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金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究 被引量:6
1
作者 闫桂珍 张大成 +1 位作者 李婷 王颖 《微纳电子技术》 CAS 2002年第1期40-43,共4页
开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺... 开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。 展开更多
关键词 金属剥离 衬底腐蚀 OHR技术 微电子
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三维微加工新技术——DEM技术研究 被引量:4
2
作者 赵旭 陈迪 张大成 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第5期107-109,共3页
DEM技术 (Deepetching ,ElectroformingandMicroreplication )是继硅微加工技术和LIGA技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工技术。该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的部分工艺 ,可对非硅材料进行三维微加工。目前利用该技术已... DEM技术 (Deepetching ,ElectroformingandMicroreplication )是继硅微加工技术和LIGA技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工技术。该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的部分工艺 ,可对非硅材料进行三维微加工。目前利用该技术已获得了微复制模具 ,并已模压出多种高深宽比塑料微结构。该技术的开发成功 ,为微机电系统的产业化奠定了基础。 展开更多
关键词 三维微加工 DEM技术 微机电系统
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线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究 被引量:1
3
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1108-1110,共3页
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般... 本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 . 展开更多
关键词 线性余因子差分亚阀电压峰 电应力诱生 MOSFET 界面陷阱 MOS器件 应力时间
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气体传感器阵列信号的盲分离研究 被引量:1
4
作者 魏广芬 唐祯安 +3 位作者 陈正豪 余隽 王立鼎 闫桂珍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期55-57,共3页
Responses of a Micro-hotplate based integrated gas sensor array to CO and CH4 were measured with an automated gas sensor calibration system.Combining with the blind source separation(BSS) techniques,the blind separa... Responses of a Micro-hotplate based integrated gas sensor array to CO and CH4 were measured with an automated gas sensor calibration system.Combining with the blind source separation(BSS) techniques,the blind separability in gas mixture analysis was discussed.The widely used BSS approach-Independent Component Analysis(ICA) was adopted to verify the proposed method by analyzing the gas mixtures of CO and CH4.The analysis results demonstrate that BSS was an effective way to extract the information of gas components in mixtures,from which the gas concentrations can be estimated.The average relative quantification errors were 9.37% and 8.11% for CO and CH4,respectively,in the specified concentration ranges. 展开更多
关键词 盲信号分离 气体传感器阵列 混合气体分析 独立分量分析法
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星载自适应光学系统新型可变形反射镜的研究 被引量:1
5
作者 余洪斌 陈海清 +2 位作者 竺子民 张大成 李婷 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期352-355,共4页
给出基于硅微加工技术的一种新型可变形反射镜的设计和加工方法。从静电驱动的角度阐述此种反射镜的结构设计原理,并对具体加工中的腐蚀和键合工艺进行了详细讨论。成功制造出有效反射面积为30 mm×30 mm,拥有49个静电驱动单元的可... 给出基于硅微加工技术的一种新型可变形反射镜的设计和加工方法。从静电驱动的角度阐述此种反射镜的结构设计原理,并对具体加工中的腐蚀和键合工艺进行了详细讨论。成功制造出有效反射面积为30 mm×30 mm,拥有49个静电驱动单元的可变形反射镜。 展开更多
关键词 可变形反射镜 体微加工 静电驱动 阳极键合
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选择离子注入集电极技术研究 被引量:1
6
作者 金海岩 张利春 高玉芝 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期130-133,共4页
为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成... 为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。 展开更多
关键词 基区扩展效应 选择离子注入集电区 双层多晶硅发射极晶体管 电流增益
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自对准硅化物SOI/CMOS技术研究
7
作者 徐立 奚雪梅 +2 位作者 武国英 李映雪 王阳元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期15-17,共3页
在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实.验表明,SALICIDE技术能有效地... 在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴(Co)硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实.验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间.提高SOI/CMOS电路的速度特性。 展开更多
关键词 自对准硅化物 SOI CMOS 集成电路
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钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究
8
作者 卢励吾 周洁 武国英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期23-27,共5页
利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个,在p型硅里有三个深能级生成.这些能级的浓度在10^(13)—10^(14)cm^(-3)之间.它们的产生可归因于替位钛原子,钛与RTA相互作用的络合物.
关键词 硅化物 溅射 深能级 瞬态谱
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短沟道CMOS/SIMOX器件及电路的辐照特性研究
9
作者 张兴 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期30-32,47,共4页
利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad... 利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。 展开更多
关键词 CMOS/SIMOX 薄膜 MOSFET SOI器件
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亚50nm新型半导体器件研究——973项目“系统芯片中新器件新工艺基础研究”主要进展
10
作者 张兴 《中国集成电路》 2002年第11期36-39,共4页
微电子产业的发展一直是波浪式前进的,2000年和2001年的全球微电子产业正好处于低谷,即使如此,从微电子技术发展方面来讲,微电子却进入了一个快速发展的阶段。目前,0.13微米集成电路制造工艺已经开始进入工业化大规模生产。自1999年以来。
关键词 系统芯片 主要进展 半导体器件 微电子产业 基础研究 新工艺 微电子技术 新结构 器件模型 新器件
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下一代新型半导体器件及工艺基础研究
11
作者 张兴 《中国集成电路》 2003年第46期44-47,共4页
引言微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的,微电子技术已经成为整个信息产业的基础和核心。自1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本。
关键词 半导体器件 制造工艺 集成电路 微电子技术 CMOS器件 DS0I器件 双栅器件 SON器件 肖特基势垒晶体管
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对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
12
作者 杨胜齐 何进 +1 位作者 黄如 张兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1605-1608,共4页
本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的... 本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的Kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。 展开更多
关键词 异型硅岛 厚膜全耗尽SOI KINK效应 集成电路 厚膜器件
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应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究
13
作者 陶江 武国英 +3 位作者 张国炳 孙玉秀 王阳元 都安彦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期110-112,共3页
本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(~16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及... 本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(~16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。 展开更多
关键词 硅化物 自对准技术 CoSi薄膜 形貌
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基于谐振原理的硅微机械加速度计 被引量:9
14
作者 贾玉斌 郝一龙 +1 位作者 钟莹 张嵘 《微纳电子技术》 CAS 2003年第7期271-273,共3页
基于力学振动原理 ,导出敏感梁类谐振振动的微分方程 ,给出了振梁型加速度计的设计原理。指出了加速度计谐振梁频率的相对变化量与梁的厚度无关 ;为避免输出非线性频率信号 。
关键词 谐振原理 硅微机械加速度计 类谐振器 非线性频率 激励振动 谐振传感器
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一种基于简单移位的二——十进制相互转换算法 被引量:15
15
作者 王迎春 吉利久 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期221-224,共4页
十进制码 (BCD)与二进制代码相互转换的问题的研究 ,主要偏重于软件实现 .本文基于数制变换的基本原理 ,提出了移位为基础的、适合硬件实现的转换算法 .并根据该算法 ,构造了 6 3位二进制与十进制代码的转换器 .同时 ,对该算法又进行了... 十进制码 (BCD)与二进制代码相互转换的问题的研究 ,主要偏重于软件实现 .本文基于数制变换的基本原理 ,提出了移位为基础的、适合硬件实现的转换算法 .并根据该算法 ,构造了 6 3位二进制与十进制代码的转换器 .同时 ,对该算法又进行了扩充 ,提出基 2 r 移位的算法 ,进一步提高性能 .从性能的比较可以看出 ,该算法速度高 ,逻辑简单 ,非常适合实时性要求较强的嵌入式领域应用 . 展开更多
关键词 十进制码 二进制 转换 N值逻辑 M值逻辑 进制
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CMOS电路参数的统计优化设计 被引量:3
16
作者 甘学温 冯小敏 +2 位作者 肖志广 杜刚 李佑斌 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期126-128,共3页
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对CMOS集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小... 本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对CMOS集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件. 展开更多
关键词 实验设计 工艺因数 阈值电压 优化设计 CMOS IC
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基于硅微加工技术的新型变形反射镜 被引量:3
17
作者 余洪斌 陈海清 +2 位作者 张大成 竺子民 李婷 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期825-829,共5页
 给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的...  给出了一种基于硅微加工技术的新型变形反射镜的设计和加工方法。变形反射镜镜面主体是由一定厚度的硅膜构成,硅膜上表面溅射有一层Ti/Au,背面有一7×7阵列的台柱与之相连,台柱下方是对应的驱动电极。当给电极施加电压时,产生的静电力就会拉动台柱向下运动,从而使相应的镜面部分发生变形;通过控制通电电极的位置及电压,就可获得特定的镜面形状。在变形反射镜的加工工序中采用浅腐蚀形成键合台,采用深腐蚀加工出台柱。并采用<110>条补偿图形对台柱的凸角进行补偿,在0.2MPa气压下进行键合,最后成功研制出有效反射面积为30mm×30mm,拥有49个静电驱动单元的变形反射镜。 展开更多
关键词 变形反射镜 体微加工 静电驱动 凸角补偿 阳极键合
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薄膜SOI/CMOS的SPICE电路模拟 被引量:2
18
作者 王阳元 奚雪梅 +2 位作者 甘学温 程玉华 李映雪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期88-93,共6页
鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实... 鉴于SPICE是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序,且具有可扩展模型的灵活性,我们通过修改SPICE源程序把新器件模型──SOIMOSFET模型移植入SPICE中,通过我们的模拟工作,证实了我们模型的正确性和电路实用性,分析了器件参数对SOI/CMOS电路速度的影响,这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践. 展开更多
关键词 薄膜电路 SOI CMOS电路 SPICE电路
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热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征 被引量:2
19
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期252-254,共3页
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFE... 本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFET/SOI栅控二极管R G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度 .抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系 ,指数因子约为 0 展开更多
关键词 热载流子 应力效应 界面陷阱 正向栅控二级管 MOSFET/SOI
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场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化 被引量:8
20
作者 何进 张兴 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期164-169,共6页
采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电... 采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 。 展开更多
关键词 场限环 击穿电压 边界峰值电场 环间距 功率集成电路
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