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太阳能级多晶硅标准的现状及发展被引量：8: 1; 作者靳瑞敏郭新峰 +2 位作者陈兰莉罗鹏辉郑小燕《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期118-120,共3页; 回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺... 展开更多; 关键词太阳能级多晶硅标准杂质含量; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究: 2; 作者靳瑞敏蔡志端 +3 位作者苍利民阎韬徐建军栗书增《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期278-281,共4页; 本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析。; 关键词非晶硅薄膜二次晶化多晶硅薄膜结晶团现象晶化机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响被引量：3: 3; 作者靳瑞敏王玉仓 +3 位作者陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期89-91,共3页; 通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析... 展开更多; 关键词 PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜二次晶化拉曼光谱扫描电镜; 在线阅读下载PDF 职称材料

催化剂对制备SiO_2减反膜的影响被引量：6: 4; 作者靳瑞敏肖东岳 +3 位作者苍利民阎韬徐建军韩香菊《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期72-74,共3页; 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H20和HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,通过调节催化剂控制SiO2纳米颗粒尺度,然后在玻璃上用旋涂法镀膜并对其进行热处理,制备低折射率SiO2减反膜.分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶 SiO2减反膜催化剂薄膜结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响被引量：1: 5; 作者靳瑞敏蔡志端 +3 位作者苍利民阎韬徐建军栗书增《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期105-106,共2页; 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶 SiO2减反膜 PVA添加剂薄膜结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

光和传统热固化对SiO_2减反膜影响的对比: 6; 作者靳瑞敏蔡志端 +3 位作者苍利民阎韬徐建军栗书增《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期461-463,共3页; 以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,采用溶胶-凝胶技术,通过调节添加剂控制溶胶溶液性能,然后分别用光固化和传统电阻炉固化两种不同的热处理方案,制备出低折射率SiO2光学减反薄膜。分别采用椭偏仪、扫描电镜等对所制备薄膜的结构、物性进... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶SiO2薄膜光固化传统电阻炉固化表面结构折射率; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名太阳能级多晶硅标准的现状及发展被引量：8: 1; 作者靳瑞敏郭新峰陈兰莉罗鹏辉郑小燕; 机构南阳理工学院太阳能电池研究所河南省太阳能电池工程研究中心; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期118-120,共3页; 基金国家高技术产业计划项目(发改办高技072490) 河南省基础与前沿研究项目(N0.072300410310); 文摘回顾了太阳能级多晶硅标准这一问题的由来,分析了制定太阳能级多晶硅标准中的有关杂质含量的争论,对太阳能级多晶硅标准提出了一些看法和思考:应加快以物理法多晶硅为原料制作太阳能电池技术问题的研究;解决太阳能电池的衰减、生产工艺改进及物理法多晶硅性能的稳定性问题;多晶硅标准最终应该是一个不区分生产方法的、以主要杂质含量为指标的标准。; 关键词太阳能级多晶硅标准杂质含量; Keywords solar poly-silicon, criteria,impurities content; 分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究: 2; 作者靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增; 机构南阳理工学院太阳能电池研究所安彩高科股份有限公司博士后工作站郑州大学物理工程学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期278-281,共4页; 文摘本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析。; 关键词非晶硅薄膜二次晶化多晶硅薄膜结晶团现象晶化机理; Keywords a-Si： H film recrystallization poly-Si thin film phenomenon of crystal group formation mechanism; 分类号 TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响被引量：3: 3; 作者靳瑞敏王玉仓陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄; 机构南阳理工学院太阳能电池研究所郑州大学材料物理教育部重点实验室南阳医学高等专科学校; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期89-91,共3页; 基金国家高技术产业计划项目(发改办高技072490) 河南省基础与前沿基础研究项目(072300410310); 文摘通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h,于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点。; 关键词 PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜二次晶化拉曼光谱扫描电镜; Keywords PECVD, a-Si ： H thin film, poty Si thin films, secondary crystallization, Raman scattering, SEM; 分类号 TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名催化剂对制备SiO_2减反膜的影响被引量：6: 4; 作者靳瑞敏肖东岳苍利民阎韬徐建军韩香菊; 机构南阳理工学院太阳能电池研究所安彩高科股份有限公司博士后工作站; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第S1期72-74,共3页; 基金国家高技术产业计划项目(No.发改办高技072490) 河南省基础与前沿基础研究项目(No.072300410310)资助; 文摘以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H20和HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,通过调节催化剂控制SiO2纳米颗粒尺度,然后在玻璃上用旋涂法镀膜并对其进行热处理,制备低折射率SiO2减反膜.分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究不同性质和剂量的催化剂对薄膜结构、折射率的影响.结果表明:通过控制适量的碱酸催化剂可以制备出低折射率多孔结构的SiO2太阳电池减反膜.; 关键词溶胶-凝胶 SiO2减反膜催化剂薄膜结构; Keywords Sol-gel process Silica film Catalytic agent Structure of film; 分类号 O484.41 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响被引量：1: 5; 作者靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增; 机构南阳理工学院太阳能电池研究所安彩高科股份有限公司博士后工作站郑州大学材料物理工程学院; 出处《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期105-106,共2页; 基金国家高技术产业计划项目(发改办高技072490) 河南省基础与前沿基础研究项目(072300410310)资助; 文摘以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,乙醇为溶剂,NH3.H2O为催化剂,采用溶胶-凝胶技术,加入PVA(聚乙烯醇)添加剂,在玻璃上用旋涂法制备减反膜,并对其进行热处理;分别采用椭偏仪和扫描电镜对所制备减反膜的结构、物性进行研究,研究PVA添加剂对减反膜结构、折射率的影响。结果表明:适量的PVA添加剂可以控制SiO2太阳电池减反膜的开裂。; 关键词溶胶-凝胶 SiO2减反膜 PVA添加剂薄膜结构; Keywords sol-gel process, silica film, PVA, structure of film; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光和传统热固化对SiO_2减反膜影响的对比: 6; 作者靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增; 机构南阳理工学院太阳能电池研究所安彩高科股份有限公司博士后工作站郑州大学物理工程学院; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期461-463,共3页; 基金国家高技术产业计划项目资助项目(发改办高技072490) 河南省基础与前沿基础研究资助项目(072300410310); 文摘以正硅酸乙酯(TEOS)为有机硅源,采用溶胶-凝胶技术,通过调节添加剂控制溶胶溶液性能,然后分别用光固化和传统电阻炉固化两种不同的热处理方案,制备出低折射率SiO2光学减反薄膜。分别采用椭偏仪、扫描电镜等对所制备薄膜的结构、物性进行研究。研究结果表明:光固化比传统电阻炉固化减反膜折射率低。; 关键词溶胶-凝胶SiO2薄膜光固化传统电阻炉固化表面结构折射率; Keywords Sol-gel process silica film light treatment furnace treatment surface structure refractiveindex; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	太阳能级多晶硅标准的现状及发展	靳瑞敏郭新峰陈兰莉罗鹏辉郑小燕	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2009	8	在线阅读下载PDF 职称材料
2	多晶硅薄膜结晶团晶化机理的研究	靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	退火温度和时间对制备多晶硅薄膜的影响	靳瑞敏王玉仓陈兰莉罗鹏辉郭新峰卢景霄	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	催化剂对制备SiO_2减反膜的影响	靳瑞敏肖东岳苍利民阎韬徐建军韩香菊	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	PVA对SiO_2减反膜表面结构的影响	靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增	《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	光和传统热固化对SiO_2减反膜影响的对比	靳瑞敏蔡志端苍利民阎韬徐建军栗书增	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料