稀土元素及金属氧化物掺杂对BaTiO_3系统耐压性能的影响 被引量：7

1

作者 朱浩波 李玲霞 +2 位作者 吴霞宛 王洪儒 张志萍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期104-106,共3页

研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响。其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率。ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶... 研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响。其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率。ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶结构,有效地阻止了晶粒过度长大,改善了微观结构,减小了因气孔而造成的击穿,提高了耐压强度。 展开更多

关键词 稀土元素 金属氧化物 掺杂 BaTiO3系统 耐压性能 细晶效应

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微拉曼光谱技术及其在微结构残余应力检测中的应用 被引量：13

2

作者 邱宇 雷振坤 +3 位作者 亢一澜 胡明 徐晗 牛红攀 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期389-392,共4页

多孔硅薄膜 硅基底结构是微机电系统 (micro electro mechanicalsystem ,MEMS)中的一个基本组元 ,其厚度为微米量级。由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配 ,在薄膜 基底间的界面上会出现残余应力 ,严重时会导致裂纹出现而发生断裂... 多孔硅薄膜 硅基底结构是微机电系统 (micro electro mechanicalsystem ,MEMS)中的一个基本组元 ,其厚度为微米量级。由于薄膜与基底材料之间存在着晶格错配 ,在薄膜 基底间的界面上会出现残余应力 ,严重时会导致裂纹出现而发生断裂。微拉曼光谱法 (micro Ramanspectroscopy ,MRS)是近些年来在化学、物理、材料和力学等学科领域迅速发展的光学测量方法。文中对这一方法进行介绍 ,并且用来测量化学腐蚀多孔硅薄膜结构的残余应力 ,发现随着孔隙率的增加 ,多孔硅表面的拉伸应力逐渐增大。特别对某一样品出现裂纹区的拉曼测量表明 ,在裂纹区的残余应力急剧上升 ,达到了 0 .92GPa。使用金相显微镜观察不同孔隙率的多孔硅薄膜表面的微观形貌 ,这种不同程度的微观孔穴结构与残余应力的分布存在着紧密的联系。 展开更多

关键词 残余应力 拉曼光谱法 孔隙率 裂纹 多孔硅

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双模糊PID柱温箱系统研究 被引量：3

3

作者 田里 张波 《电子测量技术》 2006年第5期197-198,共2页

为了提高色谱柱温箱的温度控制精度,改善温度飞升曲线,通过对现有温度控制系统及方法的研究,结合模糊控制理论及相应方法,提出了双模糊控制理论,并应用于传统PID温度控制系统内;利用两级模糊控制规则,即大范围模糊控制和模糊自适应整定... 为了提高色谱柱温箱的温度控制精度,改善温度飞升曲线,通过对现有温度控制系统及方法的研究,结合模糊控制理论及相应方法,提出了双模糊控制理论,并应用于传统PID温度控制系统内;利用两级模糊控制规则,即大范围模糊控制和模糊自适应整定PID控制,大幅度改善了控制器的动、静态性能,降低了温控调节过程中的波动,减少了加热的收敛时间,提高了柱温箱的响应速度和温度精度。 展开更多

关键词 双模糊PID系统 大范围模糊控制 模糊自适应整定PID控制

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化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究 被引量：7

4

作者 胡明 田斌 +2 位作者 王兴 张景阳 张之圣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期223-224,共2页

　应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅... 　应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长。 展开更多

关键词 多孔硅 表面形貌 化学刻蚀 制备 应力 微裂纹

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RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征 被引量：4

5

作者 李海燕 张之圣 +3 位作者 胡明 樊攀峰 王秀宇 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期325-327,共3页

采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下... 采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。 展开更多

关键词 锆钛酸铅薄膜 射频溅射 钙钛矿结构 电滞回线

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(Na_(1/2)Bi_(1/2))TiO_3-SrTiO_3无铅压电陶瓷的介电、压电性能 被引量：23

6

作者 吴裕功 马晋毅 +2 位作者 董向红 邢磊 谢道华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第6期370-372,共3页

研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 +的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了... 研究了 (Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Sr2 +的引入对 NBT材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度 TF A(180°C)以及居里温度 TC(30 0°C)的影响都不大 ,但却较大幅度地降低了 NBT材料的高矫顽场 ,从而使极化相对容易。(Na1 / 2 Bi1 / 2 ) Ti O3- Sr Ti O3二元系的压电性能参数 d33和 kt分别达到 10 0 p C/N和 0 . 展开更多

关键词 压电陶瓷 钛酸铋钠 介电性能 压电性能

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A位非等配比对(NaBi)_(0.5(1-x)(Ba) _x TiO_3 性能的影响 被引量：7

7

作者 马晋毅 谢道华 +1 位作者 吴裕功 胡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第3期224-226,共3页

研究了A位非等配比——过量Bi3+(Bi3+:Na1+>1:1)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响。随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象。当Bi3+∶Na+=52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复... 研究了A位非等配比——过量Bi3+(Bi3+:Na1+>1:1)对(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3材料的介电、压电性能的影响。随着引入的过量Bi3+的增加,材料的介电常数和损耗均呈先下降后增大的现象。当Bi3+∶Na+=52∶48时,(NaBi)0.5(1-x)(Ba)xTiO3复合材料的d33、kt值都达到最大值。 展开更多

关键词 无铅 压电陶瓷 钛酸铋钠 A位非等配比 介电常数 介电损耗

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NBT基无铅压电陶瓷滤波器 被引量：6

8

作者 马晋毅 谢道华 +1 位作者 刘光聪 林廷芬 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期373-375,共3页

主要研究了用改性的(NaBi)_(0.5) TiO_3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况,这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的,另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZ... 主要研究了用改性的(NaBi)_(0.5) TiO_3(NBT)基无铅压电材料制作的压电陶瓷滤波器。在研究过程中出现很多不同于以往的情况,这些一方面是由于NBT基材料与传统PZT基材料的介电性能有较大差异造成的,另一方面说明NBT基材料的压电性能较PZT基材料还有进一步提高的必要。 展开更多

关键词 无铅 压电陶瓷 NBT(钛酸铋钠) 滤波器

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LSMCD法制备梯度BST铁电薄膜的工艺研究 被引量：1

9

作者 白天 张之圣 +1 位作者 王秀宇 毕振兴 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第6期743-745,共3页

研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM... 研究了利用液态源雾化化学沉积(LSMCD)法制备梯度钛酸锶钡(BST)薄膜的工艺。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明:沉积8次,采用常规退火方式,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上能成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约80 nm、厚约850 nm的梯度BST薄膜。该BST梯度薄膜在常温下介电常数达526,介电损耗约为0.06,矫顽场强约为100 kV/cm,剩余极化强度约为10μC/cm2,饱和极化强度约为20μC/cm2,在各个领域都具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 液态源雾化沉积 钛酸锶钡 梯度薄膜 钙钛矿相

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高频大带宽长延迟线 被引量：1

10

作者 江洪敏 马晋毅 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第3期174-176,共3页

用简明的图示法推导出倒相换能器及采用倒相换能器的声表面波延迟线的频率响应,并给出了不同加权系数对延迟线性能影响的模拟曲线,最后制作了f0=700MHz,△f3dB≥200MHz,△t=16μs的高频长延时单倒相声表面波延迟线,取得了满意的实用效果。

关键词 声表面波 倒相换能器 延迟线

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NIDS中正则表达式匹配电路的改进与优化 被引量：1

11

作者 田里 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期136-138,共3页

对网络入侵检测系统(NIDS)中复杂正则表达式匹配电路进行改进和优化。为达到最大吞吐量和最小的单位字符占用资源量,设计利用预译码、前缀树、规则分组、并行处理等方法进行结构优化。实验结果表明,改进后的电路结构提高了约47%匹配速度... 对网络入侵检测系统(NIDS)中复杂正则表达式匹配电路进行改进和优化。为达到最大吞吐量和最小的单位字符占用资源量,设计利用预译码、前缀树、规则分组、并行处理等方法进行结构优化。实验结果表明,改进后的电路结构提高了约47%匹配速度,缩减了约39%的电路面积,具有较低的资源占用和更广泛的适用性。 展开更多

关键词 网络入侵检测系统 正则表达式 预译码 前缀树 规则分组 并行处理

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多孔硅内部残余应力的研究

12

作者 田斌 胡明 +2 位作者 崔梦 雷振坤 亢一澜 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第1期47-49,共3页

多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长。随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一... 多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长。随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加。正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象。 展开更多

关键词 多孔硅 化学刻蚀 孔隙率 残余应力 微裂纹

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均匀设计法研究PZT铁电薄膜制备工艺的优化

13

作者 樊攀峰 张之圣 +1 位作者 胡明 刘志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第2期246-248,共3页

应用射频磁控溅射工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧/氩+氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进行分析,在其允许范围和精度内设置5个水平,并根据均匀设... 应用射频磁控溅射工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧/氩+氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进行分析,在其允许范围和精度内设置5个水平,并根据均匀设计理论对该5因素及5水平进行均匀设计。不同温度下退火之后测定了PZT薄膜的厚度、SEM表面形貌、电容、介电损耗、电滞回线(包括矫顽场强、饱和极化强度、剩余极化强度)等。最后对响应结果进行多元二次线性回归,得出了回归方程。探讨达到最优化薄膜特性所需要的工艺条件。 展开更多

关键词 均匀设计 PZT薄膜 制备工艺 回归分析 优化

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光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

14

作者 莫太山 张世林 +3 位作者 郭维廉 梁惠来 毛陆虹 郑云光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1260-1263,共4页

光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负... 光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 . 展开更多

关键词 光电双向负阻晶体管 S型光电负阻 光控电流开关 数值模拟

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低温热氧化处理温度与时间对氧化钒薄膜性能的影响

15

作者 梁继然 胡明 刘志刚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期43-47,共5页

采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响。新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相。经30... 采用直流对靶磁控溅射氧化钒薄膜再附加热氧化处理的方式进行金属－半导体相变特性氧化钒薄膜的制备，研究了低热处理温度下热处理温度与时间对氧化钒薄膜组分、晶体结构和相变性能的影响。新制备的氧化钒薄膜为V2O3和VO的混合相。经300℃／1h热处理后，薄膜内出现单斜结构VO2，薄膜具有相变特性；保持热处理时间不变，升高热处理温度至360℃，薄膜表面变得致密，致密的薄膜表面阻碍了氧气与薄膜内部V2O3和VO的反应，VO2成分含量与300℃／1h处理时的含量接近；增加热处理温度并延长热处理时间，如热处理条件为320℃／3h时，薄膜内VO2成分大量增多，电阻值变化幅度超过两个数量级；在300～360℃的热处理温度区间内，薄膜内V2O3和VO不断向VO2转变，相变性能变好，但对VO2的单斜金红石结构没有影响。 展开更多

关键词 相变氧化钒薄膜 低温热处理 直流对靶磁控溅射

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射频磁控溅射制备PZT铁电薄膜的工艺研究 被引量：3

16

作者 毕振兴 张之圣 +2 位作者 胡明 樊攀峰 刘志刚 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期6-9,共4页

在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚... 在SiO2/Si基片上采用直流对靶溅射技术制备出Pt/Ti底电极;应用射频磁控溅射方法,利用快速热处理(RTA)工艺,制备出了具有良好铁电性能的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜。将样品进行10min快速热退火处理,退火温度700℃。测试分析表明:薄膜厚度比较均匀、表面基本平整、没有裂纹和孔洞、致密性好、薄膜样品的矫顽场强(Ec)为28.6kV/cm,剩余极化强度(Pr)为18.7μC/cm2,自发极化强度(Ps)为37.5μC/cm2,是制备铁电薄膜存储器的优选材料。 展开更多

关键词 PZT 直流对靶溅射 射频磁控溅射 锆钛酸铅薄膜 钙钛矿相 电滞回线 射频磁控溅射方法 PZT铁电薄膜 溅射制备 工艺研究

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先驱体法制备PZT/ZrO_2复合陶瓷材料

17

作者 郭向华 吴霞宛 吴裕功 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第2期132-134,共3页

研究了一种新的制备PZT/ZrO2复合陶瓷材料的方法。借助B位先驱体法,首先合成亚稳态的钙钛矿固溶体,在高温下ZrO2相从固溶体中析出得到PZT/ZrO2复合陶瓷材料。在冷却过程中,已在PZT晶粒内析出的ZrO2相发生四方到单斜的相变,伴随该相变的... 研究了一种新的制备PZT/ZrO2复合陶瓷材料的方法。借助B位先驱体法,首先合成亚稳态的钙钛矿固溶体,在高温下ZrO2相从固溶体中析出得到PZT/ZrO2复合陶瓷材料。在冷却过程中,已在PZT晶粒内析出的ZrO2相发生四方到单斜的相变,伴随该相变的体积膨胀会对晶界产生压应力,起到强化晶界的作用,从而使陶瓷材料的力学性能得到明显提高。 展开更多

关键词 先驱体 锆钛酸铅 复合材料 力学性能

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