半导体量子点内弹性应变能的研究(英文) 被引量：5

1

作者 杨红波 俞重远 +1 位作者 刘玉敏 黄永箴 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期531-534,共4页

本文用有限元分析软件ANSTS 6 .0计算了半导体量子点内的弹性应变和弹性应变能 ,通过对金塔形、台形和圆顶形量子点内总弹性应变能的计算和总能量的比较 ,得到了在热平衡条件下金字塔形量子点是最稳定的结构。

关键词 有限元分析软件 半导体量子点 弹性应变 弹性应变能

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光子晶体微腔半导体激光器的研究进展

2

作者 高鹏 毛陆虹 +3 位作者 李斌桥 陈弘达 孙增辉 陈永权 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第12期94-97,共4页

概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展 ,从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述 ,并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。

关键词 光子晶体微腔半导体激光器 PBG 垂直腔面发射激光器 VCSEL 光子禁带

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光子晶体调制半导体激光器侧模 被引量：3

3

作者 张建心 刘磊 +2 位作者 陈微 渠红伟 郑婉华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第1期69-72,共4页

为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流... 为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流子注入来增强基模的激射优势,进而减少侧模的数量。实验上制作了主脊条宽度为6μm,光子晶体周期5μm,波长1 550 nm的半导体激光器。测试结果表明:在连续工作的情况下,电流300 mA的时候,高阶侧模受到抑制,水平发散角变为10.2°,证实了光子晶体结构调制激光器侧模的可行性。 展开更多

关键词 光子晶体 侧模 半导体激光器

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用于光网络通信的Si基光子集成器件的研究 被引量：4

4

作者 王启明 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期23-30,共8页

报导了可用于光网络系统终端OADM和OXC的Si基长波长量子阱窄带响应光电接收器 ,MOEMS和F_PTO宽频域光学滤波器 ,M_Z型TO光开关和MMI多路分束器以及可变光强衰减器 .用应变层SiGe/SiMQW研制的RCE光电接收器响应谱半宽FWHM <6nm ,外量... 报导了可用于光网络系统终端OADM和OXC的Si基长波长量子阱窄带响应光电接收器 ,MOEMS和F_PTO宽频域光学滤波器 ,M_Z型TO光开关和MMI多路分束器以及可变光强衰减器 .用应变层SiGe/SiMQW研制的RCE光电接收器响应谱半宽FWHM <6nm ,外量子效率 η >4 .2 % ;采用表面微机械加工的桥式光学滤波器 ,当外加电压 0→ 50V ,连续可调谐范围达 90nm ;采用全平面工艺研制的F_P腔TO滤波器 ,当外加电流 0→ 57mA时 ,连续可调谐范围达 2 3nm ,FWHM <0 .5nm .在SOISi基片上研制的M_ZTO波导光开关 ,开关时间 <30 μs,功耗～ 10 0mW .开关消光比_13dB和_10dB ,1× 4MMI多路分束器输出光场的不均衡性 <0 .36dB ,总插入损耗 6 .9dB .用背向对接的MMI构成的M_Z干涉仪实现了光强的可变调最大衰减量 2 6dB ,响应时间 10 0 μs,插入损耗 4 .8～ 7dB . 展开更多

关键词 Si基集成 光电探测器 光学滤波器 光开关 光分路器 光强衰减器

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与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究 被引量：1

5

作者 刘海军 高鹏 +4 位作者 陈弘达 顾明 许奇明 刘金彬 黄北举 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期985-989,共5页

着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回... 着重介绍了与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件的最新研究进展,包括硅基光发射器、硅基光波导和调制器件、硅基光电探测器和接收机以及硅基光电子集成回路的工作原理、制作工艺和集成技术.与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子集成回路能有效地解决电互连芯片内部串扰、带宽和能耗等问题,并能够充分利用现有成熟的集成电路工艺,实现大规模生产,具有广阔的实用前景. 展开更多

关键词 集成电路工艺 硅基光电子集成回路 全硅光互连

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微流控芯片技术在循环肿瘤细胞分离中的研究进展 被引量：10

6

作者 吕晓庆 李雷 +2 位作者 陈红梅 陈鹏 刘静 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第4期301-312,共12页

循环肿瘤细胞(circulating tumor cells,CTCs)是指从原发肿瘤或转移灶脱落、发生上皮-间质转化进入患者外周血血液循环的恶性肿瘤细胞.CTCs在肿瘤研究和临床诊断上的作用逐渐得到认可,外周血中CTCs存在与否以及数量多少不但可以用于肿... 循环肿瘤细胞(circulating tumor cells,CTCs)是指从原发肿瘤或转移灶脱落、发生上皮-间质转化进入患者外周血血液循环的恶性肿瘤细胞.CTCs在肿瘤研究和临床诊断上的作用逐渐得到认可,外周血中CTCs存在与否以及数量多少不但可以用于肿瘤的早期诊断,还可以用于评估肿瘤预后、监测肿瘤的转移和复发.微流控芯片作为一个高通量、小型化的细胞实验平台,已被应用于CTCs的分选当中.本文综述了用于CTCs捕获的微流控芯片系统的最新研究进展,着重介绍各类芯片的捕获原理、芯片结构和捕获效率,最后对微流控芯片技术在CTCs分选中的应用前景进行了展望. 展开更多

关键词 微流控芯片 循环肿瘤细胞 肿瘤转移 细胞分选

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12路40Gb/s甚短距离并行光传输信号转换器研究 被引量：2

7

作者 刘丰满 陈雄斌 +2 位作者 刘博 杨宇 陈弘达 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期415-420,共6页

基于OIF-VSR5-01.0规范,分析了12路并行40Gb/s甚短距离(VSR)光传输转换器模块的实现原理。采用top-down分析方法,使用硬件描述语言verilog,在可编程逻辑器件上完成了时钟数据恢复、基于字节对齐方案的帧同步、信道去斜移、比特间差奇偶... 基于OIF-VSR5-01.0规范,分析了12路并行40Gb/s甚短距离(VSR)光传输转换器模块的实现原理。采用top-down分析方法,使用硬件描述语言verilog,在可编程逻辑器件上完成了时钟数据恢复、基于字节对齐方案的帧同步、信道去斜移、比特间差奇偶校验(BIP)等功能模块的程序设计,实现了SFI-5与OIF-VSR5-01.0电信号格式的相互转换,并在Altera的StratixⅡGX系列的高速现场可编程门阵列(FPGA)上对功能模块进行了功能验证和联合仿真。结果表明所设计的各个功能模块满足系统应用要求,为下一步将系统设计转换为专用集成电路(ASIC)奠定了基础。 展开更多

关键词 甚短距离(VSR) 转换器 帧同步 去斜移 STM-256

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用于视网膜修复的植入系统研究

8

作者 刘金彬 裴为华 +1 位作者 高鹏 陈弘达 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2004年第11期106-110,共5页

在视网膜附近植入人造芯片以恢复受损的视觉功能是视网膜修复的一个重要研究方面。本文综合讨论了目前该领域主要采用的两种方法：视网膜外植入和视网膜下植入方法，分析了各自的优缺点，并讨论了视网膜修复中的几个关键问题。

关键词 视网膜 植入方法 视觉功能 优缺点 恢复 分析 关键问题 膜修复 系统研究 受损

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GaAs基谐振腔增强型光电探测器

9

作者 梁琨 杨晓红 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期345-349,共5页

本文报道了利用MBE和MOCVD方法生长外延材料并制作出GaAs基谐振腔增强型光电探测器，进行理论分析和实验研究的结果。

关键词 GAAS 谐振腔增强型光电探测器 外延生长 砷化镓 MBE MOCVD RCE光电探测器 光电特性

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12路并行光互连子系统研究

10

作者 陈雄斌 杨宇 +1 位作者 刘博 陈弘达 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期739-742,共4页

针对高速芯片间光互连的应用，利用垂直腔面发射激光器（VCSEL）列阵作为光源、PIN列阵作为探测器，采用并行光传输的方式，设计了高密度的12路高速信号的光互连子系统，并利用12芯标准多模光纤带进行了1m距离内的光传输试验测试。测试... 针对高速芯片间光互连的应用，利用垂直腔面发射激光器（VCSEL）列阵作为光源、PIN列阵作为探测器，采用并行光传输的方式，设计了高密度的12路高速信号的光互连子系统，并利用12芯标准多模光纤带进行了1m距离内的光传输试验测试。测试结果表明，在零误码率的条件下系统单路速率大于6Gb／s，接收端信号的上升时间（F1）为91ps，完整抖动（Tj）为75．6ps。 展开更多

关键词 光互连 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 芯片间 并行传输

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阵列波导光栅平坦化的研究 被引量：3

11

作者 张俪耀 吴远大 +6 位作者 安俊明 王玥 王亮亮 潘盼 张家顺 张晓光 胡雄伟 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期379-385,共7页

阵列波导光栅的平坦化在实际应用中有很重要的意义.本文系统地研究了阵列波导光栅的平坦化.在输入波导、输出波导、阵列波导输入端与输出端上分别引入了指数型锥形波导.通过改变锥形波导的形状和尺寸来实现平坦化的优化.本文首先从理论... 阵列波导光栅的平坦化在实际应用中有很重要的意义.本文系统地研究了阵列波导光栅的平坦化.在输入波导、输出波导、阵列波导输入端与输出端上分别引入了指数型锥形波导.通过改变锥形波导的形状和尺寸来实现平坦化的优化.本文首先从理论上论述了引入指数型锥形波导的输出光谱特性,给出了结构参量的关系表达式,阐明了输入波导处的锥形波导是影响输出光谱平坦化的主要因素,阵列波导和输出波导处的锥形波导对输出光谱的平坦化有一定的影响.其次采用数值模拟的方法模拟了输出光谱,优化了结构参量,总结出了指数型锥形波导对平坦化影响的趋势和规律.模拟结果显示,输出光谱1dB带宽大于通道间隔的50%,插入损耗从5.2dB减小到了4.0dB,串扰小于-30dB.最后,本文给出了实验结果,插入损耗减小了0.87dB,串扰减小了3.67dB,1dB带宽增加0.1nm,增加了54.7%.实验结果表明引入指数型锥形波导提高了阵列波导光栅器件的光谱性能. 展开更多

关键词 阵列波导光栅 平坦化 锥形波导 有限差分光束传播法 1 dB带宽

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低功耗高集成度CMOS神经信号放大器 被引量：1

12

作者 杜智超 张旭 +1 位作者 刘鸣 陈弘达 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期104-110,共7页

针对传统电容耦合-电容反馈型神经信号放大电路芯片面积过大、输入电阻低的缺陷,设计并实现了一款16通道带通胞外神经信号放大器。它通过采用新型的交流耦合T型电容网络反馈式拓扑结构,在保证低噪声和高输入阻抗的前提下减少了芯片的面... 针对传统电容耦合-电容反馈型神经信号放大电路芯片面积过大、输入电阻低的缺陷,设计并实现了一款16通道带通胞外神经信号放大器。它通过采用新型的交流耦合T型电容网络反馈式拓扑结构,在保证低噪声和高输入阻抗的前提下减少了芯片的面积。芯片每个通道的中频增益为40.6dB,直流增益为0 dB。其-3dB高频截止频率为5kHz,而其低频截止频率可以通过调节晶体管的栅电压而进行优化。在供电电压为±1.65V的情况下,芯片在记录多通道局部场电位(LFPs)时,从1Hz到10kHz频率积分得到的输入参考噪声为4.99μVrms,其每通道功耗为19.8μW。芯片总面积为2062.5μm×525.7μm,平均每通道0.02 mm^2,由0.35-μm CMOS N-well 2P4M工艺实现。相比于传统结构的CMOS神经信号放大器,该设计在集成度及功耗上占优势。 展开更多

关键词 神经信号放大器 T型电容反馈网络 高集成度 输入阻抗 低功耗

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光纤通信有源器件的发展现状 被引量：11

13

作者 王启明 赵玲娟 +2 位作者 朱洪亮 韩勤 成步文 《电信科学》 北大核心 2016年第5期10-23,共14页

光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势,包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激... 光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势,包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激光器、化合物半导体光电探测器、硅基长波长光电探测器等。 展开更多

关键词 光纤通信 有源器件 DFB激光器 泵浦激光器 光电探测器 雪崩光电探测器

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10Gbit/s甚短距离(VSR)并行光传输系统 被引量：5

14

作者 申荣铉 陈弘达 +2 位作者 毛陆虹 唐君 吴荣汉 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第4期105-110,共6页

介绍了一个适用于甚短距离(Very Short Reach,VSR)网络传输的并行光传输系统。系统的发射部分用垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting La-ser,VCSEL)1×12列阵代替传统的边发射激光器,接收部分也采用相应的探测器列... 介绍了一个适用于甚短距离(Very Short Reach,VSR)网络传输的并行光传输系统。系统的发射部分用垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting La-ser,VCSEL)1×12列阵代替传统的边发射激光器,接收部分也采用相应的探测器列阵,并由多模光纤列阵相连接,在300m距离内以单信道1.25 Gbit/s速率实现的10Gbit/s的高传输速率。 展开更多

关键词 甚短距离 VSR 网络传输 并行光传输系统 VSR VCSEL 垂直腔面发射激光器 编码 转换器 光网络

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1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器 被引量：6

15

作者 韩勤 彭红玲 +4 位作者 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期549-551,共3页

利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长... 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性· 展开更多

关键词 探测器 LT-GAAS 谐振腔增强 分布布喇格反射镜

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印刷传感技术 被引量：4

16

作者 裴为华 国冬梅 +1 位作者 耿照新 陈弘达 《中国材料进展》 CAS CSCD 2014年第3期172-179,共8页

和硅基电子器件与印制电路板(PCB)相比,印刷电子独特的制备工艺使得导线、有机或无机半导体、介质材料能够以更灵活的方式与衬底材料结合在一起,特别是一些在力、热、光、电等方面有着特殊性质的材料。因此对于大多数旨在将非电信号转... 和硅基电子器件与印制电路板(PCB)相比,印刷电子独特的制备工艺使得导线、有机或无机半导体、介质材料能够以更灵活的方式与衬底材料结合在一起,特别是一些在力、热、光、电等方面有着特殊性质的材料。因此对于大多数旨在将非电信号转换为电信号的传感器而言,印刷电子技术为这类传感器的制备提供了良好的工艺手段。另一方面,印刷电子环保、大批量、低成本的制备方法也为快速增长的传感器需求提供了良好的解决方案。目前随着印刷电子技术在材料、制备工艺和配套设备方面的不断发展,采用印刷方式制备的传感器的方法和类型不断推陈出新,成为印刷电子一个重要的发展方向。对目前采用印刷电子技术制备或适合印刷制备的一些传感器,特别是用于生物信号传感和分析的一些传感器的材料、功能特点及制备方法进行综述。旨在介绍印刷电子技术或者印刷制备方法在传感器研究和制备方面所存在的巨大潜力和良好的应用前景。 展开更多

关键词 印刷电子 敏感元件 传感器 灵敏度 印刷传感

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Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 被引量：3

17

作者 成步文 薛春来 +4 位作者 罗丽萍 韩根全 曾玉刚 薛海韵 王启明 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期118-120,共3页

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过... 采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的。 展开更多

关键词 硅基 Ge 外延

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基于无源耦合技术的高速并行光接收模块的设计与实现 被引量：2

18

作者 唐君 陈雄斌 +3 位作者 鲁琳 裴为华 刘丰满 陈弘达 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1318-1322,共5页

提出了一种实现高速并行光接收模块中光电探测器（PD）列阵与光纤列阵精密无源耦合对准的方法，设计并制作了用于这种光学精密对准的所有组件，并用此耦合对准方法完成了PD阵列与光纤阵列之间的光耦合，制作出了12信道并行光接收模块。... 提出了一种实现高速并行光接收模块中光电探测器（PD）列阵与光纤列阵精密无源耦合对准的方法，设计并制作了用于这种光学精密对准的所有组件，并用此耦合对准方法完成了PD阵列与光纤阵列之间的光耦合，制作出了12信道并行光接收模块。耦合完成的PD列阵与光纤列阵的对准误差小于1μm，从光纤列阵耦合进入PD列阵的光功率耦合效率大干80％。此模块采用工作波长为850nm的高速PIN型PD列阵作为光接收器件，输入光信号直接由12信道的光纤阵列耦合进入PD列阵中。此并行光接收模块的单信道传输速率大于等于3．318Gbit／s，12信道并行总传输速率为40Gbit／s。与有源耦合方法相比，此无源耦合技术简化了耦合步骤，减少了耦合时间，提高了耦合可靠性，适用于规模化生产。 展开更多

关键词 耦合 并行光传输 光纤阵列 接收模块

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神经记录用硅基多通道微电极探针的设计与制造 被引量：3

19

作者 张若昕 隋晓红 +1 位作者 裴为华 陈弘达 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05A期1404-1406,1410,共4页

为了从中枢神经系统记录电信号,半导体加工技术已经被用于微电极探针的制造.介绍了一种硅基探针的设计和制造工艺流程.我们已经制造出15μm厚,3mm长,100μm宽的记录用探针,每根探针含有7个记录点,间隔120μm.在制造过程中使用微机械系统... 为了从中枢神经系统记录电信号,半导体加工技术已经被用于微电极探针的制造.介绍了一种硅基探针的设计和制造工艺流程.我们已经制造出15μm厚,3mm长,100μm宽的记录用探针,每根探针含有7个记录点,间隔120μm.在制造过程中使用微机械系统(MEMS)工艺中常用的硅表面微加工工艺:等离子增强化学气相淀积(PECVD),感应耦合等离子刻蚀(ICP)以及硅的各向异性刻蚀等.测试结果给出了探针的强度和阻抗特性. 展开更多

关键词 微电极探针 表面微加工工艺 神经记录

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氮化镓肖特基结紫外探测器的异常特性测量 被引量：1

20

作者 刘宗顺 赵德刚 +4 位作者 朱建军 张书明 沈晓明 段俐宏 杨辉 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期62-67,共6页

测量了GaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性.分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描,得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流.紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时,探测器在... 测量了GaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性.分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描,得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流.紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时,探测器在反向偏压下有较大增益,空间响应均匀性变差,在禁带内有两个增益响应峰波长--364nm和368nm.探测器在810nm光照射下,反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象.探测器紫外光照完后,俘获中心及表面陷阱所俘获的部分电荷在高反向偏置电压下老化可以通过隧穿或发射效应释放出来,经过高反向偏置电压老化完后的探测器在同一低反向偏置电压下暗电流比老化前的要小.测量结果为GaN器件的研制提供了参考数据. 展开更多

关键词 氮化镓 肖特基结 紫外探测器 光淬灭 特性测量 异常特性 反向偏置 紫外光照 透明电极 增益响应

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