期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Cl^-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响
被引量：
4
1
作者
朱思哲
谭澄宇
+1 位作者
刘晨
王芝秀
《矿冶工程》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期119-123,127,共6页
采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO_4+70 g/L H_2SO_4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl^-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3^-0.1 V_...
采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO_4+70 g/L H_2SO_4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl^-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3^-0.1 V_(SCE))下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6^-0.4 V_(SCE))下,Cl^-则阻碍铜的结晶沉积。通过扫描电镜还观察了Cl^-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl^-在铜电结晶过程中的作用机理。
展开更多
关键词
表面处理
粗化处理
氯离子
电结晶
镀层形貌
压延铜箔
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
Cl^-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响
被引量：
4
1
作者
朱思哲
谭澄宇
刘晨
王芝秀
机构
中南
大学
材料
科学与
工程学院
常州大学省材料表面科学与技术重点实验室
出处
《矿冶工程》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第2期119-123,127,共6页
基金
江苏省材料表面科学与技术重点实验室开放课题(9W4548)
文摘
采用循环伏安、计时安培测试研究了在20 g/L Cu SO_4+70 g/L H_2SO_4酸性镀液中Cl^-存在对铜沉积还原过程以及Cl^-浓度对铜在压延铜箔基体上电结晶初期行为的影响。研究表明,加入Cl^-,铜沉积起始电位大致不变,并在较低偏压(-0.3^-0.1 V_(SCE))下缩短铜结晶初期的形核弛豫时间,提高阴极还原电流;在较高的偏压(-0.6^-0.4 V_(SCE))下,Cl^-则阻碍铜的结晶沉积。通过扫描电镜还观察了Cl^-浓度、偏压对铜镀层组织形貌特征的影响,探讨了Cl^-在铜电结晶过程中的作用机理。
关键词
表面处理
粗化处理
氯离子
电结晶
镀层形貌
压延铜箔
Keywords
surface treatment
roughening treatment
chloride ion
electrocrystallization
morphology of coating
rolledcopper foil
分类号
TG174 [金属学及工艺—金属表面处理]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cl^-对铜在压延铜箔上的电结晶行为及其组织形貌的影响
朱思哲
谭澄宇
刘晨
王芝秀
《矿冶工程》
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
