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LiMgPO4∶Tb光致发光材料的制备及剂量学性能研究 被引量:2
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作者 阙慧颖 陈朝阳 +1 位作者 孔熙瑞 何承发 《郑州大学学报(工学版)》 CAS 北大核心 2019年第6期23-26,共4页
采用高温固相烧结法合成了一种高灵敏度的光致发光材料LiMgPO4∶Tb,研究了其发光性能及辐射剂量学特性,并采用连续波光激励发光(CW-OSL)的模式对材料进行剂量学性能测试,探究了影响该材料OSL灵敏度的因素.实验结果表明,当掺杂剂摩尔分数... 采用高温固相烧结法合成了一种高灵敏度的光致发光材料LiMgPO4∶Tb,研究了其发光性能及辐射剂量学特性,并采用连续波光激励发光(CW-OSL)的模式对材料进行剂量学性能测试,探究了影响该材料OSL灵敏度的因素.实验结果表明,当掺杂剂摩尔分数为0.02%、粒径为50~150μm时,该材料表现出较高的灵敏度.此外,还发现该材料具有优异的剂量学特性,如较好的稳定性、高灵敏度(约为市售Al2O3∶C的3倍)、低有效原子序数(Zeff≈11.8)、宽剂量响应范围(0.1 Gy^1000 Gy)等. 展开更多
关键词 LiMgPO4 光致发光 剂量计 辐射剂量
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不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究 被引量:1
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作者 相传峰 李小龙 +11 位作者 陆妩 王信 刘默寒 于新 蔡娇 张瑞勤 何承发 荀明珠 刘海涛 张巍 于刚 郭旗 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2183-2190,共8页
本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP(gated lateral PNP,GLPNP)双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制。试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因... 本文选用特殊测试结构的栅控横向PNP(gated lateral PNP,GLPNP)双极晶体管为研究对象,在不同辐照温度下,得到了温度和剂量对GLPNP双极晶体管辐射损伤的响应机制。试验结果表明,温度和剂量是影响界面陷阱电荷生成和退火动态平衡的关键因素。在低剂量阶段,高温辐照会导致GLPNP双极晶体管辐射损伤加快,在高剂量阶段,适当降低温度会促进界面陷阱电荷的生长。 展开更多
关键词 温度效应 总剂量效应 界面陷阱电荷 GLPNP双极晶体管
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模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应 被引量:1
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作者 相传峰 姚帅 +8 位作者 于新 李小龙 陆妩 王信 刘默寒 孙静 郭旗 蔡娇 杨圣 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2021年第4期91-96,共6页
以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU... 以美国亚德诺半导体技术有限公司bipolar/I2L工艺的1^(2)位模拟数字转换器AD574为研究对象,在^(60)Coγ辐照条件下累积400 Gy(Si)的电离剂量(Totalionizingdose,TID),对累积总剂量前后的样品进行激光单粒子翻转(Single-event upset,SEU)试验,获得了0 V、1 V、2.5 V输入信号条件下的输出码值翻转。结果显示:累积400 Gy(Si)电离剂量后,AD574输出码值的翻转向中心码值右侧偏移,同时造成翻转次数的改变。本文初步分析了AD574的TID-SEU协合效应作用机制,认为该现象与模拟/数字转换器内部比较器单粒子瞬态的敏感性有关。累积总剂量后,比较器单粒子瞬态的幅值和宽度显著增大,会导致AD574输出码值翻转分布及次数的变化。该TID-SEU协合效应研究对宇航元器件的抗辐射加固保障提供了有益参考。 展开更多
关键词 模拟数字转换器 总剂量效应 单粒子翻转 协合效应
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850nm垂直腔面发射激光器的辐射效应 被引量:1
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作者 陈加伟 李豫东 +2 位作者 玛丽娅 李钰 郭旗 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2022年第5期179-184,共6页
为了探究850 nm高速垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机制,开展了10 MeV质子和γ-射线辐照实验,获得了光功率和阈值电流退化规律,分析了辐射导致VCSEL参数退化的物理机理... 为了探究850 nm高速垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机制,开展了10 MeV质子和γ-射线辐照实验,获得了光功率和阈值电流退化规律,分析了辐射导致VCSEL参数退化的物理机理,此外,还开展了236 h的电注入退火研究。研究结果表明:VCSEL对γ射线导致的总剂量效应不敏感,且在一定剂量范围内光电特性由于沉积能量促进了量子阱界面附近的晶体有序而产生了一定程度的恢复:但是在质子辐照下,VCSEL的阈值电流和外量子效率发生了不同程度的退化,计算获得阈值电流损伤因子为1.468×10^(-15)cm^(2)/p。经过20 mA注入增强退火后,阈值电流恢复了20%,25 mA注入电流下,光输出功率恢复了10%。阈值电流和外量子效率的退化归因于质子辐照引入的非辐射复合中心。这些实验结果为VCSEL及包含VCSEL的数据通信与仪器的系统在恶劣空间辐射环境下的应用提供支持。 展开更多
关键词 VCSEL 辐射效应 位移损伤 退火
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