期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到84篇文章
< 1 2 … 5 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
微电子机械系统中的残余应力问题 被引量：33
1
作者 钱劲 刘澂 +1 位作者 张大成 赵亚溥 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期393-401,共9页
残余应力一直是微系统技术 (MST)发展中一个令人关注的问题 ,它影响着MEMS器件设计、加工和封装的全过程。文中考虑薄膜中残余应力的起源 ,介绍测量残余应力的主要方法 ,并就计算薄膜中残余应力的Stoney公式及其推广形式作了详细的讨论 ... 残余应力一直是微系统技术 (MST)发展中一个令人关注的问题 ,它影响着MEMS器件设计、加工和封装的全过程。文中考虑薄膜中残余应力的起源 ,介绍测量残余应力的主要方法 ,并就计算薄膜中残余应力的Stoney公式及其推广形式作了详细的讨论 ,针对微尺度下残余应力对MEMS结构力学行为的影响 。 展开更多
关键词 微电子机械笼 残余应力 薄膜 屈曲 粘附 响应频率
在线阅读 下载PDF
微电子机械系统中典型构件的力电耦合分析及其应用研究 被引量：8
2
作者 王丛舜 张为斌 +3 位作者 方竞 崔云俊 沈健 昌盛 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期503-506,共4页
力电耦合是大多数微电子机械系统 (尤其是以静电驱动的微机械 )的重要特征。文中采用有限元 (FEM )结合边界元 (BEM)的方法来混合求解MEMS中的力电耦合问题 ,利用自行研制的程序给出了几种典型构件 (平行板、悬臂梁和固支梁 )的分析结... 力电耦合是大多数微电子机械系统 (尤其是以静电驱动的微机械 )的重要特征。文中采用有限元 (FEM )结合边界元 (BEM)的方法来混合求解MEMS中的力电耦合问题 ,利用自行研制的程序给出了几种典型构件 (平行板、悬臂梁和固支梁 )的分析结果 ,并同其他商业软件 (ANSYS和Intellisuite)的计算结果进行比较。同时 。 展开更多
关键词 微电子机械系统 力电耦合 残余应力 阈值电压
在线阅读 下载PDF
硅基MEMS技术 被引量：18
3
作者 郝一龙 张立宪 +1 位作者 李婷 张大成 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期523-526,共4页
结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质... 结合MEMS技术的发展历史 ,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向。指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线 ;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展 ;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合 ,追求大质量块和低应力以及三维加工。SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向 ; 展开更多
关键词 微电子机械系统 牺牲层 体硅工艺 深刻蚀
在线阅读 下载PDF
脉冲激光制膜新技术及其在功能薄膜研究中的应用 被引量：15
4
作者 李美亚 王忠烈 +2 位作者 林揆训 熊光成 范守善 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期132-135,共4页
脉冲激光制膜是近年来发展的富有希望的制膜新技术。本文简要介绍了脉冲激光制膜技术的原理、特点和优势以及在功能薄膜研究中的应用。
关键词 脉冲激光制膜 功能薄膜 外延生长 PLD 薄膜技术
在线阅读 下载PDF
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征 被引量：2
5
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期252-254,共3页
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFE... 本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究 .正向栅控二极管技术简单、准确 ,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度 ,从而表征器件的抗热载流子特性 .实验结果表明 :通过体接触方式测得的MOSFET/SOI栅控二极管R G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度 .抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系 ,指数因子约为 0 展开更多
关键词 热载流子 应力效应 界面陷阱 正向栅控二级管 MOSFET/SOI
在线阅读 下载PDF
线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究 被引量：1
6
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期1108-1110,共3页
本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般... 本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证 .详细介绍了该方法的基本原理和实验实现 ,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系 .该方法具有普适性 ,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测 . 展开更多
关键词 线性余因子差分亚阀电压峰 电应力诱生 MOSFET 界面陷阱 MOS器件 应力时间
在线阅读 下载PDF
三维微加工新技术——DEM技术研究 被引量：4
7
作者 赵旭 陈迪 张大成 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第5期107-109,共3页
DEM技术 (Deepetching ,ElectroformingandMicroreplication )是继硅微加工技术和LIGA技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工技术。该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的部分工艺 ,可对非硅材料进行三维微加工。目前利用该技术已... DEM技术 (Deepetching ,ElectroformingandMicroreplication )是继硅微加工技术和LIGA技术发展起来的一种全新的非硅三维微加工技术。该技术吸收了体硅微加工技术和LIGA技术的部分工艺 ,可对非硅材料进行三维微加工。目前利用该技术已获得了微复制模具 ,并已模压出多种高深宽比塑料微结构。该技术的开发成功 ,为微机电系统的产业化奠定了基础。 展开更多
关键词 三维微加工 DEM技术 微机电系统
在线阅读 下载PDF
基于多扫描链的内建自测试技术中的测试向量生成 被引量：1
8
作者 李兆麟 叶以正 毛志刚 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2001年第4期411-419,共9页
针对基于多扫描链的内建自测试技术 ,提出了一种测试向量生成方法 .该方法用一个线性反馈移位寄存器 (L FSR)作为伪随机测试向量生成器 ,同时给所有扫描链输入测试向量 ,并通过构造具有最小相关度的多扫描链来克服扫描链间的相关性对故... 针对基于多扫描链的内建自测试技术 ,提出了一种测试向量生成方法 .该方法用一个线性反馈移位寄存器 (L FSR)作为伪随机测试向量生成器 ,同时给所有扫描链输入测试向量 ,并通过构造具有最小相关度的多扫描链来克服扫描链间的相关性对故障覆盖率的影响 .此外该方法经过模拟确定难测故障集 ,并针对这个难测故障集利用 ATPG生成最小确定性测试向量集 .最后再依据得到的最小测试向量集来设计位改变逻辑电路 ,利用位改变逻辑电路控制改变扫描链上特定位的值来实现对难测故障的检测 ,从而实现被测电路的故障完全检测 . 展开更多
关键词 内建自测试 多扫描链 逻辑电路 测试向量生成
在线阅读 下载PDF
应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究
9
作者 陶江 武国英 +3 位作者 张国炳 孙玉秀 王阳元 都安彦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期110-112,共3页
本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及... 本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。 展开更多
关键词 硅化物 自对准技术 CoSi薄膜 形貌
在线阅读 下载PDF
MIMU中加速度计组离心机标定补偿技术研究 被引量：3
10
作者 张睿哲 刘玉县 +2 位作者 何春华 庄捷辉 吴涛 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2021年第10期36-39,共4页
微惯性测量单元(MIMU)使用离心机标定时,内部加速度计组集成安装误差和MIMU安装误差,导致加速度计实际受到的离心加速度激励与设置不一致,引入输入误差,影响标定精度。基于减小输入误差定标的影响,提出一种消除加速度输入误差的标定分... 微惯性测量单元(MIMU)使用离心机标定时,内部加速度计组集成安装误差和MIMU安装误差,导致加速度计实际受到的离心加速度激励与设置不一致,引入输入误差,影响标定精度。基于减小输入误差定标的影响,提出一种消除加速度输入误差的标定分析方法。基于离心机标定时MIMU中加速度计正反向输入状态下安装误差对称的关系,在误差模型方程中引入安装误差项,通过对两种状态下输入取代数平均,消除安装误差项。利用最小二乘法解得加速度计组误差模型系数,对加速度计组进行补偿。经试验验证:本文方法极大地提高了加速度计的精度,标度因数精度提高3.62%,交叉耦合从1.4%降低至0.16%,零偏从4.9 mgn降低至0.9 mgn。 展开更多
关键词 微惯性测量单元(MIMU) 离心机 加速度计 输入误差 标度因数 交叉耦合 零偏
在线阅读 下载PDF
用Hopkinson杆冲击加载研究高量程微加速度计芯片的抗过载能力 被引量：14
11
作者 郇勇 张泰华 +1 位作者 杨业敏 曾昭君 《传感技术学报》 CAS CSCD 2003年第2期128-131,共4页
采用体硅微机械加工技术制作田字形结构的高量程微加速度计芯片。为了研究芯片的抗过载能力 ,使用Hopkinson杆对其施加冲击载荷 ,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。结果显示 ,芯片破坏的临界载荷为 2 0 0kgn。裂纹和断裂主要发生... 采用体硅微机械加工技术制作田字形结构的高量程微加速度计芯片。为了研究芯片的抗过载能力 ,使用Hopkinson杆对其施加冲击载荷 ,以一维应力波理论估计芯片受到的加速度。结果显示 ,芯片破坏的临界载荷为 2 0 0kgn。裂纹和断裂主要发生在十字架中心、边框的 4个角以及十字梁和边框的连接部位。 展开更多
关键词 HOPKINSON杆 冲击加载 微加速度计 抗过载能力
在线阅读 下载PDF
实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具 被引量：6
12
作者 甘学温 杜刚 肖志广 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期713-718,共6页
鉴于PC机广泛普及和使用方便 ,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE ,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序 ,形... 鉴于PC机广泛普及和使用方便 ,在PC机上建立起实验设计与模拟相结合用于IC优化设计的TCAD工具。利用已有的工艺模拟软件SUPREM、器件模拟软件MINIMOS及电路模拟软件PSPICE ,完成了响应表面拟合、SPICE模型参数提取及数据转换等程序 ,形成一个可以进行工艺、器件及电路分析和优化设计的TCAD工具 ,并用于研究实验设计方法在IC优化设计中的应用。 展开更多
关键词 实验设计 响应表面拟合 优化设计 TCAD工具 集成电路 电路模拟软件 IC
在线阅读 下载PDF
一种基于简单移位的二——十进制相互转换算法 被引量：15
13
作者 王迎春 吉利久 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期221-224,共4页
十进制码 (BCD)与二进制代码相互转换的问题的研究 ,主要偏重于软件实现 .本文基于数制变换的基本原理 ,提出了移位为基础的、适合硬件实现的转换算法 .并根据该算法 ,构造了 6 3位二进制与十进制代码的转换器 .同时 ,对该算法又进行了... 十进制码 (BCD)与二进制代码相互转换的问题的研究 ,主要偏重于软件实现 .本文基于数制变换的基本原理 ,提出了移位为基础的、适合硬件实现的转换算法 .并根据该算法 ,构造了 6 3位二进制与十进制代码的转换器 .同时 ,对该算法又进行了扩充 ,提出基 2 r 移位的算法 ,进一步提高性能 .从性能的比较可以看出 ,该算法速度高 ,逻辑简单 ,非常适合实时性要求较强的嵌入式领域应用 . 展开更多
关键词 十进制码 二进制 转换 N值逻辑 M值逻辑 进制
在线阅读 下载PDF
CMOS电路参数的统计优化设计 被引量：3
14
作者 甘学温 冯小敏 +2 位作者 肖志广 杜刚 李佑斌 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期126-128,共3页
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小... 本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型，并用模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件． 展开更多
关键词 实验设计 工艺因数 阈值电压 优化设计 CMOS IC
在线阅读 下载PDF
硅微机械音叉式谐振器 被引量：7
15
作者 钟莹 张国雄 +1 位作者 郝一龙 贾玉斌 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期782-785,共4页
应用体硅微机械加工技术,制作了一种双端固定音叉式谐振器。它在音叉的两个臂上连接了梳齿电容结构,用来驱动音叉臂在硅片平面内侧向、反相振动,同时检测音叉的振动频率。当驱动力的频率等于音叉的固有频率时,音叉产生谐振。此时,检测... 应用体硅微机械加工技术,制作了一种双端固定音叉式谐振器。它在音叉的两个臂上连接了梳齿电容结构,用来驱动音叉臂在硅片平面内侧向、反相振动,同时检测音叉的振动频率。当驱动力的频率等于音叉的固有频率时,音叉产生谐振。此时,检测梳齿电容输出的电流最大。用有限元方法对谐振器进行了模态分析和结构优化。音叉臂长800μm,宽5μm,梳齿电容齿长25μm,结构层厚度为80μm,在30V交流电压激励下,测得其谐振频率为25kHz。当音叉受到轴向力的作用时,音叉的固有频率会发生变化,根据这一原理,设计了谐振式加速度计。用有限元分析软件对加速度计工作情况仿真,估算其灵敏度约为2Hz/g。这种音叉式谐振器结构和工艺简单,性能可靠,成本较低,对于进一步研究微机电系统谐振器件具有重要意义。 展开更多
关键词 微机电系统 音叉 谐振器 加速度计 体硅工艺
在线阅读 下载PDF
低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟 被引量：2
16
作者 万新恒 张兴 +2 位作者 高文钰 黄如 王阳元 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期63-68,共6页
推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系。模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表... 推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系。模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明 ,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大 ,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看 ,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。 展开更多
关键词 MOSFET 阈值电压漂移 辐照效应 辐照敏感性 辐照剂量率 CTRW模型
在线阅读 下载PDF
薄膜SOI／CMOS的SPICE电路模拟 被引量：2
17
作者 王阳元 奚雪梅 +2 位作者 甘学温 程玉华 李映雪 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期88-93,共6页
鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，且具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型──ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们的模拟工作，证实了我们模型的正确性和电路实... 鉴于ＳＰＩＣＥ是目前世界上广泛采用的通用电路模拟程序，且具有可扩展模型的灵活性，我们通过修改ＳＰＩＣＥ源程序把新器件模型──ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型移植入ＳＰＩＣＥ中，通过我们的模拟工作，证实了我们模型的正确性和电路实用性，分析了器件参数对ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度的影响，这些结论可以很好地指导电路设计和工艺实践． 展开更多
关键词 薄膜电路 SOI CMOS电路 SPICE电路
在线阅读 下载PDF
基于单元故障模型的树型加法器的测试 被引量：3
18
作者 李兆麟 盛世敏 +1 位作者 吉利久 王阳元 《计算机学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第11期1494-1501,共8页
首先分析了树型加法器的原理 ,总结了其运算特性 .其次在介绍单元故障模型的基础上分析了树型加法器的测试向量生成 .分析结果表明 ,5n - 1个测试向量可以实现树型加法器中所有单元故障的检测 .这些测试向量具有很好的规则性 ,能够利用... 首先分析了树型加法器的原理 ,总结了其运算特性 .其次在介绍单元故障模型的基础上分析了树型加法器的测试向量生成 .分析结果表明 ,5n - 1个测试向量可以实现树型加法器中所有单元故障的检测 .这些测试向量具有很好的规则性 ,能够利用片上测试向量生成器实现 ,适合于应用内建自测试技术测试 .基于此 ,作者提出了一种内建自测试的测试结构 ,测试时只需存储 7个籽测试向量 ,其它测试向量可以在这 7个籽测试向量的基础上通过循环移位实现 .最后给出了实验分析结果 . 展开更多
关键词 树型加法器 测试 单元故障模型 集成电路
在线阅读 下载PDF
改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管 被引量：2
19
作者 何进 张兴 +2 位作者 黄如 林晓云 何泽宏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期298-300,共3页
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂... 本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂移区长度下 ,该新结构较之于优化的常规RESURFLDMOS晶体管 ,它的击穿电压可由 178V提高到 2 34V ,增加了 1 5倍 ,而比导通电阻却从 7 7mΩ·cm2 下降到 5mΩ·cm2 ,减小了 30 % ,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能 . 展开更多
关键词 LDMOS器件 RESURF原理 线性变化掺杂漂移区 击穿电压 导通电阻 晶体管
在线阅读 下载PDF
漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制 被引量：5
20
作者 张盛东 韩汝琦 +1 位作者 TommyLai JohnnySin 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期164-167,共4页
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 .在Si膜厚度为 0 15 μm、隐埋氧化层厚度为 2 μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作 .首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验... 给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 .在Si膜厚度为 0 15 μm、隐埋氧化层厚度为 2 μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作 .首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验研究 .通过对漂移区掺杂剂量的优化 ,所制成的漂移区长度为 5 0 μm的LDMOS晶体管呈现了高达 6 12V的击穿电压 . 展开更多
关键词 薄膜SOI 半导体器件 线性掺杂 漂移区
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 5 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部