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SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
被引量：
6
1
作者
赵发展
郭天雷
+1 位作者
海潮和
彭菲
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期159-162,205,共5页
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的...
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流。良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流。
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关键词
单粒子效应
SOI
SRAM
加固
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职称材料
题名
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
被引量：
6
1
作者
赵发展
郭天雷
海潮和
彭菲
机构
中国科学院微电子研究所
亚舍立半导体技术公司
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期159-162,205,共5页
文摘
随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要。本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流。良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流。
关键词
单粒子效应
SOI
SRAM
加固
Keywords
SEU
SOI
SRAM
Harden
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟
赵发展
郭天雷
海潮和
彭菲
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
6
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