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Y_1Ba_2Cu_3O_6+δ系超导陶瓷的正电子湮没研究
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作者 陈昂 智宇 +3 位作者 李标荣 张绪礼 李晓华 王少阶 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1992年第1期120-124,共5页
采用正电子湮没技术测量了不同氧含量的Y_1Ba_2Cu_3O_(6+8)(0<δ<1.0)系超导陶瓷的正电子寿命谱。发现正电子寿命随氧含量增加,呈现非单调的变化,根据正电子理论对其进行了分析。结果表明:正电子寿命能灵敏地反映出氧在Cu-O链上... 采用正电子湮没技术测量了不同氧含量的Y_1Ba_2Cu_3O_(6+8)(0<δ<1.0)系超导陶瓷的正电子寿命谱。发现正电子寿命随氧含量增加,呈现非单调的变化,根据正电子理论对其进行了分析。结果表明:正电子寿命能灵敏地反映出氧在Cu-O链上填充的有序—无序转变以及正交相—四方相的结构相变。这也表明了正电子湮没技术可能是研究高温超导陶瓷的一个有力工具。 展开更多
关键词 超导陶瓷 正电子湮没 YBACUO
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受主杂质Mn对(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC热敏陶瓷的影响 被引量:2
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作者 智宇 陈昂 +2 位作者 张绪礼 周国良 王筱珍 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1993年第1期116-121,共6页
本文研究了(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体陶瓷中半导化与其烧结工艺、铅空位、钡空位和施、受主杂质等相互之间的关系。着重分析讨论了引入受主杂质Mn对材料的半导化的影响,并采用复合缺陷模型自洽地解释了实验现象。
关键词 PTC陶瓷 受主杂质 半导体陶瓷
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薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术 被引量:1
3
作者 何华辉 冯则坤 +1 位作者 欧阳嘉 张颖 《光通信技术》 CSCD 1994年第1期8-13,共6页
叙述了Bi,Al:YIG薄膜的液相外延生长,研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Bi含量的关系。在此基础上,连续外延生长了作单模磁光波导的双层Bi,Al:YIC薄膜。光纤偏振器... 叙述了Bi,Al:YIG薄膜的液相外延生长,研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Bi含量的关系。在此基础上,连续外延生长了作单模磁光波导的双层Bi,Al:YIC薄膜。光纤偏振器的使用使薄膜波导光隔离器向实用化迈进了一步,恒磁薄膜作偏磁场为器件集成化作出了贡献。采用MOCVD技术,在GGG(钆镓石榴石)基片上同时外延生长Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜和钇铁石榴石(YIG)薄膜,把光隔离器和磁光光源直接集成在一起,是一种非常有前景的光电子集成组件。 展开更多
关键词 薄膜 波导 光隔离器 光电子
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带电导体球壳系统的精确解 被引量:1
4
作者 谭立国 《大学物理》 北大核心 1996年第10期12-14,共3页
导出了包围有接地导体球的带电导体球壳与地组成的静电系统的精确解.证明在该系统中,不管球壳与地之间的距离如何,电行在地面产生的电势与在无限远产生的电势总是相等.指出不精确解会导致无限远与大地的电势不相等的错误结论.
关键词 带电球壳 零电势点 精确解
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三种不同结合能Λ′、Λ、Λ_(eff)与STM场蒸发的关系
5
作者 李志扬 黄光明 +1 位作者 刘武 李兴教 《电子显微学报》 CAS CSCD 1999年第1期19-22,共4页
本文探讨了总结合能Λ′、结合能(升华能)Λ和有效结合能Λeff,与扫描隧道显微镜(STM)场蒸发的关系。计算表明,随着探针样品间距d减小,Λeff迅速减小,而Λ′不断增加。相应地采用Λeff计算的蒸发场强随着d减小而... 本文探讨了总结合能Λ′、结合能(升华能)Λ和有效结合能Λeff,与扫描隧道显微镜(STM)场蒸发的关系。计算表明,随着探针样品间距d减小,Λeff迅速减小,而Λ′不断增加。相应地采用Λeff计算的蒸发场强随着d减小而迅速减小,且能给出与实验相吻合的结果。而采用Λ′计算的蒸发场强随着d减小会出现一个峰值,该峰值超过当d为无穷大时的蒸发场强,明显与实验矛盾。当使用Λ时,蒸发场强随着d减小变化缓慢,而且高出实验测量值几倍。本文认为在STM场蒸发中真正起作用的是有效结合能Λeff。 展开更多
关键词 扫描隧道显微镜 有效结合能 场蒸发 STM
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电子束蒸发制备MoO_3薄膜及其电致变色特性
6
作者 吴正华 丘思畴 +1 位作者 黄汉尧 何华辉 《光电子技术》 CAS 1996年第3期214-218,共5页
在三种条件下采用电子束蒸发方法制备钼氧化物薄膜。从烧结靶淀积出的薄膜为多晶状态;从粉末压结靶淀积出非晶态薄膜。在LiClO4-PC电解质中测试各种薄膜的循环伏安特性和阶跃电压下的电流响应和光透射响应,表明2.5×10-2Pa氧... 在三种条件下采用电子束蒸发方法制备钼氧化物薄膜。从烧结靶淀积出的薄膜为多晶状态;从粉末压结靶淀积出非晶态薄膜。在LiClO4-PC电解质中测试各种薄膜的循环伏安特性和阶跃电压下的电流响应和光透射响应,表明2.5×10-2Pa氧分压下压结靶淀积的薄膜具有较好的电色性能;XPS分析该种薄膜为MoO3组份,Li+注入使Mo3d和O1s的结合能降低。 展开更多
关键词 电子束蒸发 钼氧化物薄膜 电致变色
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添加剂对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响
7
作者 马跃 许毓春 +1 位作者 王礼琼 李慧玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期420-423,共4页
文章介绍了以Fe2O3和Cu2O为主成分的陶瓷材料的负阻特性,分析论述了Co2O3、Bi2O3以及MnO2掺杂对Fe-Cu系陶瓷材料负阻性能的影响,实验制得负阻系数n>10,电压Vp>200的负阻性能良好的陶瓷材料。
关键词 陶瓷 负阻特性 掺杂 铁-铜系
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电子镇流器控制集成电路ML4830/4831
8
作者 丘睦钦 徐彦忠 《国外电子元器件》 1995年第10期18-21,共4页
本文介绍了微线性公司(MicroLinear)制造的一种电子镇流器核心控制集成电路及其工作原理。该电路包括功率因数校正电路和灯光亮度调整的自保护电路,是电子镇流器向智能功率集成的一个很好实例。
关键词 电子镇流器 控制电路 镇流器 集成电路
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 被引量:10
9
作者 王培英 余大年 +3 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 李楚容 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期54-58,共5页
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜... 用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构。界面层的存在使介电系数、自发极化、矫顽电压、漏电流都与薄膜的厚度有关。 展开更多
关键词 铁电薄膜 PZT铁电薄膜 界面 电滞回线 电极
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硅材料湿法提纯理论分析及工艺优化 被引量:20
10
作者 王宇 尹盛 +2 位作者 肖成章 何笑明 王敬义 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期174-180,共7页
介绍了中等规模太阳级硅粉的湿法提纯工艺,就硅粉回收率、硅粒尺寸及酸洗液浓度等重要工艺参数对杂质含量及提纯成本的影响进行了分析。讨论了高浓度酸萃取时“钝化现象”的机理并修正了理论模型。根据理论分析与实验数据进行工艺优化... 介绍了中等规模太阳级硅粉的湿法提纯工艺,就硅粉回收率、硅粒尺寸及酸洗液浓度等重要工艺参数对杂质含量及提纯成本的影响进行了分析。讨论了高浓度酸萃取时“钝化现象”的机理并修正了理论模型。根据理论分析与实验数据进行工艺优化,为大规模湿法提纯太阳级硅材料提供了重要依据。 展开更多
关键词 太阳能 湿法 提纯
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一种新型廉价太阳级硅制备技术 被引量:8
11
作者 赵宁 李忠 +1 位作者 李兴教 王敬义 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期57-62,共6页
介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价大阳级硅制备系统,运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析,建立了硅粉在该系统中的运动模型,并且对系统内硅... 介绍了一种利用辉光放电产生冷等离子体进行硅粉纯化的廉价大阳级硅制备系统,运用流体力学和低温等离子体物理学的原理对该系统中的气体流动、电场分布以及硅粉受力进行了详细的分析,建立了硅粉在该系统中的运动模型,并且对系统内硅粉运动速度进行了讨论,提出了优化冶金效果的措施。 展开更多
关键词 硅粉 提纯 等离子体 冶炼 制备 太阳能电池
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涡街流量计用压电陶瓷材料的研究 被引量:6
12
作者 姜胜林 龚树萍 +1 位作者 吕文中 周东祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第3期204-206,216,共4页
在分析Ph(Ti,Zr)O3+BiFeO3+Sr(Cu1/3Nb2/3)O3以及Ph[(Zn1/3Nb2/3)(Ti,Zr)]O3系列压电性能的基础上,通过调整系统中的锆钛比,得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压... 在分析Ph(Ti,Zr)O3+BiFeO3+Sr(Cu1/3Nb2/3)O3以及Ph[(Zn1/3Nb2/3)(Ti,Zr)]O3系列压电性能的基础上,通过调整系统中的锆钛比,得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。实验结果表明,减少PZT系统中的锆钛比,可提高系统的居里温度,这一点对开发高温压电陶瓷材料有指导意义。 展开更多
关键词 压电特性 锆钛比 居里温度 高温 压电陶瓷材料
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Nb_2O_5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 被引量:8
13
作者 李慧峰 许毓春 +1 位作者 王礼琼 王士良 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第6期27-30,共4页
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度... 本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 展开更多
关键词 氧化锌陶瓷 压敏电阻器 陶瓷 掺杂 性能 电阻器
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高温高频用改性PbTiO_3压电陶瓷材料研究 被引量:6
14
作者 黎步银 龚树萍 +1 位作者 姜胜林 周东祥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第1期57-60,共4页
研究了Pb(Cd1/3Nb2/3)O3、Bi2/3(Cd1/3Nb2/3)O3以及Bi(Cd1/2Ti1/2)O3改性的PbTiO3陶瓷的高温高频压电性能。结果表明,对ABO3型钙钛矿结构的PbTiO3进行A、B位复... 研究了Pb(Cd1/3Nb2/3)O3、Bi2/3(Cd1/3Nb2/3)O3以及Bi(Cd1/2Ti1/2)O3改性的PbTiO3陶瓷的高温高频压电性能。结果表明,对ABO3型钙钛矿结构的PbTiO3进行A、B位复合取代可得到压电性能优良,适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与A位取代的Bi3+离子价态。 展开更多
关键词 改性 高温高频 压电陶瓷材料
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PZT铁电薄膜的掺杂改性 被引量:4
15
作者 王培英 余大年 +2 位作者 刘梅冬 曾亦可 饶韫华 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第2期111-114,共4页
用溶胶-凝胶方法制备了掺高价离子钇及过量Pb的PZT铁电薄膜。探讨了添加剂对PZT铁电薄膜的结构和电特性的影响。实验表明,过量r(Pb)6%或掺高价离子r(Y)3%能较大地改善PZT铁电薄膜的电性能。
关键词 溶胶-凝胶 掺杂 疲劳 PZT铁电薄膜 铁电材料
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溶胶-凝胶法制备高取向Bi_4Ti_3O_(12)/SrTiO_3(100)薄膜 被引量:3
16
作者 顾豪爽 王世敏 +5 位作者 吴新民 邝安祥 马世安 汪连山 赵建洪 李兴教 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第1期63-66,共4页
Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of ... Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of pH value of solution on quality of the thin films was studied. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 高取向薄膜 钛酸锶
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PZT铁电薄膜的制备及电学性能研究 被引量:8
17
作者 王培英 刘梅冬 +2 位作者 曾亦可 饶韫华 何恩培 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1996年第2期109-113,共5页
使用硝酸锆作锆源的溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线,电流I(t)特性,漏电流,矫顽场疲劳和老化。测到的PZT薄膜剩余极化8.2μC/cm~2,矫顽场68kV/cm.簿膜的寿命可超过10... 使用硝酸锆作锆源的溶胶-凝胶方法制备PZT铁电薄膜。他们的电学性能被测试包括电滞回线,电流I(t)特性,漏电流,矫顽场疲劳和老化。测到的PZT薄膜剩余极化8.2μC/cm~2,矫顽场68kV/cm.簿膜的寿命可超过10^(11)周期。 展开更多
关键词 压电陶瓷 PZT 铁电薄膜
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Sol-Gel方法制备掺Y PZT铁电薄膜材料的研究 被引量:4
18
作者 余大年 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 王培英 饶韫华 李楚容 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第1期50-53,共4页
介绍用Sol-Gel方法制备掺YPZT(PYZT)铁电薄膜的工艺,并比较了PZT和PYZT薄膜的性能参数。实验结果表明。
关键词 铁电薄膜 掺杂 压电铁电材料
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压电陶瓷扫描管在纳米加工中的应用 被引量:3
19
作者 李志扬 刘武 +1 位作者 钟小丽 李兴教 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期25-27,44,共4页
用一圆筒形压电陶瓷作三维微位移器,控制扫描隧道显微镜金属探针,利用场蒸发原理,实现了纳米加工。用Au、Cu和Ni等金属针尖在金表面制作了纳米尺寸的图案、汉字,其中组成这些图案和汉字的每个原子堆的直径约10~40nm。... 用一圆筒形压电陶瓷作三维微位移器,控制扫描隧道显微镜金属探针,利用场蒸发原理,实现了纳米加工。用Au、Cu和Ni等金属针尖在金表面制作了纳米尺寸的图案、汉字,其中组成这些图案和汉字的每个原子堆的直径约10~40nm。实验表现出非常好的可控性、重复性和稳定性。 展开更多
关键词 压电陶瓷 扫描管 扫描隧道显微镜 纳米加工 IC
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准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究 被引量:3
20
作者 李兴教 赵建洪 +2 位作者 安承武 李再光 李少平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第2期112-115,138,共5页
采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表... 采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。 展开更多
关键词 BIT PZT BIT 铁电薄膜 记忆特性 C-V特性
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