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ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
1
作者
朱振邦
顾书林
+4 位作者
朱顺明
叶建东
黄时敏
顾然
郑有炓
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期449-452,共4页
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。...
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
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关键词
ZnO/ZnMgO
异质结场效应管
迁移率
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职称材料
题名
ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
1
作者
朱振邦
顾书林
朱顺明
叶建东
黄时敏
顾然
郑有炓
机构
南京大学电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期449-452,共4页
基金
国家自然科学基金(61025020
60990312)
+1 种基金
国家"973"计划项目(2011CB302003)
江苏省自然科学基金(SBK201121728)资助项目
文摘
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
关键词
ZnO/ZnMgO
异质结场效应管
迁移率
Keywords
ZnO/ZnMgO
heterostructure field-effect transistor（HFET）
mobilily
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
朱振邦
顾书林
朱顺明
叶建东
黄时敏
顾然
郑有炓
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
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