Sm掺杂对锐钛矿TiO_2电子寿命和红移影响的第一原理研究 被引量：6

1

作者 侯清玉 张振铎 李聪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期2599-2604,共6页

基于密度泛函理论平面波超软赝势方法,采用第一性原理对不同浓度Sm掺杂锐钛矿相TiO2超胞的结构优化、形成能、能带结构、态密度、差分电荷分布和光学性质进行了计算。结果表明Sm掺杂后锐钛矿相TiO2超胞的电子结构变化很大。在限定的浓... 基于密度泛函理论平面波超软赝势方法,采用第一性原理对不同浓度Sm掺杂锐钛矿相TiO2超胞的结构优化、形成能、能带结构、态密度、差分电荷分布和光学性质进行了计算。结果表明Sm掺杂后锐钛矿相TiO2超胞的电子结构变化很大。在限定的浓度范围内,掺杂浓度越小,形成能越小,掺杂越容易,电子寿命越长,带隙宽度越窄,吸收光谱红移越显著。计算结果与实验结果一致。 展开更多

关键词 Sm掺杂 锐钛矿TIO2 电子结构 吸收光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

Al-2N高共掺p型ZnO电子结构和红移效应的第一性原理研究 被引量：6

2

作者 侯清玉 赵春旺 李继军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1394-1397,1401,共5页

基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯的和Al-2N高共掺ZnO超胞的几何结构优化、能带分布、总态密度分布、分波态密度分布、Mulilken电荷分布和吸收光谱的计算。比较计算结果表明,Al-2N高共掺后ZnO电子结构发生了... 基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯的和Al-2N高共掺ZnO超胞的几何结构优化、能带分布、总态密度分布、分波态密度分布、Mulilken电荷分布和吸收光谱的计算。比较计算结果表明,Al-2N高共掺后ZnO电子结构发生了较大的改变,导电类型转化为p型;轨道杂化增强,电荷转移特征明显;间隙宽度减小,吸收光谱发生了红移效应,并且随着Al和N掺杂的相对原子浓度越大红移效应越显著,计算结果和实验的变化趋势相一致。 展开更多

关键词 高共掺ZnO 电子结构 红移 第一性原理

在线阅读 下载PDF 职称材料

高压电场干燥技术在中药材干燥中的应用 被引量：22

3

作者 丁昌江 梁运章 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期126-128,共3页

在中药材、中药饮片及制药中间产品的传统干燥技术工艺中,存在着物料升温过高致使有效成分损失 严重、生产时间长、能源消耗高、卫生不合格等问题．利用高压电场干燥技术对化橘红果和化橘红片进行了干 燥试验及热风、真空干燥的对比试验... 在中药材、中药饮片及制药中间产品的传统干燥技术工艺中,存在着物料升温过高致使有效成分损失 严重、生产时间长、能源消耗高、卫生不合格等问题．利用高压电场干燥技术对化橘红果和化橘红片进行了干 燥试验及热风、真空干燥的对比试验,并对干燥后样品的有效成分作了实际检测．结果表明:高压电场干燥技 术能够提高化橘红果和化橘红片的干燥速度,并且对有效成分可最大限度的保留．说明高压电场干燥技术是中 药材加工领域里一项实用、有效的新型技术． 展开更多

关键词 高压电场 干燥 化橘红

在线阅读 下载PDF 职称材料

高压电场干燥技术原理的电流体动力学分析 被引量：10

4

作者 梁运章 丁昌江 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期16-19,共4页

高压电场干燥技术是作者自行研发的一项实用型的创新干燥技术,其技术特点是物料不升温,节省能 源,设备造价低,特别适合热敏性物料的干燥．其物理机制是依靠电场能传质而实现干燥的．利用电流体动力 学原理,针对高压电场对含水物料施加... 高压电场干燥技术是作者自行研发的一项实用型的创新干燥技术,其技术特点是物料不升温,节省能 源,设备造价低,特别适合热敏性物料的干燥．其物理机制是依靠电场能传质而实现干燥的．利用电流体动力 学原理,针对高压电场对含水物料施加作用力进行分析,结果表明:电场能传质是由两种作用力作用的结果． 展开更多

关键词 高压电场 干燥 电流体动力学(EHD)

在线阅读 下载PDF 职称材料

铬掺杂硅团簇的结构、稳定性和光电子谱性质研究 被引量：2

5

作者 林琳 杨桔材 +2 位作者 迎春 李继军 赵二俊 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期1388-1392,共5页

采用CCSD(T)/aug-cc-pVTZ-DK//MP2/6-31G(2df,p)和B3LYP/aug-cc-pVTZ基组研究了小尺寸团簇CrSin(n=3~9)及其阴离子的结构、稳定性以及光电子谱。结果表明:中性及其阴离子的基态结构是外嵌结构。由计算得出的解离能可知,在n<5时,CrSi... 采用CCSD(T)/aug-cc-pVTZ-DK//MP2/6-31G(2df,p)和B3LYP/aug-cc-pVTZ基组研究了小尺寸团簇CrSin(n=3~9)及其阴离子的结构、稳定性以及光电子谱。结果表明:中性及其阴离子的基态结构是外嵌结构。由计算得出的解离能可知,在n<5时,CrSin中性结构的稳定性弱于其阴离子结构。在n≥5时,CrSin中性结构中,CrSi5和CrSi8结构的稳定性强于其相邻团簇;CrSin阴离子结构中,CrSi4和CrSi7结构的稳定性弱于其相邻团簇。计算得出的CrSin垂直电子解离能分别为:CrSi3(2.26 eV),CrSi4(3.21 eV),CrSi5(2.72 eV),CrSi6(3.54 eV),CrSi7(2.45 eV),CrSi8(2.71 eV)和CrSi9(2.95 eV)。除CrSi4以外,其他CrSin结构的垂直电子解离能数值与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.073 eV。计算得出的CrSin绝热电子亲和能分别为:CrSi3(2.07 eV),CrSi4(1.95 eV),CrSi5(2.4 eV),CrSi6(2.32 eV),CrSi7(2.38 eV),CrSi8(2.67 eV)和CrSi9(2.63 eV)。除CrSi6以外,其他CrSin结构的绝热电子亲和能与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.09 eV。此外,在PBE1PBE/6-31G(2df,p)水平下模拟了CrSin(n=3~9)阴离子基态结构的光电子光谱,并与报道的实验结果相比较,可以得出该研究得到的基态结构是可靠的。 展开更多

关键词 铬掺杂硅团簇 基态结构 稳定性 光电子谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

高掺杂N对金红石型TiO_2电子结构和红移影响的理论研究 被引量：6

6

作者 侯清玉 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期782-784,917,共3页

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下分别建立了未掺杂和取代O高掺杂N原子的金红石型TiO2超胞模型,优化了晶胞的几何结构,计算了能带分布、态密度分布和吸收光谱。结果表明,金红石型TiO2-xNx超胞取x... 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在相同环境条件下分别建立了未掺杂和取代O高掺杂N原子的金红石型TiO2超胞模型,优化了晶胞的几何结构,计算了能带分布、态密度分布和吸收光谱。结果表明,金红石型TiO2-xNx超胞取x=0.0625的条件下,N的2p态与O的2p态发生杂化耦合,使其价带上移、最小带隙变窄、吸收光谱发生红移现象,这和实验中高掺杂N原子TiO2-xNx带隙变窄红移现象相吻合。 展开更多

关键词 N高掺杂 金红石型TIO2 电子结构 红移 第一性原理

在线阅读 下载PDF 职称材料

人类polⅡ启动子的识别 被引量：26

7

作者 吕军 罗辽复 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1185-1191,共7页

依据基因启动子区和非启动子区碱基分布的特征,应用基于多样性增量的二次判别分析(IDQD),对人类polⅡ启动子进行识别,识别精度达到90%以上的水平,优于其他已发表的(包括SVM分类器等)识别算法.使用IDQD算法也能对转录起始位点(TSS)进行... 依据基因启动子区和非启动子区碱基分布的特征,应用基于多样性增量的二次判别分析(IDQD),对人类polⅡ启动子进行识别,识别精度达到90%以上的水平,优于其他已发表的(包括SVM分类器等)识别算法.使用IDQD算法也能对转录起始位点(TSS)进行较准确的预测,10-fold交叉检验结果的敏感性和特异性分别为86%和91%.这些结果表明IDQD是一个有效的分类器. 展开更多

关键词 启动子 多样性增量 二次判别函数 转录起始位点

在线阅读 下载PDF 职称材料

稀磁半导体材料居里温度的极值点 被引量：3

8

作者 陈余 关玉琴 赵春旺 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期702-705,共4页

以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度... 以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度有一个极大值,而p型掺杂是单调的递增。 展开更多

关键词 稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用

在线阅读 下载PDF 职称材料

Sc_2O_3电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量：2

9

作者 林琳 包秀丽 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期305-310,共6页

本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,研究了Sc2O3的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明:Sc2O3是一种直接带隙半导体,其能带宽度为3.79eV,价带顶部主要由O的2p和Sc的3p3d杂化而成,导带主要由Sc的3d和O的2p... 本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,研究了Sc2O3的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明:Sc2O3是一种直接带隙半导体,其能带宽度为3.79eV,价带顶部主要由O的2p和Sc的3p3d杂化而成,导带主要由Sc的3d和O的2p构成.同时,文中也分析了Sc2O3的介电函数、折射率、光电导率和吸收谱等光学性质.计算得到静态介电常数ε1(0)=1.57,折射率n0=1.25,在紫外区有较大的吸收系数. 展开更多

关键词 Sc2O3 电子结构 光学性质 第一性原理

在线阅读 下载PDF 职称材料

亮孤子在升余弦变迹光纤布拉格光栅中传输特性的数值分析 被引量：1

10

作者 迎春 敖特根 林琳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1170-1173,共4页

在耦合模理论的基础上,运用有限差分法数值模拟了布拉格孤子在升余弦变迹光纤光栅中的传输以及孤子之间的相互作用。模拟结果表明,合适选择输入功率和初始脉宽等初始条件,可以实现升余弦变迹光纤光栅中孤子的稳定传输。输入两个孤子时,... 在耦合模理论的基础上,运用有限差分法数值模拟了布拉格孤子在升余弦变迹光纤光栅中的传输以及孤子之间的相互作用。模拟结果表明,合适选择输入功率和初始脉宽等初始条件,可以实现升余弦变迹光纤光栅中孤子的稳定传输。输入两个孤子时,发现两个孤子之间的相互作用对它们的相对相位和相对振幅参数敏感。初始间隔较近的孤子对,随着它们之间的相对相位差和相对振幅参数的不同而发生相互吸引、相互排斥、交换能量等现象。 展开更多

关键词 布拉格孤子 升余弦变迹光栅 有限差分法 反常色散区

在线阅读 下载PDF 职称材料

应变量子阱中杂质态结合能的压力效应 被引量：1

11

作者 温淑敏 赵春旺 王细军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期97-100,104,共5页

对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压... 对应变闪锌矿(001)取向GaN-AlxGa1-xN量子阱系统,采用变分法讨论了流体静压力对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。计算结果表明,考虑压力对单轴、双轴应变的调制及电子有效质量,材料介电常数及禁带宽度的影响,杂质态的结合能随压力呈线性变化。由简化相干势近似法讨论了垒材料AlxGa1-xN中Al组分对杂质态结合能的影响。结果表明,在阱宽和压力固定时,当Al组分增加时杂质态结合能会逐渐增加;且压力较大时结合能随组分的增加更加显著。Al组分的增加使电子的二维特性增强,从而使结合能增大。 展开更多

关键词 GaN-AlxGa1-xN量子阱 杂质态 结合能 压力 应变

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用多重尺度理论对暗孤子在变迹光栅中演化特性的研究

12

作者 迎春 敖特根 +1 位作者 林琳 关玉琴 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期18-20,共3页

从光纤光栅中的耦合波理论出发,利用多重尺度理论推导出光栅中的有效薛定谔方程。并在正常色散区运用快速傅立叶方法数值模拟了暗孤子在升余弦变迹光纤光栅中的演化以及暗孤子之间的相互作用。结果表明,在一定条件下光纤光栅的正常色散... 从光纤光栅中的耦合波理论出发,利用多重尺度理论推导出光栅中的有效薛定谔方程。并在正常色散区运用快速傅立叶方法数值模拟了暗孤子在升余弦变迹光纤光栅中的演化以及暗孤子之间的相互作用。结果表明,在一定条件下光纤光栅的正常色散区可以维持暗孤子的稳定传输,并且孤子的稳定性与f的取值(孤子离光子带隙的位置)和非线性系数有关。随着f的增大单孤子背景处出现震荡现象;而随着f的增大两个暗孤子中心和背景处都将出现震荡、演化产生灰孤子等现象,但暗孤子之间的相互作用始终很弱;而且f越大,两个孤子的稳定性对非线性效应越敏感。 展开更多

关键词 多重尺度理论 暗孤子 变迹函数 光纤光栅

在线阅读 下载PDF 职称材料

三元混晶的远红外光谱

13

作者 张晓燕 王旭 王景峰 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1804-1806,共3页

采用无序元素孤立位移模型(REI mode),建立了三元混晶AB1-xCx晶格动力学的Born-Huang方程,并由此出发讨论了几种三元混晶晶格振动的介电常数和远红外反射谱。理论计算结果表明,这个模型适用于三元混晶的所有情况:(1)单模情况———在整... 采用无序元素孤立位移模型(REI mode),建立了三元混晶AB1-xCx晶格动力学的Born-Huang方程,并由此出发讨论了几种三元混晶晶格振动的介电常数和远红外反射谱。理论计算结果表明,这个模型适用于三元混晶的所有情况:(1)单模情况———在整个成分比例区域内(0≤x≤1)有1支横光学声子(TO)和1支纵光学声子(LO);(2)双模情况———在整个成分比例区域内(0≤x≤1),有2支横光学声子和2支纵光学声子;(3)第3种情况———部分区域为单模而另外区域为双模。结果显示,单模晶体只有1个反射带;双模晶体有2个反射带;第3种类型的晶体在部分区域有1个反射带而在另外的区域有2个反射带。该理论模型提供了一个理解三元混晶光学性质的可能的途径,依此为基础可以讨论电子-声子相互作用等其他问题。 展开更多

关键词 三元混晶 电子-声子相互作用 反射系数 光学声子

在线阅读 下载PDF 职称材料

光孤子在高斯变迹光栅中传输特性的数值分析

14

作者 迎春 贾维国 +2 位作者 敖特根 周彦勇 包红梅 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期209-212,共4页

为了研究光纤光栅中布喇格孤子的传输特性,基于耦合波理论采用有限差分法在孤子传播速度与传输距离无关的条件下,数值模拟了布喇格孤子在高斯变迹光纤光栅中的传输以及孤子之间的相互作用,得到一些有意义的结果。结果表明,输入功率和初... 为了研究光纤光栅中布喇格孤子的传输特性,基于耦合波理论采用有限差分法在孤子传播速度与传输距离无关的条件下,数值模拟了布喇格孤子在高斯变迹光纤光栅中的传输以及孤子之间的相互作用,得到一些有意义的结果。结果表明,输入功率和初始脉宽等初始条件的不同将导致孤子峰值强度的周期变化;具有初始频率啁啾时布喇格孤子在传输过程中被展宽(正啁啾)或被窄化(负啁啾),并始终受到高斯变迹光栅的制约。当输入两个孤子时,它们之间的相互作用对其相对相位和相对振幅参量敏感。 展开更多

关键词 光纤光学 布喇格孤子 有限差分法 光纤光栅 反常色散区

在线阅读 下载PDF 职称材料

变迹光纤光栅中布拉格孤子相互作用特性的数值研究

15

作者 迎春 敖特根 林琳 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期207-209,212,共4页

在耦合模理论基础上,运用有限差分法分别数值模拟了布拉格孤子在抛物线平方变迹和高斯变迹光纤光栅中的相互作用。结果表明,同振幅孤子对在不同变迹光纤光栅中的相互作用特点都具有一定的规律性。在高斯变迹光纤光栅中,合适选择相对相... 在耦合模理论基础上,运用有限差分法分别数值模拟了布拉格孤子在抛物线平方变迹和高斯变迹光纤光栅中的相互作用。结果表明,同振幅孤子对在不同变迹光纤光栅中的相互作用特点都具有一定的规律性。在高斯变迹光纤光栅中,合适选择相对相位和相对振幅等参数可以使两个不同振幅孤子的相互作用表现为排斥作用,而在抛物线平方变迹光纤光栅中两个不同振幅孤子相互作用较复杂。 展开更多

关键词 布拉格孤子 有限差分法 变迹光纤光栅

在线阅读 下载PDF 职称材料

磁场对异质界面上D^-中心的影响

16

作者 张晓燕 王景峰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期299-303,共5页

势阱中的类氢杂质的能级问题一直为学术界所长期关注。讨论了异质界面上中性施主D0和负施主离子D-的能量随垂直于界面的磁场的变化情况,同时将磁场和势阱结合起来考虑其对类氢杂质的影响。研究发现随磁场的增大,其对D0基态能的影响越来... 势阱中的类氢杂质的能级问题一直为学术界所长期关注。讨论了异质界面上中性施主D0和负施主离子D-的能量随垂直于界面的磁场的变化情况,同时将磁场和势阱结合起来考虑其对类氢杂质的影响。研究发现随磁场的增大,其对D0基态能的影响越来越大,对其束缚能的影响逐渐变小,而对D-中心,磁场的作用使得D-由非束缚态转变为束缚态。计算中分别选取了两种不同的波函数,分析了这两种波函数的适用范围,利用变分的方法得到此结构中D0中心的基态能量和束缚能与D-中心角动量L=-1自旋三重态的本征能量和束缚能随磁场的变化关系,找到了此三重态由非束缚态转变到束缚态对应磁场的阈值。 展开更多

关键词 D^-中心 自旋三重态 束缚能

在线阅读 下载PDF 职称材料

光纤光栅非线性对色散特性的影响 被引量：7

17

作者 李文材 杨性愉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期789-792,共4页

通过在能量较高、考虑非线性时,求解光纤光栅非线性耦合模方程连续波条件下的解,得到光纤光栅失谐量δ与光脉冲传播常量q的非线性色散关系和光栅致群速度色散系数β2g与δ的关系.用MATLAB绘图,得到非线性参量γ和光脉冲能量P0的乘积γP... 通过在能量较高、考虑非线性时,求解光纤光栅非线性耦合模方程连续波条件下的解,得到光纤光栅失谐量δ与光脉冲传播常量q的非线性色散关系和光栅致群速度色散系数β2g与δ的关系.用MATLAB绘图,得到非线性参量γ和光脉冲能量P0的乘积γP0对色散和β2g的影响.结果表明:随着β2g的增加,非线性色散曲线的上、下两支向δ的负值区移动,当超过某一临界值时,曲线上支开始形成环,这时光纤光栅引起的群速度色散中的反常色散区消失,全部变成正常色散. 展开更多

关键词 光纤光栅 禁带 非线性 群速度色散

在线阅读 下载PDF 职称材料

Cr掺杂对ZnO最小光学带隙和吸收光谱的影响 被引量：3

18

作者 高艺涵 侯清玉 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期9106-9111,共6页

当Cr掺杂ZnO的摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,掺杂体系的最小光学带隙宽度和吸收光谱分布随Cr掺杂浓度的变化出现了两类相反的实验结果。为了解决本问题,采用密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,用... 当Cr掺杂ZnO的摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,掺杂体系的最小光学带隙宽度和吸收光谱分布随Cr掺杂浓度的变化出现了两类相反的实验结果。为了解决本问题,采用密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,用PBE泛函的计算方案来描述电子间的交换关联能,对未掺杂ZnO和3种不同浓度Cr掺杂ZnO超胞模型进行了能带结构、态密度、差分电荷密度、布居值以及吸收光谱的计算。结果表明,当Cr掺杂摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,随着Cr掺杂量增加,掺杂体系的晶格常数和体积增大,总能量和形成能减小,结构更稳定,掺杂更容易,最小光学带隙宽度增大,吸收光谱显著蓝移。计算结果与实验结果相一致,并合理解释了存在的问题。这对制备Cr掺杂ZnO中实现短波长光学器件有一定的理论指导作用。 展开更多

关键词 Cr掺杂ZnO 光学带隙 吸收光谱 第一性原理

在线阅读 下载PDF 职称材料

外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态 被引量：2

19

作者 郭海峰 哈斯花 朱俊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期870-876,共7页

考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空... 考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空穴的本征基态能和相应本征波函数。计算结果表明:沿量子阱生长方向所施加的外加电场将抵消阱中内建电场的作用,阱结构的弯曲程度略显平缓,使电子(空穴)本征波函数逆(顺)着外电场方向移动,且均向阱中心移动,波峰峰值增加,隧穿几率减小;在固定外电场情况下,电子与空穴基态能级随阱宽的增加而减小,随掺杂组分的增加而增加,表明外加电场对内建电场有所削弱以及量子限制作用对电子(空穴)基态能有显著的影响。 展开更多

关键词 定态薛定谔方程 电子-空穴气的屏蔽 内建电场 本征态

在线阅读 下载PDF 职称材料

应变GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中电子的跃迁能量 被引量：1

20

作者 郭海峰 哈斯花 朱俊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第B04期241-244,共4页

考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能... 考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。 展开更多

关键词 定态薛定谔方程 量子阱 内建电场 AL组分 阱宽 跃迁

在线阅读 下载PDF 职称材料