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石墨烯厚膜热扩散系数与微观结构的关系
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作者 白天琦 黄坤 +5 位作者 刘法辰 时若晨 任文才 裴嵩峰 高鹏 刘忠范 《物理化学学报》 北大核心 2025年第3期85-93,共9页
电子元件集成度的快速提升对器件热管理提出了更高的要求。石墨烯凭借其出色的导热性能成为备受关注的材料之一。目前制备高热导率石墨烯厚膜的主流方法是将氧化石墨烯组装成膜再还原,尽管前人的研究取得了突出成效,但截止目前仍未能完... 电子元件集成度的快速提升对器件热管理提出了更高的要求。石墨烯凭借其出色的导热性能成为备受关注的材料之一。目前制备高热导率石墨烯厚膜的主流方法是将氧化石墨烯组装成膜再还原,尽管前人的研究取得了突出成效,但截止目前仍未能完全理解石墨烯膜内部缺陷结构对热导率的具体影响机制,这将限制热导率的进一步提升,达到或超过1500 W·m^(-1)·K^(-1)。在氧化石墨烯膜的热还原过程中,不可避免地会形成一些孔洞结构,通过降低整体密度的方式降低热导率。热扩散系数作为决定热导率大小的另一因素,孔洞对其影响因素却尚未被研究过。在这里,我们定义了包含孔洞的石墨烯膜材料特有的本征热扩散系数,并通过多种电子显微学方法、热扩散系数的测试和有限元模拟,详细研究了石墨烯厚膜的本征热扩散系数与微观结构之间的关联。我们旨在阐明孔洞对热扩散系数以及热导率的影响方式和作用机制。研究结果揭示了不同尺寸和数量的孔洞对热扩散系数的影响,发现密集小孔洞结构可使热扩散系数降低39.4%,而同等面积的单一大孔洞结构对热扩散系数的降低仅约16.1%。通过三维重构获得的统计结论也与计算结果完全匹配。其内在机制是密集小孔洞结构的存在对原有传热路径的破坏更为严重,而单一大孔洞结构的这一作用则相对较弱,只是降低了整体密度从而降低热导率。此外,研究发现面外结晶性对热扩散系数有显著影响,进一步增进了对影响热扩散系数的微观机理的认识。通过阐明这些机制,我们的研究加深了对石墨烯厚膜微观结构与热学性能关联的理解,为生产超高热导率的石墨烯厚膜提供了重要信息,也为下一代电子器件热管理解决方案提供了有效策略。 展开更多
关键词 石墨烯厚膜 本征热扩散系数 单一大孔洞 密集小孔洞 面外结晶性
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国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题
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作者 丁晓民 《中国科技论坛》 CSSCI 北大核心 1997年第2期49-52,共4页
国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题丁晓民北京大学人工微结构和介观物理实验室如何确定国家重点实验室管理工作好坏,怎样使科研管理有效促进‘实验室’研究工作的顺利开展,这其中面临许多课题有待深入探讨。本文仅就‘实验... 国家重点实验室管理工作的趋势及几个关键问题丁晓民北京大学人工微结构和介观物理实验室如何确定国家重点实验室管理工作好坏,怎样使科研管理有效促进‘实验室’研究工作的顺利开展,这其中面临许多课题有待深入探讨。本文仅就‘实验室’自身科研管理的发展趋势及几个关... 展开更多
关键词 实验室 管理工作 国家实验室 管理现代化
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介观光学结构提高蓝色顶发射有机电致发光器件效率 被引量:1
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作者 钟耀贤 卞梦颖 +4 位作者 张明骁 褚赛赛 陈志坚 龚旗煌 肖立新 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第8期1597-1601,共5页
利用宽带有机半导体材料(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉,BCP)形成无序介观光学结构来提高蓝色顶发射有机电致发光器件(OLED)的出光效率,从而提升器件的外量子效率.基于BCP折射率匹配的作用,在顶电极上增加一层BCP薄膜,器件内的波... 利用宽带有机半导体材料(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉,BCP)形成无序介观光学结构来提高蓝色顶发射有机电致发光器件(OLED)的出光效率,从而提升器件的外量子效率.基于BCP折射率匹配的作用,在顶电极上增加一层BCP薄膜,器件内的波导光能够被进一步散射出来,且由于此材料本身具有低的玻璃化转变温度,在一定的环境条件下(温度及湿度)下BCP易发生自聚集结晶而形成无序介观光学结构,藉此结构使原来被限制于表面等离激元(SPP)的能量而耦合成自由光场,从而被有效提取出来.通过BCP结构薄膜的作用,器件最大亮度从4500 cd m–2提升至9840 cd m–2,外量子效率(EQE)从0.42%提升至1.14%(提高了1.7倍),此外光谱也蓝移12 nm,实现了蓝色发光光谱的优化. 展开更多
关键词 介观光学结构 有机电致发光器件 蓝光 顶发射 外量子效率
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基于全内反射荧光显微镜的单个心肌细胞内钙信号斑图的介观表征 被引量:1
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作者 白永强 朱星 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期672-675,共4页
利用基于近场光学原理组建的全内反射荧光显微镜研究单个大鼠心肌细胞内钙离子信号的斑图.结果表明:存在于盖玻片表面约100nm区域的隐失场可较好地照射活体细胞,并能清晰地显示胞内信号;心肌细胞内钙信号包括钙火花、钙靶波、钙平面波... 利用基于近场光学原理组建的全内反射荧光显微镜研究单个大鼠心肌细胞内钙离子信号的斑图.结果表明:存在于盖玻片表面约100nm区域的隐失场可较好地照射活体细胞,并能清晰地显示胞内信号;心肌细胞内钙信号包括钙火花、钙靶波、钙平面波和钙螺旋波等形式,钙信号各形式间存在相互作用;在钙诱导钙释放机制作用下,心肌细胞具有较强的可激发特性. 展开更多
关键词 全内反射荧光显微镜 钙火花 钙螺旋波 钙诱导钙释放 可激发特性
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半导体纳米线的掺杂与显微结构研究 被引量:1
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作者 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期281-281,共1页
关键词 半导体纳米线 过掺杂 结构研究 半导体技术 微电子技术 功能器件 复杂系统 纳米器件 MN掺杂
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中华蜜蜂工蜂上颚腺的超微结构 被引量:1
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作者 杜芝兰 张晓萍 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期232-236,共5页
对中华蜜蜂工蜂上颚腺超微结构的电镜观察,发现上颚腺呈囊状,胞内管和胞外管的管壁由3层结构组成。细胞连接为隔壁桥粘连接。核为卯圆形,腺细胞内含有许多核糖体和粗面内质网,滑面内质网也存在。线粒体和高尔基复合体也被观察到。
关键词 中华蜜蜂 上颚腺 超微结构 电镜
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氮化硅/氮化钛陶瓷多层膜纳米组织结构的场发射扫描电镜观察研究
7
作者 徐军 王立铎 陈文雄 《电子显微学报》 CAS CSCD 1998年第6期716-721,共6页
将“高分辨二次电子成分衬度成像原理”与“离子束锥形刻蚀处理样品的方法”相结合,利用高分辨场发射扫描电镜对室温下离子束辅助沉积制备的氮化硅/氮化钛陶瓷多层膜层厚及其纳米组织结构进行观察研究,清晰地观察到各层层厚及各层中... 将“高分辨二次电子成分衬度成像原理”与“离子束锥形刻蚀处理样品的方法”相结合,利用高分辨场发射扫描电镜对室温下离子束辅助沉积制备的氮化硅/氮化钛陶瓷多层膜层厚及其纳米组织结构进行观察研究,清晰地观察到各层层厚及各层中的纳米粒子,这一方法为氮化硅/氮化钛陶瓷多层膜纳米结构与层间关系的研究提供了一种实用而有效的手段。 展开更多
关键词 场发射扫描电镜 氮化硅 氮化钛 陶瓷 多层膜
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kHz脉冲分子束的产生及其在强场原子分子物理实验中的应用
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作者 许少华 王鹏 +1 位作者 杨宏 吴成印 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期591-595,共5页
采用悬臂压电脉冲阀,制备出最高重复频率达到3 k Hz的脉冲分子束。通过测量氮气分子束在飞秒激光作用下隧道电离生成的N2+(B-X)荧光光谱,对脉冲阀的性能做了表征。这种k Hz脉冲分子束搭配k Hz飞秒激光器,将推动飞秒强激光驱动的原子分... 采用悬臂压电脉冲阀,制备出最高重复频率达到3 k Hz的脉冲分子束。通过测量氮气分子束在飞秒激光作用下隧道电离生成的N2+(B-X)荧光光谱,对脉冲阀的性能做了表征。这种k Hz脉冲分子束搭配k Hz飞秒激光器,将推动飞秒强激光驱动的原子分子动力学实验研究。 展开更多
关键词 脉冲分子束 高重复频率 飞秒激光 隧道电离 荧光光谱
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用微结构改进InGaAlP量子阱发光二极管的出光强度
9
作者 隋文辉 章蓓 +3 位作者 王大军 栾峰 徐万劲 马晓宇 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期331-335,共5页
针对半导体发光二极管 (LED)出光效率低下的问题 ,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想 ,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结果表明 ,这种新型LED在竖直方向的出射光强... 针对半导体发光二极管 (LED)出光效率低下的问题 ,提出了一个在LED顶部引入周期性微结构的新设想。根据这一设想 ,采用简单的微加工技术研制成功带有环形槽微结构的圆台形InGaAlP量子阱LED。结果表明 ,这种新型LED在竖直方向的出射光强比不带微结构的LED有明显增强。 展开更多
关键词 发光二极管 出光效率 InGaAIP量子阱 微结构
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原位电镜观测氧化石墨烯的加热还原过程 被引量:1
10
作者 白天琦 黄坤 +2 位作者 杜进隆 裴嵩峰 高鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期405-412,共8页
近年来石墨烯导热膜在高性能手机等电子产品里获得了广泛的应用。通过加热的方式还原氧化石墨烯是一种被应用于石墨烯导热膜批量制备的商业方法,但其原子尺度上的结构演化过程并不很清楚。本文利用球差校正扫描透射电镜原位观测了氧化... 近年来石墨烯导热膜在高性能手机等电子产品里获得了广泛的应用。通过加热的方式还原氧化石墨烯是一种被应用于石墨烯导热膜批量制备的商业方法,但其原子尺度上的结构演化过程并不很清楚。本文利用球差校正扫描透射电镜原位观测了氧化石墨烯在加热条件下还原的微观结构演化,结果表明,氧化石墨烯在还原初期会释放大量气体从而形成丝状网络结构,且层间距会随着还原进程而减小,经过高温石墨化的还原氧化石墨烯能够具有稳定的结构。本论文的研究揭示了氧化石墨烯在还原过程的微观结构演化,为指导优化还原氧化石墨烯基导热膜的制备和应用提供了有参考价值的信息。 展开更多
关键词 氧化石墨烯 原位加热 孔洞 层间距 还原氧化石墨烯
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反对称介质-金属结构中的表面等离激元
11
作者 梁启军 王若鹏 《北京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期177-182,共6页
利用反对称半无限介质-金属结构实现了表面等离激元的高反射率。计算了反对称半无限金属-介质结构中正入射和斜入射表面等离激元的反射和透射。限制介质的厚度,将电磁场表示成各离散本征模式的叠加,根据边界条件得到反射系数和透射系数... 利用反对称半无限介质-金属结构实现了表面等离激元的高反射率。计算了反对称半无限金属-介质结构中正入射和斜入射表面等离激元的反射和透射。限制介质的厚度,将电磁场表示成各离散本征模式的叠加,根据边界条件得到反射系数和透射系数矩阵。介质厚度趋于无穷时,得到反对称半无限介质-金属结构中表面等离激元反射系数和透射系数的近似解析表达式,计算结果与数值解相吻合。最后分析了斜入射表面等离激元的反射率和透射率与入射角的关系。 展开更多
关键词 表面等离激元 反对称半无限介质-金属结构 色散关系 反射率 透射率
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介观尺度超导体的超导电性
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作者 熊明渊 甘子钊 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期722-730,共9页
在GinzburgLandau理论框架内,发展了一种解析的处理方法研究了介观超导体的超导电性。
关键词 介观超导体 Ginzburg—Landau理论 涡旋 序参量
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石榴石辉石岩的单斜辉石中韭闪石和钛铁矿出溶结构及地质意义 被引量:11
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作者 陈晶 许志琴 +3 位作者 李旭平 陈志忠 李天福 陈方远 《地质学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期556-565,共10页
本文首次报道了在苏鲁超高压变质带胡家岭地区石榴石辉石岩中发现的韭闪石出溶结构。该石榴石辉石岩是由石榴子石、单斜辉石以及镁铝尖晶石、钛铁矿和磁铁矿组成。在石榴子石巨斑晶中有单斜辉石包体,单斜辉石包体中又有石榴子石包体以... 本文首次报道了在苏鲁超高压变质带胡家岭地区石榴石辉石岩中发现的韭闪石出溶结构。该石榴石辉石岩是由石榴子石、单斜辉石以及镁铝尖晶石、钛铁矿和磁铁矿组成。在石榴子石巨斑晶中有单斜辉石包体,单斜辉石包体中又有石榴子石包体以及大量韭闪石出溶片晶和钛铁矿(+磁铁矿)出溶棒。单斜辉石中韭闪石出溶片晶呈平行条带状,其宽度在1~10μm之间。透射电子显微镜(TEM)观察韭闪石的(010)面平行于主晶透辉石的(010)面,且两者的界面在纳米尺度上是连续过渡的,证明韭闪石是出溶形成的。大量钛铁矿出溶棒的定向排列也显示出它们是自然出溶形成的。从单斜辉石出溶的矿物组合推测其原始单斜辉石成分中应富含H_2O、Na和Ti,属高压型单斜辉石。该石榴石辉石岩经历了超高压变质作用后,在抬升减压过程中形成这些出溶结构。大量钛铁矿出溶棒均斜切韭闪石出溶片晶,表明该超高压岩石在减压过程中至少经历了两期以上导致温压明显变化的地质事件。 展开更多
关键词 出溶结构 俯冲岩片 折返过程 石榴辉石岩 单斜辉石 韭闪石
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胶东荣成榴辉岩中含铜磁黄铁矿出溶结构的磷灰石的发现及其意义 被引量:21
14
作者 梁凤华 曾令森 +1 位作者 陈晶 陈方远 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期433-438,共6页
在苏鲁超高压变质带东北部胶东荣成地区的退变金红石榴辉岩中,我们发现了具含铜磁黄铁矿出溶结构的磷灰石。磷灰石在该榴辉岩中含量较高(≈5%),多为不规则形状,颗粒大小不一,粗大者可达1.2mm×0.6mm。样品中几乎所有的磷灰石均发... 在苏鲁超高压变质带东北部胶东荣成地区的退变金红石榴辉岩中,我们发现了具含铜磁黄铁矿出溶结构的磷灰石。磷灰石在该榴辉岩中含量较高(≈5%),多为不规则形状,颗粒大小不一,粗大者可达1.2mm×0.6mm。样品中几乎所有的磷灰石均发育出溶结构,出溶棒可能分为相互垂直的两组,各自分别沿同一方向分布,出溶棒密度大,形状规则,宽度相似,长度最长可达0.1mm。在扫描电子显微镜下,利用X射线能谱仪测定出溶棒主要由Fe、Cu和S三种元素组成。由于很难准确确定三者的比例,暂将其定为含铜磁黄铁矿((Fe_(1-x)Cu_x)S)。报道的磷灰石含铜磁黄铁矿出溶结构,与江苏赣榆地区磷灰石的磁黄铁矿出溶结构,同产于苏鲁超高压变质带中,具有可对比性;磷灰石中Cu、Fe的溶解度可能是温压条件的函数;因此进一步精确研究磷灰石中这些出溶结构的成分和成因,将为深入探讨苏鲁超高压变质带不同地体变质条件、成因的差异及俯冲折返机制等问题提供重要线索。 展开更多
关键词 磷灰石 出溶结构 含铜磁黄铁矿 榴辉岩 苏鲁超高压变质带 胶东
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GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用 被引量:10
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作者 沈波 唐宁 +4 位作者 杨学林 王茂俊 许福军 王新强 秦志新 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期81-97,共17页
GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件... GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一,在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值。GaN基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点。本文从GaN基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述,并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展。 展开更多
关键词 GaN基宽禁带半导体 外延生长 二维电子气 输运性质 自旋性质 GaN基电子器件
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中国大陆科学钻探主孔540~600m榴辉岩中赤铁矿-钛铁矿固溶体出溶结构的特征及对榴辉岩折返动力学过程的意义 被引量:9
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作者 梁凤华 曾令森 +2 位作者 许志琴 陈方远 陈晶 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1905-1914,共10页
在中国大陆科学钻探主孔540-600m榴辉岩中集中发育了一种具特殊出溶结构的不透明金属矿物——具高度精细共生结构的赤铁矿-钛铁矿固溶体。在这段榴辉岩中,这种固溶体少部分以细小圆粒状包裹体分布于单斜辉石和石榴石内部,大部分则呈海... 在中国大陆科学钻探主孔540-600m榴辉岩中集中发育了一种具特殊出溶结构的不透明金属矿物——具高度精细共生结构的赤铁矿-钛铁矿固溶体。在这段榴辉岩中,这种固溶体少部分以细小圆粒状包裹体分布于单斜辉石和石榴石内部,大部分则呈海绵陨铁状充填于单斜辉石和石榴石空隙之间。出溶分多个不同的期次,相对粗粒的赤铁矿质钛铁矿和钛铁矿质赤铁矿出溶片晶中又包含有更细粒的出溶片晶,在次一级的赤铁矿质钛铁矿域出溶钛铁矿质赤铁矿,同时在钛铁矿质赤铁矿城又出溶赤铁矿质钛铁矿,出溶片的大小可以从毫米级一直变化到纳米级,以至于很难测到纯的端元组分。出溶片在单个颗粒中按照平行(001)的方向定向排列,但在整个样品中则没有规律。出溶片中钛铁矿的摩尔百分数从23.80变化到89.84,反映了从不具明显磁性的赤铁矿和钛铁矿端元组分向具有强磁性的出溶体演化的过程。这样的出溶过程需要一个缓慢降温的环境,说明在超高压地体快速折返的整个过程中可能存在一个近等温降压或滞留在高温状态下(近等温等压)的阶段。这种固溶体在矿物的磁性特征方面十分特别:(1)可以包含异常强且稳定的天然剩磁;(2)所保存的剩磁即使在强的退磁磁场中也不会消退;及(3)能引起区域上显著的磁异常。因此,这种固溶体可能是导致CCSD主孔540-600m段榴辉岩较高磁化率、区域高度航磁异常及高度V、Ti异常的主要因素。赤铁矿-钛铁矿固溶体出溶结构在540-600m岩性段集中分布的现象与这一岩性段在各方面均有异常表现的奇特现象相吻合,结合前人的研究,认为赤铁矿.钛铁矿固溶体的成因与导致这段岩性段各种异常的成因有着直接的联系。赤铁矿-钛铁矿固溶体出溶结构的出溶成分和所具磁性强烈依赖于榴辉岩温压条件的变化特征,时它的继续深入研究,将会为精确限定苏鲁超高压变质带变质岩石形成中的温压变化,解释CCSD主孔附近区域的磁性异常及钒钛矿的勘探等问题起到重要的指示作用。 展开更多
关键词 赤铁矿-钛铁矿固溶体 出溶结构 榴辉岩 中国大陆科学钻探 苏鲁超高压变质带
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LnBaB_9O_(16)∶Eu^(3+)(Ln=La,Y)的结构与荧光性质 被引量:12
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作者 杨智 林建华 +3 位作者 苏勉曾 尤力平 王渭 陶冶 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期1832-1837,共6页
利用电子衍射、X射线衍射和荧光光谱等方法研究了 L n Ba B9O16(L n=L a,Y)的结构特性 .L n Ba B9O16为单斜晶系 ,其中 L a Ba B9O16的晶胞参数 a=1.36 6 0 nm,b=0 .7882 nm,c=1.6 2 53nm,β=10 6 .15°;YBa B9O16的晶胞参数 a=1.34... 利用电子衍射、X射线衍射和荧光光谱等方法研究了 L n Ba B9O16(L n=L a,Y)的结构特性 .L n Ba B9O16为单斜晶系 ,其中 L a Ba B9O16的晶胞参数 a=1.36 6 0 nm,b=0 .7882 nm,c=1.6 2 53nm,β=10 6 .15°;YBa B9O16的晶胞参数 a=1.3476 nm,b=0 .7776 nm,c=1.6 0 4 0 nm,β=10 6 .38°.荧光光谱研究表明 ,这两种化合物结构不同 ,Y3 +在 YBa B9O16结构中处于中心对称格位 ,而 L a Ba B9O16中 L a3 +的格位则无中心对称性 .Gd3 +部分取代 L a Ba B9O16∶ Eu3 +中的 L a3 +可改善 Eu3 +离子的发光性质 .L a Ba B9O16∶ Eu3 +在真空紫外区的吸收比较弱 ,这可能与硼氧比较小有关 . 展开更多
关键词 硼酸盐 电子衍射 X射线衍射 荧光光谱 稀土
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GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化 被引量:8
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作者 潘华璞 黄利伟 +4 位作者 李睿 林亮 陈志忠 张国义 胡晓东 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期114-120,共7页
针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定... 针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。 展开更多
关键词 GAN基LED 电流扩展 串联电阻 有限元方法 电极结构
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混合物理化学气相沉积法制备Mg衬底MgB_2薄膜 被引量:4
19
作者 姚丹 庄承钢 +3 位作者 张开成 余增强 冯庆荣 王福仁 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期357-360,共4页
用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密... 用混合物理化学气相沉积(Hybridphysical-chemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc(onset)=39.5K,SEM(ScanningElectronMicroscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向。晶粒大小约为400nm^1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势。 展开更多
关键词 MgB2薄膜 M-T曲线 X射线衍射图 SEM图 EDX成分分析
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SnO2掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究 被引量:8
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作者 王朋伟 单旭东 +1 位作者 章新政 俞大鹏 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第4期261-265,共5页
用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626n... 用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线。纳米线直径约50 nm,长几十微米。通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626nm处有很强的红光发射峰。 展开更多
关键词 SnO2纳米线 掺杂 制备 结构 发光
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