纳米碳化硅颗粒的团聚及分散的研究进展 被引量：10

1

作者 刘亚虎 蔡雪原 +2 位作者 朱延超 张琳娇 杨建红 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期84-90,共7页

介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电... 介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等电点(IEP)的基础上,重点分析了一种新的分散剂—甲苯酰-聚乙烯亚胺的分子结构及工作原理,同时从吸附量、悬浮液黏度及Zeta电位三个方面与传统分散剂作了对比;最后,根据人们对团聚机理的认识及纳米碳化硅分散的研究现状,在未来的研究中不仅要侧重于纳米碳化硅性质、颗粒微观结构的研究,而且要注重纳米碳化硅的工业生产和制备以及分散剂的优化。 展开更多

关键词 纳米碳化硅 团聚 分散剂 PH值 黏度 ZETA电位

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并五苯薄膜的AFM及XRD研究 被引量：2

2

作者 陶春兰 张旭辉 +4 位作者 董茂军 欧谷平 张福甲 刘一阳 张浩力 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期740-742,共3页

报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相... 报道了以热氧化硅片为衬底,用溶液溶解和真空蒸镀两种方法制备有机半导体材料并五苯薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,用X射线衍射仪(XRD)分析了薄膜的晶体结构,讨论了诸多因素对薄膜的影响以及两种方法制备的并五苯薄膜的相结构。 展开更多

关键词 并五苯薄膜 有机场效应晶体管(OFETs) AFM XRD

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短漂移区静电感应晶体管的特性研究

3

作者 张琳娇 杨建红 +1 位作者 刘亚虎 朱延超 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期194-198,共5页

为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常... 为了满足静电感应晶体管(SIT)在中小功率高频领域的应用需求,基于SIT的工作原理以及中小功率高频应用对器件的性能要求,设计一款工作频率为600～800 MHz、通态电流I≈2 A、柵源击穿电压BVgso≈10 V、漏源击穿电压BVdso为100～120 V的常开型SIT。为了满足上述参数要求,设计了漂移区长度为4μm、有源区总厚度为10μm、单元周期为10μm的短漂移区SIT器件。通过数值模拟,研究了短漂移区SIT的电学特性,并与长漂移区SIT的电学特性做了比较和讨论。结果表明,短漂移区SIT具有通态电阻小、功耗小、线性度好、频率高的优点,在中小功率高频领域具有应用意义。 展开更多

关键词 静电感应晶体管(SIT) 短漂移区 势垒 I-V特性 响应时间

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Pentcene/SiO_2表面随温度变化的AFM研究

4

作者 陶春兰 董茂军 +1 位作者 张旭辉 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期881-882,共2页

以热氧化硅片为衬底,以溶液溶解和真空蒸镀两种方法,在不同温度下制备有机半导体材料并五苯(pentacene)薄膜。用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的形貌,讨论了影响薄膜质量的各种因素。

关键词 pentcene/SiO2 AFM 表面形貌

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ITO/Rubrene表面及界面的AFM和XPS研究 被引量：3

5

作者 王金顺 李海蓉 +1 位作者 彭应全 向东旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期207-212,共6页

采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究了氧化铟锡(ITO)/红荧烯(Rubrene)的形貌和表面、界面的电子态。AFM结果显示,ITO上的Rubrene膜有良好的均匀性。XPS结果表明:C1s谱有3个峰,位于282.50,284.70,289.30 eV,对应于C—Si... 采用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究了氧化铟锡(ITO)/红荧烯(Rubrene)的形貌和表面、界面的电子态。AFM结果显示,ITO上的Rubrene膜有良好的均匀性。XPS结果表明:C1s谱有3个峰,位于282.50,284.70,289.30 eV,对应于C—Si、CO和C—C键。用氩离子束溅射表面,芳香碳对应的峰值逐渐增大,其他两个峰值迅速消失。随着表面O污染的去除,O1s峰先快速减弱然后逐渐增强。界面附近的O原子与C原子结合构成OC、C—O—C和醛基。In3d和Sn3d峰则缓慢增强,在界面附近峰值变得稳定。C1s、In3d、Sn3d谱峰都向低束缚能发生化学位移,表明ITO与Rubrene在界面发生了相互作用,形成一个互扩散层。 展开更多

关键词 XPS RUBRENE 化学位移 界面态

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以聚酰亚胺为绝缘层的并五苯场效应晶体管 被引量：3

6

作者 陶春兰 董茂军 +4 位作者 张旭辉 孙硕 张福甲 李东仓 欧谷平 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1630-1631,1634,共3页

报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移... 报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V.s),开关电流比约为104。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 并五苯 AFM 有机场效应晶体管 迁移率

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氧化钛层对聚合物电池的性能影响 被引量：1

7

作者 蒲年年 李海蓉 +2 位作者 申智力 马国富 刘肃 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期600-604,共5页

在特定的薄膜工艺条件下制备了结构为铟锡氧化物(ITO)/聚3-己基噻吩(P3HT)/氧化钛(TiOx)/氧化钛纳米颗粒(TiOxnp)/铝(Al)的有机/无机异质结构太阳能电池。通过不同的TiOx前驱体制备了多种类型氧化钛层,并采用TiOx层掺杂研究其对器件性... 在特定的薄膜工艺条件下制备了结构为铟锡氧化物(ITO)/聚3-己基噻吩(P3HT)/氧化钛(TiOx)/氧化钛纳米颗粒(TiOxnp)/铝(Al)的有机/无机异质结构太阳能电池。通过不同的TiOx前驱体制备了多种类型氧化钛层,并采用TiOx层掺杂研究其对器件性能的影响。实验结果表明:以有机物掺杂的TiOx为功能层的器件有较好的开路电压,但相应的短路电流较低。研究了器件低温退火及TiOx层厚度调控对器件性能的影响,从而确定了器件的优化条件。采用常温技术制备了TiOx前驱体溶液,简化了工艺流程。 展开更多

关键词 氧化钛 聚己基噻吩 聚合物太阳能电池 前驱体

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给-受体材料系统中光致发光的峰值波长随浓度变化的理论(英文) 被引量：1

8

作者 彭应全 范国莹 +2 位作者 周茂清 吕文理 王颖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期216-220,共5页

高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系统下发射光谱的数值模型。该模型较好地描述了在DA材料系统中发射光谱随着受主浓度变化的最主要特征,... 高效的给-受体(DA)能量传输材料体系被公认为有机激光器中的重要组成部分。基于Frster传输和受激发射的理论,我们提出了一种在DA系统下发射光谱的数值模型。该模型较好地描述了在DA材料系统中发射光谱随着受主浓度变化的最主要特征,即光致发光谱峰值波长随着受体浓度的增加而非线性增大,并在浓度较高时趋于受体的单体发射波长。 展开更多

关键词 有机激光器 发射光谱 受主浓度 给-受体材料系统

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并五苯场效应晶体管的研制

9

作者 陶春兰 董茂军 +1 位作者 张旭辉 张福甲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期860-862,共3页

以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过... 以X射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构，通过原子力显微镜（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以热氧化的硅片作为绝缘栅极，并五苯作为有缘层，采用底接触结构，研制场效应晶体管。经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm^2/Vs，开关电流比＞10^6。 展开更多

关键词 并五苯 场效应晶体管 XRD AFM 迁移率

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基于并五苯/酞菁铅异质结的近红外光敏有机场效应管(英文) 被引量：2

10

作者 周茂清 李尧 +2 位作者 姚博 吕文理 彭应全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期342-348,共7页

采用并五苯(Pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种有机材料作为有源层,制备了异质结有机光敏场效应管。在波长为808 nm、强度为124 mW/cm2的近红外光照条件下,异质结phOFET获得最大的光暗电流比达4.4×104,栅压为-50 V时的最大光响应度为11... 采用并五苯(Pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种有机材料作为有源层,制备了异质结有机光敏场效应管。在波长为808 nm、强度为124 mW/cm2的近红外光照条件下,异质结phOFET获得最大的光暗电流比达4.4×104,栅压为-50 V时的最大光响应度为118 mA/W,比单层酞菁铅phOFET分别高出766倍和785倍。在经过120 h后,器件的最大光暗电流比和最大光响应度分别稳定于5.4×104和326 mA/W附近。由于在异质结phOFET中采用了对近红外光具有高吸收效率的酞菁铅作为光敏层,而高空穴迁移率的并五苯材料作为靠近栅介质的沟道层,光生载流子的产生与传输能力得到了有效的提高。实验结果表明,基于并五苯/酞菁铅的有机异质结应用于光敏有机场效应管的结构设计中,可以使phOFET成为一种同时具有良好光敏性及稳定性的近红外光探测器件。 展开更多

关键词 异质结 并五苯 酞菁铅 近红外 光敏有机场效应管

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面向无源超高频标签的低成本非易失存储器 被引量：2

11

作者 谷永胜 冯鹏 +2 位作者 张胜广 吴南健 赵柏秦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期488-494,共7页

面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享... 面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。 展开更多

关键词 射频识别(RFID) 非易失存储器(NVM) 标准CMOS工艺 低成本

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超高频RFID芯片中高灵敏度ASK解调器的设计 被引量：1

12

作者 张胜广 冯鹏 +3 位作者 杨建红 谷永胜 吴南健 赵柏秦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期88-92,共5页

为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路... 为了提高无源超高频(UHF)射频识别(RFID)标签的灵敏度和增大工作距离,设计了一种高灵敏度的ASK解调器。在该解调器的包络检波电路中,采用了开启电压补偿技术,以减小电荷传输管的导通压降;并设计了一种无二极管无电阻的参考电平产生电路。基于0.18μm标准CMOS工艺实现了该解调器,其芯片面积为0.010 mm2,满足第2代第1类UHF RFID通讯协议(EPC C1G2)的要求。测试结果表明,当载波频率为900 MHz、调制深度为80%~100%、数据率为26.7~128 kbit/s时,解调器能够解调信号的能量强度范围为-16^+20 dBm。在工作电压为0.8 V时,其功耗仅为0.56μW。 展开更多

关键词 开启电压补偿 振幅键控(ASK) 解调器 高灵敏度 射频识别(RFID)

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发光层位置对白光有机发光二极管的影响(英文) 被引量：1

13

作者 向东旭 李海蓉 +4 位作者 谢龙珍 杨佳明 王芳 员朝鑫 孙永哲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期821-828,共8页

同一种主体材料MADN中混掺不同的掺杂剂,分别制备了两种白光有机发光二极管,测试并研究了它们的发光效率、寿命、发光亮度、电致发光光谱以及色平衡度。结果表明,两种白光器件的性能受发光层的顺序和厚度的影响显著。发光层顺序由阳极... 同一种主体材料MADN中混掺不同的掺杂剂,分别制备了两种白光有机发光二极管,测试并研究了它们的发光效率、寿命、发光亮度、电致发光光谱以及色平衡度。结果表明,两种白光器件的性能受发光层的顺序和厚度的影响显著。发光层顺序由阳极到阴极方向为橙/蓝的器件的稳定性要优于发光层顺序为蓝/橙的器件,这是由于橙光发光层中的rubrene对空穴的陷进作用可捕获穿越橙光发光层中的空穴,从而有效地调控了器件内部的电子、空穴浓度的平衡。通过对器件的优化,制得了色坐标为(0.320 1,0.345 9)的接近标准白光的有机电致发光器件。 展开更多

关键词 有机电致发光 发光层顺序与厚度 载流子注入 载流子平衡

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1T1R结构RRAM的故障可测性设计 被引量：1

14

作者 陈传兵 许晓欣 +1 位作者 李晓燕 李颖弢 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期388-393,400,共7页

阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并... 阻变随机存储器（RRAM）中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率。采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本。基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片。详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式。在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试（BIST）电路。仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势。 展开更多

关键词 1T1R结构 阻变随机存储器(RRAM) 内建自测试(BIST) 故障类型 测试算法 故障定位

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纳米结构氧化镍缓冲层对蓝色有机发光二极管性能的影响（英文）

15

作者 孙永哲 郑礴 +10 位作者 李海蓉 王芳 员朝鑫 曹中涛 常芳芝 钱坤 雷琦 雷栋 薛鑫 韩根亮 宋玉哲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期492-498,共7页

在阳极和空穴传输层分别引入氧化镍纳米结构缓冲层,制备了蓝色有机发光二极管,对二极管的电学和光学特性进行了测试分析,研究了采用电化学方法制备的氧化镍纳米结构对器件的影响。结果表明,纳米结构氧化镍缓冲层能够有效地提高空穴-电... 在阳极和空穴传输层分别引入氧化镍纳米结构缓冲层,制备了蓝色有机发光二极管,对二极管的电学和光学特性进行了测试分析,研究了采用电化学方法制备的氧化镍纳米结构对器件的影响。结果表明,纳米结构氧化镍缓冲层能够有效地提高空穴-电子对的产生和复合效率,它的引入带来了高效的空穴注入及发光层中的载流子平衡,能有效提高有机发光二极管的电致发光特性。氧化镍缓冲层沉积时间为30 s的器件具有最高的亮度和电流效率,分别为42 460 cd/m^2和24 cd/A,该器件的CIEx,y色坐标为(0.212 9,0.325 2)。 展开更多

关键词 蓝色有机发光二极管 阳极缓冲层 氧化镍纳米结构 电化学法

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有机场效应晶体管的非线性注入模型

16

作者 何兰 范国莹 +3 位作者 李尧 吕文理 韦一 彭应全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1523-1531,共9页

有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变... 有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变化的迁移率提出了模型并成功解释了这一现象,但实验中从器件转移特性得出的迁移率通常与栅极电压无关。本文通过引入常数迁移率对该模型进行改进,运用改进的模型研究了影响OFET非线性特性的主要因素,并对如何更加准确地获得器件参数进行了探究。 展开更多

关键词 有机场效应晶体管 非线性输出特性 阈值电压 场效应迁移率

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