者 夏云云 文尚胜 方方 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期20-25,共6页
提出一种对光参量呈非单调下降规律的LED灯珠可靠性进行评价的方法.采用加速寿命实验获得光通量退化数据,利用指数叠加形式的退化模型对光通维持率退化数据进行拟合,与指数模型拟合效果相比,该模型具有更好的效果.用MATLAB软件计算样品... 提出一种对光参量呈非单调下降规律的LED灯珠可靠性进行评价的方法.采用加速寿命实验获得光通量退化数据,利用指数叠加形式的退化模型对光通维持率退化数据进行拟合,与指数模型拟合效果相比,该模型具有更好的效果.用MATLAB软件计算样品的伪失效寿命,通过KolmogorovSmirnov检验法得到两个公司样本伪失效寿命分布分别服从对数正态分布和威布尔分布,以相应分布参量评估产品可靠性得到两个公司样本的伪失效寿命分别为5 328.37h和4 758.35h.该方法对参量呈非单调下降规律的LED器件可靠性的评估具有参考价值. 展开更多
关键词 LED 可靠性 Kolmogorov-Smirnov检验 退化模型 寿命
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GaN基白光LED电极的失效机制 被引量:6
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作者 夏云云 文尚胜 方方 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期1002-1007,共6页
对负电极脱落造成白光LED失效进行了研究。结合扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对退化样品芯片进行了表面形貌表征和微区成分分析。SEM观察到退化样品负极脱落处表面粗糙不平,且透明导电薄膜存在颗粒状结晶。经EDS检测发现负极脱落... 对负电极脱落造成白光LED失效进行了研究。结合扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)对退化样品芯片进行了表面形貌表征和微区成分分析。SEM观察到退化样品负极脱落处表面粗糙不平,且透明导电薄膜存在颗粒状结晶。经EDS检测发现负极脱落处存在腐蚀性氯元素,并在封装胶中检测出氯。分析认为,封装胶中残留的氯离子与负极中Al层发生的电化学腐蚀是致使样品失效的主要原因。 展开更多
关键词 LED 失效分析 电极 腐蚀
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醇类物质对LED硅胶封装气密性的影响
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作者 文尚胜 彭星 +6 位作者 马丙戌 宋嘉良 符民 方方 胡捷频 康丽娟 孔令豹 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期127-132,共6页
为了探究发光二极管(LED)封装胶对LED失效性的影响,选取LED封装硅胶失效案例进行了失效性分析.利用傅里叶转换红外光谱分析和气相色谱质谱联用仪对失效样品进行成分分析,根据分析结果总结样品的失效机理.分析结果表明:LED灯珠封装气密... 为了探究发光二极管(LED)封装胶对LED失效性的影响,选取LED封装硅胶失效案例进行了失效性分析.利用傅里叶转换红外光谱分析和气相色谱质谱联用仪对失效样品进行成分分析,根据分析结果总结样品的失效机理.分析结果表明:LED灯珠封装气密性检测过程中材料的化学不兼容性导致封装胶失效,LED灯珠气密性变差,进而影响到光、电、热、机械结构、材料特性等,LED可靠性降低.在LED生产制造过程中,需要避免材料的不兼容性,增加LED的可靠性. 展开更多
关键词 LED 封装硅胶 可靠性 失效 不兼容性 气密性
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GaN基白光LED可靠性研究与失效分析 被引量:9
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作者 宋嘉良 文尚胜 +6 位作者 马丙戌 符民 胡捷频 彭星 方方 廖少雄 康丽娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期1705-1713,共9页
针对LED样品检测中的样品短路失效、LED光源黑化、光通量下降和芯片表面通孔异常现象,采用金相切片、机械微操、静电测试等方式结合扫描电镜和能谱仪(EDS)等表征手段对失效机制进行了分析,揭示了LED失效原因。包括镀层银离子与杂质硫离... 针对LED样品检测中的样品短路失效、LED光源黑化、光通量下降和芯片表面通孔异常现象,采用金相切片、机械微操、静电测试等方式结合扫描电镜和能谱仪(EDS)等表征手段对失效机制进行了分析,揭示了LED失效原因。包括镀层银离子与杂质硫离子导致光源黑化;芯片抗静电电压低,部分样品发生静电击穿;失效芯片通孔下面的Ni-Sn共晶层存在大量空洞,使得复杂结构的芯片通孔应力不均,样品工作时芯片表面开裂破碎,从而导致PN结短路失效;封装胶中残存的杂质离子腐蚀芯片负电极导致电极脱落而出现漏电、光衰和死灯等现象。 展开更多
关键词 LED 可靠性分析 电极 芯片 封装
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GaN基白光二极管漏电失效分析
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作者 左文财 文尚胜 +3 位作者 周悦 王翌鑫 于婧雅 方方 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第11期1431-1437,共7页
芯片漏电会对LED灯珠稳定性和寿命造成很大影响,为此本文对LED样品的漏电失效机理进行了研究。在微光显微镜观测下,样品的芯片正电极位置存在漏电异常。利用氩离子精密刻蚀系统对样品进行截面制样,并采用扫描电镜进行观察,分析可能导致... 芯片漏电会对LED灯珠稳定性和寿命造成很大影响,为此本文对LED样品的漏电失效机理进行了研究。在微光显微镜观测下,样品的芯片正电极位置存在漏电异常。利用氩离子精密刻蚀系统对样品进行截面制样,并采用扫描电镜进行观察,分析可能导致漏电的原因。SEM下观测到漏电样品芯片正极出现空洞,且空洞对应的外延层出现较明显的裂缝。分析认为,在焊接时电极产生空洞,在后续高温回流焊、封装和使用过程中压力和应力集中在裂缝处,使GaN外延层受损导致漏电。研究结果为LED芯片漏电检测手段、机理分析提供了良好的参考方案,并为解决芯片裂缝和空洞问题提供了理论参考方向。 展开更多
关键词 发光二极管 失效分析 漏电 静电
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