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薄膜厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光电性能的影响 被引量:11
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作者 刘汉法 张化福 +1 位作者 类成新 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期707-710,共4页
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%。当薄膜厚度从125nm增加到350nm时,薄膜的光学带隙从3.58eV减小到3.50eV。 展开更多
关键词 ZnO:Zr 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能
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ZnO基紫外光电探测器的研究进展 被引量:8
2
作者 刘云燕 袁玉珍 +1 位作者 李洁 高绪团 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期9-11,16,共4页
ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型... ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。 展开更多
关键词 ZnO基 紫外光探测器 MSM 光电导 肖特基势垒 P-N结
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基于分数阶傅立叶变换的伪码体制引信线性调频干扰抑制技术 被引量:20
3
作者 张淑宁 赵惠昌 吴兵 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期32-36,共5页
分析线性调频(LFM)干扰对伪码体制引信相关检测性能的影响,结果表明当LFM干扰超出伪码体制引信自身抗干扰容限时,相关输出严重恶化,因此必须在相关检测前对LFM干扰进行抑制。通过对LFM干扰信号分数阶傅立叶变换计算结果的分析,提出在分... 分析线性调频(LFM)干扰对伪码体制引信相关检测性能的影响,结果表明当LFM干扰超出伪码体制引信自身抗干扰容限时,相关输出严重恶化,因此必须在相关检测前对LFM干扰进行抑制。通过对LFM干扰信号分数阶傅立叶变换计算结果的分析,提出在分数阶域进行LFM干扰抑制的方法;为避免固定门限方法在强干扰情况下造成有用信号的损失,提出了自适应门限的干扰抑制方法。通过仿真分析发现该方法能够有效消除LFM干扰,相关输出曲线明显改善,信干比得到显著提高。 展开更多
关键词 信息处理技术 伪码体制引信 分数阶傅立叶变换 LFM干扰 自适应门限
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ZnO基紫外探测器及关键技术研究 被引量:2
4
作者 范晓玲 刘俊成 刘云燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期468-472,共5页
对ZnO基紫外光探测器的原理、结构、特点进行了论述,并对探测器制备过程中的关键技术进行了探讨。
关键词 ZNO 紫外探测器 光电导 肖特基势垒 P-N结
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利用射频磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO:Zr透明导电薄膜(英文) 被引量:7
5
作者 刘汉法 张化福 +2 位作者 类成新 袁玉珍 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期183-186,共4页
利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获... 利用射频磁控溅射法首次在室温水冷柔性衬底PET上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)透明导电薄膜。X射线衍射和扫描电子显微镜表明,ZnO:Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有平行于衬底方向的择优取向。实验获得ZnO:Zr薄膜的最小电阻率为1 .55×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO:Zr薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过90 %。 展开更多
关键词 ZnO:Zr薄膜 柔性衬底 磁控溅射 透明导电薄膜
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柔性透明导电薄膜ZAO 被引量:6
6
作者 张化福 袁玉珍 刘云燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期489-493,共5页
随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结... 随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜有望成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注。柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构和光电特性。评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作做了展望。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 柔性衬底 透明导电薄膜
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掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 被引量:3
7
作者 刘汉法 张化福 +1 位作者 类成新 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期991-994,共4页
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZnO∶Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备出了掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZnO∶Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响。X射线衍射(XRD)表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。在溅射功率为150 W时,实验获得的ZnO∶Zr薄膜电阻率具有最小值3.8×10-3Ω.cm。实验制备的ZnO∶Zr薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过92%。ZnO∶Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌 透明导电薄膜 磁控溅射 溅射功率
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p-Si TFT栅绝缘层用SiNx薄膜界面特性的研究 被引量:3
8
作者 张化福 袁玉珍 +1 位作者 臧永丽 祁康成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期35-38,共4页
以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功... 以NH3和SiH4为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比对SiNx薄膜界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiNx薄膜中的Si/N比和H含量影响薄膜的界面特性,而NH3/SiH4流量比则主要通过影响薄膜中的H含量影响薄膜界面特性。实验制备的SiNx薄膜层中的固定电荷密度、可动离子密度、SiNx与p-Si之间的界面态密度分别达到了1.7×1012/cm2、1.4×1012/cm2、3.5×1012/(eV.cm2),其界面特性达到了制备高质量p-SiTFT栅绝缘层的性能要求。 展开更多
关键词 TFT SiNx薄膜 界面特性
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掺Al ZnO柔性透明导电薄膜研究进展 被引量:3
9
作者 张化福 袁玉珍 +1 位作者 刘汉法 刘云燕 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期461-465,共5页
柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状。介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构、光电特性、典型制... 柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点。总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状。介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构、光电特性、典型制备方法和应用前景。评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作进行了展望。 展开更多
关键词 ZAO薄膜 柔性衬底 透明导电薄膜
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透明导电薄膜ZnO∶Zr的制备及特性研究 被引量:2
10
作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期61-65,共5页
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明,溅射功率对ZZO薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。在溅射功率为115W时,ZZO薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω.cm,其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18.7cm2.V-1.s-1和2.07×1020cm-3。所制备ZZO薄膜样品具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率均超过92%。 展开更多
关键词 ZnO∶Zr薄膜 透明导电薄膜 溅射功率 磁控溅射
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p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究 被引量:2
11
作者 张化福 祁康成 +3 位作者 袁玉珍 刘汉法 类成新 魏功祥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第7期602-605,609,共5页
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功... 以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功率对SiN薄膜的相对介电常数、电学性能及界面特性的影响。分析表明,沉积温度和射频功率主要是通过影响SiN薄膜中的Si/N比影响薄膜的性能,在制备高质量的p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。 展开更多
关键词 等离子体增强化学气相沉积 栅绝缘层 SiN薄膜
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在柔性衬底上制备透明导电薄膜ZnO:Zr(英文) 被引量:1
12
作者 张化福 类成新 +2 位作者 刘汉法 袁玉珍 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期153-157,共5页
采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜。利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表明,ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在有机衬底... 采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜。利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低。X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表明,ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在有机衬底和玻璃衬底上制备ZZO薄膜的择优取向不同,前者为(100)晶面,而后者为(002)晶面。在有ZnO缓冲层的PET衬底上制备的ZZO薄膜电阻率比直接生长在玻璃衬底样品上的小。通过优化参数,在PET衬底上制备出了最小电阻率为1.7×10-3Ω.cm、可见光透过率超过93%的ZZO薄膜。实验表明,镀膜之前在柔性衬底上沉积ZnO缓冲层能有效地提高ZZO薄膜的质量。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌薄膜 柔性衬底 磁控溅射 透明导电薄膜
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准周期结构一维光子晶体的缺陷模研究 被引量:3
13
作者 武继江 高金霞 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期342-345,共4页
利用传输矩阵方法,研究了光波在包含掺杂缺陷和替代缺陷的厚度渐变准周期结构一维光子晶体中的传播规律。研究结果表明,类似于传统的周期结构一维光子晶体,在准周期结构光子晶体引入缺陷,光子晶体禁带中也产生了缺陷模,并且两种缺陷所... 利用传输矩阵方法,研究了光波在包含掺杂缺陷和替代缺陷的厚度渐变准周期结构一维光子晶体中的传播规律。研究结果表明,类似于传统的周期结构一维光子晶体,在准周期结构光子晶体引入缺陷,光子晶体禁带中也产生了缺陷模,并且两种缺陷所引起的缺陷模的性质基本一致;缺陷模的出现使带隙有了一定程度的加宽,而缺陷模的位置和强度与缺陷层所处的位置和缺陷层的光学厚度有关;随着缺陷层光学厚度的增大,缺陷模向长波方向移动。 展开更多
关键词 光电子学 缺陷模 传输矩阵法 光子晶体 准周期结构
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晶粒间界相对纳米Nd_2Fe_(14)B各向异性和矫顽力的影响 被引量:2
14
作者 万云芳 孙艳 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1176-1178,共3页
本文采用立方晶粒结构模型研究了晶粒间界相对纳米硬磁材料各向异性和矫顽力的影响.结果表明:晶粒间界相减弱了交换耦合作用.当晶粒尺寸D为定值时,随着晶粒间界相厚度d的增加,晶粒平均各向异性<K>单调增加,而材料的有效各向异性K... 本文采用立方晶粒结构模型研究了晶粒间界相对纳米硬磁材料各向异性和矫顽力的影响.结果表明:晶粒间界相减弱了交换耦合作用.当晶粒尺寸D为定值时,随着晶粒间界相厚度d的增加,晶粒平均各向异性<K>单调增加,而材料的有效各向异性Keff、矫顽力单调减小.我们计算的矫顽力随晶粒尺寸的变化与相关理论和实验结果基本一致. 展开更多
关键词 纳米Nd2Fe14B材料 晶粒间界相 矫顽力 各向异性
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遮阳品防紫外线性能的实验分析 被引量:7
15
作者 刘汉法 《大学物理》 北大核心 2007年第9期40-42,共3页
利用组合式多功能光栅光谱仪、溴钨灯和吸收池,对遮阳品进行光谱特性分析.对3种样品的基线和透射谱进行了对比,并配合对样品透过率的分析,得到样品的防紫外线性能,从而开发出一个非常受学生欢迎的、将物理实验与实际生活联系起来的实验.
关键词 光栅光谱仪 基线 紫外线 波长
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高质量全息光栅实验系统研究 被引量:3
16
作者 类成新 《大学物理》 北大核心 2008年第8期35-37,共3页
基于全息光栅在信息光学及光谱仪中的重要地位,对全息光栅进行了理论分析,提出了一种新的制作高质量全息光栅的实验系统.该实验系统的优点在于:将激光器发出的高斯光束改造成为均匀平面光波,以此平面光波作为光源可以制作出高质量的全... 基于全息光栅在信息光学及光谱仪中的重要地位,对全息光栅进行了理论分析,提出了一种新的制作高质量全息光栅的实验系统.该实验系统的优点在于:将激光器发出的高斯光束改造成为均匀平面光波,以此平面光波作为光源可以制作出高质量的全息光栅. 展开更多
关键词 全息光栅 光栅常数 高斯光束 均匀平面光波
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直流磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及性能研究
17
作者 张化福 类成新 +1 位作者 刘汉法 袁长坤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期78-80,共3页
利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度... 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Zr(ZZO)透明导电薄膜。研究了厚度对薄膜结构及光电性能的影响。研究结果表明,厚度对薄膜的结构和电学性能有很大的影响。制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有c轴择优取向。在厚度为593nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.9×10-3Ω·cm。所制备薄膜样品的可见光平均透过率都超过93%。 展开更多
关键词 ZnO∶Zr薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 透明导电薄膜
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缓冲层厚度对透明导电薄膜ZnO∶Zr性能的影响(英文)
18
作者 张化福 李雪 +2 位作者 类成新 刘汉法 袁长坤 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期490-493,共4页
利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35~208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒... 利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35~208nm。利用XRD、SEM、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计研究ZnO∶Zr薄膜的结构、形貌、电光性能。结果表明,薄膜的颗粒尺寸和电阻率对缓冲层厚度具有较强的依赖性。当缓冲层厚度从35nm增加到103nm时,薄膜的颗粒尺寸增大,电阻率减小。而当缓冲层厚度从103nm增加到208nm时,薄膜的颗粒尺寸减小,电阻率增大。当缓冲厚度为103nm时,薄膜的电阻率最小为2.96×10-3Ω.cm,远小于没有缓冲层时的12.9×10-3Ω.cm。实验结果表明,在沉积薄膜之前先沉积一层适当的缓冲层是提高ZnO∶Zr薄膜质量的一种有效方法。 展开更多
关键词 ZnO∶Zr薄膜 缓冲层 磁控溅射 透明导电薄膜
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双轴光纤光栅在传感器上的应用 被引量:1
19
作者 刘汉法 《光电技术应用》 2005年第2期33-36,共4页
介绍分析了保偏光纤及双轴光栅的性质,阐述了双轴光栅用作传感器的基本原理,研究了它在三维应变测量、横向负载测量及双折射光纤拍长测量方面的应用.
关键词 保偏光纤 双轴光栅 应变测量
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Fe/Cr超晶格电子结构和磁性质的理论研究(英文)
20
作者 张静华 胡海泉 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期115-118,共4页
应用密度泛函全势线性缀加平面波方法研究了Fe3/Cr3超晶格的电子结构和磁性质.结果表明,这种体系的基态相邻铁原子层间存在铁磁耦合,内禀自旋波波长大约2层厚的长度.
关键词 电子结构 磁性质 Fe3/Cr3超晶格 密度泛函理论
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