国产半导体器件长期贮存试验研究 被引量：5

1

作者 高兆丰 童亮 +1 位作者 高金环 徐立生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期800-802,共3页

分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1 460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种... 分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1 460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析。在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7。用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据。 展开更多

关键词 长期贮存 可靠性 失效率 可焊性 水汽含量

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半导体器件结到壳热阻测试研究 被引量：2

2

作者 彭浩 茹志芹 +2 位作者 张瑞霞 刘东月 徐立生 《电子工艺技术》 2016年第3期171-174,共4页

到壳热阻是衡量半导体器件热性能的重要参数。详细介绍了将半导体器件外壳表面与外部热沉相接触时,从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维热传导路径下,用瞬态双界面法进行结到壳热阻Rth(J-C)测量的方法。阐述了双界面测试法中存在的... 到壳热阻是衡量半导体器件热性能的重要参数。详细介绍了将半导体器件外壳表面与外部热沉相接触时,从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维热传导路径下,用瞬态双界面法进行结到壳热阻Rth(J-C)测量的方法。阐述了双界面测试法中存在的若干现象与问题,分析了该方法中加热功率、被测件外壳温度控制以及施加加热功率的时间长短对测试结果产生影响的原因,并针对各个问题和影响因素提出了相应的解决办法及合理建议,以获得更为准确且更具有应用性和指导性的热阻测试结果。 展开更多

关键词 半导体器件 结到壳热阻 双界面测试法 影响因素

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国产半导体器件长期贮存试验研究

3

作者 高兆丰 高金环 徐立生 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期66-69,共4页

本文通过对北方实验室条件下贮存25年的国产商用高频小功率晶体管进行研究.找到三种失效模式。考虑到现代技术可消除的因素(或已焊接使用),计算预计80年代的国产商用器件储存失效率水平小于10^(-7)/h。

关键词 长期贮存 可靠性 失效率 HFE变化率 可焊性 水汽含量

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多芯片贴片式LED器件结温测量

4

作者 刘东月 彭浩 +2 位作者 茹志芹 黄杰 徐立生 《电子工艺技术》 2013年第3期145-147,180,共4页

结温是多芯片LED器件热性能的关键参数。以SMD5050 LED器件为例,研究了多芯片贴片式LED器件结温测量方法。SMD5050 LED是一种多芯片贴片式封装的LED器件,器件内封装有3颗芯片,3颗芯片之间并联。根据单芯片LED器件热阻测试原理,模拟SMD50... 结温是多芯片LED器件热性能的关键参数。以SMD5050 LED器件为例,研究了多芯片贴片式LED器件结温测量方法。SMD5050 LED是一种多芯片贴片式封装的LED器件,器件内封装有3颗芯片,3颗芯片之间并联。根据单芯片LED器件热阻测试原理,模拟SMD5050 LED器件正常工作时的状态,对SMD5050 LED器件的结温进行了测量,并根据LED芯片特性,验证了测量结果的准确性,这种方法适用于封装结构相似的其他多芯片LED器件结温的测量。 展开更多

关键词 5050LED 多芯片 结温 测量

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高可靠领域中应用塑封器件的有效评价 被引量：6

5

作者 李巍 宋玉玺 童亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期305-308,314,共5页

介绍了塑封器件的优缺点以及发展情况,针对塑封半导体器件本身在材料、结构和工艺等方面的特点,对塑封器件的失效模式和在试验中暴露的问题进行探讨,针对塑封器件的温度适应性、密封性、工艺控制及使用长期可靠性方面制定了相应的质量... 介绍了塑封器件的优缺点以及发展情况,针对塑封半导体器件本身在材料、结构和工艺等方面的特点,对塑封器件的失效模式和在试验中暴露的问题进行探讨,针对塑封器件的温度适应性、密封性、工艺控制及使用长期可靠性方面制定了相应的质量评价方案。半导体塑封器件通过质量评价方案的试验项目,包括筛选试验、可靠性鉴定试验和破坏性物理分析(DPA)三方面的试验,降低了塑封器件在应用中的风险,对我国高可靠领域中对塑封器件的选用具有一定的借鉴意义。 展开更多

关键词 塑封器件(PEM) 高可靠性 失效模式 评价 方案

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AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声测试方法研究

6

作者 高蕾 迟雷 +1 位作者 彭浩 黄杰 《电子质量》 2021年第10期126-130,共5页

AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声比常规电参数对缺陷更为敏感,缺陷信息更加丰富,且具有不可恢复的特点,与器件的质量和可靠性密切相关。该文设计了AlGaN/GaN HEMT器件低频噪声测试的偏置电路、建立了一套低频噪声测试系统,对不同测试端口... AlGaN/GaN HEMT器件的低频噪声比常规电参数对缺陷更为敏感,缺陷信息更加丰富,且具有不可恢复的特点,与器件的质量和可靠性密切相关。该文设计了AlGaN/GaN HEMT器件低频噪声测试的偏置电路、建立了一套低频噪声测试系统,对不同测试端口和偏置条件下的低频噪声水平进行了测试,通过对比分析得到了低频噪声测试结果与电压、电流之间的关系,并对测试结果进行了误差分析,对AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性评价有重要意义。 展开更多

关键词 AlGaN/GaN HEMT器件 低频噪声测试 可靠性

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固态微波功率器件应用验证技术研究

7

作者 柳华光 张魁 黄杰 《电子质量》 2017年第11期54-57,共4页

电子元器件应用验证是一种新的工程应用质量保证体系。它以元器件的工程应用为目的,通过多级验证的方式,来评估元器件的可靠性、成熟度以及工程可用度。该文结合我中心已进行的应用验证工作经验,给出了器件级应用验证的三个组成部分及... 电子元器件应用验证是一种新的工程应用质量保证体系。它以元器件的工程应用为目的,通过多级验证的方式,来评估元器件的可靠性、成熟度以及工程可用度。该文结合我中心已进行的应用验证工作经验,给出了器件级应用验证的三个组成部分及每个部分包含的评价要素。对某款Ga N功率器件进行了器件级应用验证,给出了具体评价要素及验证项目,列出了需补充进行的电参数测试项目,描述了主要试验项目的试验方法,最后给出了器件验证结论。 展开更多

关键词 固态微波功率器件 应用验证 质量保证体系

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功率LED使用寿命评价 被引量：7

8

作者 高金环 彭浩 +4 位作者 武红玉 刘东月 高兆丰 黄杰 徐立生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期452-454,共3页

概述了照明用功率LED的发展历程,遵循LED的退化规律和退化系数与结温间满足阿列尼斯方程的关系,提出了一种实用的温度应力加速寿命试验对功率LED寿命进行评价的试验方法,并利用上述方法对CREE公司生产的功率型红光LED的寿命进行评价,采... 概述了照明用功率LED的发展历程,遵循LED的退化规律和退化系数与结温间满足阿列尼斯方程的关系,提出了一种实用的温度应力加速寿命试验对功率LED寿命进行评价的试验方法,并利用上述方法对CREE公司生产的功率型红光LED的寿命进行评价,采用图估法和数值分析两种方法进行数据处理,获得了其工作结温不高于80℃的使用寿命,对功率LED可靠性研究具有一定的意义。 展开更多

关键词 功率发光二极管 加速寿命试验 加速系数 激活能 使用寿命

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高亮发光二极管寿命评价 被引量：9

9

作者 闫德立 高金环 +1 位作者 高兆丰 徐立生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期978-980,共3页

高亮发光二极管广泛应用于户外显示屏、交通灯、汽车灯及电子设备和工业设备指示灯等方面,因其具有体积小、功耗低、寿命长、反映速度快、适合量产等诸多优点,因而使用市场巨大,对其寿命评价尤显意义重大。通过温度应力的加速寿命试验... 高亮发光二极管广泛应用于户外显示屏、交通灯、汽车灯及电子设备和工业设备指示灯等方面,因其具有体积小、功耗低、寿命长、反映速度快、适合量产等诸多优点,因而使用市场巨大,对其寿命评价尤显意义重大。通过温度应力的加速寿命试验对某高亮型LED的平均寿命进行了快速评价,设计采取单一加速应力的试验方法,通过建立加速模型,进行加速试验,采用退化系数解析法进行数据处理,最终得到了室温下该高亮型LED的平均寿命。 展开更多

关键词 发光二极管 光通量 退化系数 加速寿命 平均寿命

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军用标准PIND试验方法发展与对比分析 被引量：5

10

作者 席善斌 高金环 +3 位作者 裴选 尹丽晶 高东阳 彭浩 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期313-320,共8页

封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响。粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为一项无损筛选试验并得到广泛的应用。... 封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响。粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为一项无损筛选试验并得到广泛的应用。给出了腔体内部可动粒子的危害,详细研究了美国和中国军用标准PIND试验方法的发展历程及现状,对比了3种PIND试验标准不同版本试验参数的变化,分析了标准参数变化产生的影响,给出了筛选批接收的试验流程,对试验人员具有一定指导作用,提高了PIND筛选试验的准确性。 展开更多

关键词 粒子碰撞噪声检测(PIND) 筛选试验 可动粒子 振动频率 军用标准

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大功率LED稳态热阻测试的关键因素 被引量：4

11

作者 彭浩 武红玉 +2 位作者 刘东月 张瑞霞 徐立生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期455-458,共4页

热阻值是衡量LED芯片和封装导热性能的主要参数,但在热阻的测试过程中时间、温度和电流等因素都会对结果造成直接影响,因此测试时应综合各种因素,透彻理解参数定义,根据相关标准灵活运用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性。按照热... 热阻值是衡量LED芯片和封装导热性能的主要参数,但在热阻的测试过程中时间、温度和电流等因素都会对结果造成直接影响,因此测试时应综合各种因素,透彻理解参数定义,根据相关标准灵活运用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性。按照热阻测试步骤,详述影响其测试结果的因素,并提出较为准确的修正方法,设计了简单试验来验证测试结果是否符合理论分析。经试验证明,该测试方法可作为制定LED标准中的参考。 展开更多

关键词 发光二极管 导热性 热阻测试 芯片和封装 重复性

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分布式老炼试验电源监视系统的研制 被引量：1

12

作者 彭浩 李伟 +2 位作者 周晓黎 桂明洋 宋瑛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第12期986-991,共6页

针对国内半导体检测机构老炼试验大规模依赖于人工的现状,研制了一种基于TCP/IP网络的分布式半导体器件老炼试验电源监视系统,介绍了系统结构和功能的设计方案,详细说明了具体实现方式和关键技术,包括多类型电源通信兼容性、接口转换与... 针对国内半导体检测机构老炼试验大规模依赖于人工的现状,研制了一种基于TCP/IP网络的分布式半导体器件老炼试验电源监视系统,介绍了系统结构和功能的设计方案,详细说明了具体实现方式和关键技术,包括多类型电源通信兼容性、接口转换与电磁隔离、通信速率优化和属性化任务管理等相关实现方案。该电源监视系统提高了半导体器件老炼试验的信息化水平,在降低成本的同时显著提升了试验质量,通过该系统可以监测器件正常老化、电源功能异常和夹具状态异常等试验过程数据,为设备维护和夹具设计提供了依据。该分布式老炼试验电源监视系统已应用于某半导体检测机构的可靠性试验系统中。 展开更多

关键词 半导体器件 可靠性试验 老炼试验 分布式系统 网络技术 信息化系统

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粗检漏试验标准问题的研究及建议 被引量：1

13

作者 宋玉玺 李巍 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1099-1101,共3页

有些外形较小或内腔腔体体积较小并且检漏合格的电子产品,进行水汽含量测定时有时会出现样品水汽含量超标现象。为证明现行国家标准中粗检漏试验方法(高温氟油加压检漏法)会对产品出现误判的问题,通过一系列试验和研究,证明了外形较小... 有些外形较小或内腔腔体体积较小并且检漏合格的电子产品,进行水汽含量测定时有时会出现样品水汽含量超标现象。为证明现行国家标准中粗检漏试验方法(高温氟油加压检漏法)会对产品出现误判的问题,通过一系列试验和研究,证明了外形较小或内腔腔体体积较小存在漏孔的电子产品,严格按照现行的粗检漏试验方法中规定的样品在空气中干燥有效时间(2±1)min内进行试验,试验得到了多种结果,进而对产品形成误判,为此对标准中的该试验方法提出了一些新的建议。 展开更多

关键词 粗检漏 干燥时间 标准 水汽含量 误判

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LED模块光通维持寿命的快速评价研究 被引量：1

14

作者 刘东月 赵敏 +1 位作者 黄杰 徐立生 《信息技术与标准化》 2013年第10期34-36,共3页

通过步进应力试验确定试验的加速应力温度,再对LED模块进行温度恒定应力加速寿命试验,获得高温度应力下的光通维持寿命值,并推导出其工作结温为80℃时的光通维持寿命,为LED长期使用的可靠性提供了一定的参考。

关键词 LED模块 步进应力试验 加速寿命试验 光通维持寿命

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宇航级晶体管寿命试验

15

作者 张瑞霞 裴选 +1 位作者 徐立生 高兆丰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期715-718,共4页

选取美国宇航级晶体管2N2219AL同批次的4组(分别为A,B,C和D组)样品进行了寿命试验。A组样品在额定功率P CM为800 mW下进行了6 000 h的工作寿命试验;B,C和D组样品分别在试验应力P为1 200,1 400和1 600 mW下,进行了恒定应力加速寿命试验... 选取美国宇航级晶体管2N2219AL同批次的4组(分别为A,B,C和D组)样品进行了寿命试验。A组样品在额定功率P CM为800 mW下进行了6 000 h的工作寿命试验;B,C和D组样品分别在试验应力P为1 200,1 400和1 600 mW下,进行了恒定应力加速寿命试验。对样品电参数直流共发射极电流增益h FE的测试结果表明,h FE呈先增后减的缓慢退化趋势,同时I CBO远小于5 nA的失效标准。试验后,A组样品又在北方实验室环境下贮存了14年,距其制造日期已有32年。对其电参数复测,并与1998年的测试结果对比,没有明显的变化。揭示了高可靠性晶体管在长期工作寿命试验中电参数的变化规律,为其极长的贮存寿命提供了有力的证据。 展开更多

关键词 宇航级晶体管 工作寿命 长期贮存寿命 加速寿命 HFE ICBO

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S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验

16

作者 童亮 彭浩 +1 位作者 高金环 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期321-325,共5页

为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根... 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。 展开更多

关键词 硅微波功率晶体管 加速寿命试验 阿列尼乌斯模型 可靠性 S波段

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Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计

17

作者 童亮 彭浩 +1 位作者 高金环 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期639-642,650,共5页

温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关。通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验顺利进行的必要条件。提供了两... 温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关。通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验顺利进行的必要条件。提供了两种加速寿命试验夹具的设计思路,并用于Si微波功率管加速寿命试验,通过步进应力试验和恒定应力试验,获取了该Si微波功率管加速寿命。分体夹具可耐受的试验温度在260℃以上,为加速寿命试验提供了温度应力的提升空间。 展开更多

关键词 加速寿命试验 可靠性 试验夹具 Si微波功率管 步进应力试验

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多通道T/R组件多热源耦合仿真模型

18

作者 彭浩 桂明洋 +1 位作者 迟雷 宋瑛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期492-496,共5页

半导体器件可靠性受其热效应的影响,多通道T/R组件的温度场本身存在多热源耦合,还受到电磁损耗的影响。为定量研究组件的热效应,建立了基于有限元仿真的T/R组件热力学模型,除芯片热效应和组件的三维结构外,该模型还考虑了组件不同位置... 半导体器件可靠性受其热效应的影响,多通道T/R组件的温度场本身存在多热源耦合,还受到电磁损耗的影响。为定量研究组件的热效应,建立了基于有限元仿真的T/R组件热力学模型,除芯片热效应和组件的三维结构外,该模型还考虑了组件不同位置的材料特性、组件表面电磁功率损耗和印制电路板(PCB)布线,较传统模型大幅提高了模型精细化程度。通过仿真得到了多通道T/R组件的温度场分布,为组件热设计提供了依据,仿真分析认为PCB含铜量和外壳表面积是影响散热效率的关键因素。最后利用红外热像仪对组件进行测试,并将实测结果与仿真结果进行验证。仿真结果与实测结果相接近,模型精度较传统仿真模型有较大提升。 展开更多

关键词 T/R组件 热力学模型 有限元仿真 温度场 红外测温

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IGBT热可靠性分析简述 被引量：3

19

作者 尹丽晶 《电子质量》 2020年第8期27-30,共4页

IGBT器件被认为是一种可用于需要高压、大电流和高速应用领域的理想功率器件,驱动功率小而饱和压降低。该文对IGBT器件的基本原理及其主要热失效模式进行了简要介绍,并提出了改进意见。

关键词 IGBT 基本原理 热失效

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堆叠结构BGA焊接可靠性评价方法 被引量：6

20

作者 冉红雷 韦婷 +4 位作者 张魁 黄杰 柳华光 赵海龙 尹丽晶 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第5期407-411,共5页

设计了基于实时监测菊花链拓扑结构动态电阻的叠层球栅阵列封装(BGA)焊接可靠性评价方法,使用该方法研究叠层器件BGA焊接互连结构的环境可靠性。以基于硅通孔(TSV)技术的BGA互连的硅基双层器件为例,首先通过有限元仿真确定叠层器件各层... 设计了基于实时监测菊花链拓扑结构动态电阻的叠层球栅阵列封装(BGA)焊接可靠性评价方法,使用该方法研究叠层器件BGA焊接互连结构的环境可靠性。以基于硅通孔(TSV)技术的BGA互连的硅基双层器件为例,首先通过有限元仿真确定叠层器件各层焊点在-55~125℃条件下的应变和应力,并根据应变和应力将每一叠层焊点划分为敏感焊点和可靠焊点;然后将敏感焊点通过器件键合焊盘、键合丝、TSV、垂直过孔、可靠焊点和PCB布线相连接形成菊花链。由于敏感焊点是菊花链的薄弱环节,可以通过监测菊花链电阻变化来研究叠层器件的环境可靠性,并以此为基础设计了堆叠结构BGA产品焊接可靠性试验系统。该方法简单高效,能快速解决常规失效分析方法无法检测的BGA虚焊接、微小缺陷等问题。 展开更多

关键词 球栅阵列封装(BGA) 焊接可靠性 菊花链 动态监测 应变和应力

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