InGaAsP/InP二维半导体光子晶体激光器的研究 被引量：1

1

作者 郑婉华 任刚 +3 位作者 邢名欣 杜晓宇 王科 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期283-287,共5页

光子晶体具有调控光子的能力,而光子晶体激光器的实现则证实了这种调控能力。描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究,主要介绍了点缺陷型光子晶体微腔激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用... 光子晶体具有调控光子的能力,而光子晶体激光器的实现则证实了这种调控能力。描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究,主要介绍了点缺陷型光子晶体微腔激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和三维有限时域差分法,分析了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高光学微腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,降低激光器的激射阈值,实验中研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,观测到激光器激射阈值降低的现象,实验结果与理论模拟相一致,除此之外,还实现了光子晶体三角形腔和H2腔激光器的激射。 展开更多

关键词 光子晶体 激光器 有限时域差分 品质因子

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光子晶体调制半导体激光器侧模 被引量：3

2

作者 张建心 刘磊 +2 位作者 陈微 渠红伟 郑婉华 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第1期69-72,共4页

为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流... 为了实现半导体激光器的单侧模稳定工作,提出了一种在激光器的脊条两侧引入光子晶体结构滤除半导体激光器高阶侧模的方法。通过调整激光器上表面的刻蚀深度、光子晶体区域的条宽和间隔来改变激光器内部的模场分布,同时结合选择性的载流子注入来增强基模的激射优势,进而减少侧模的数量。实验上制作了主脊条宽度为6μm,光子晶体周期5μm,波长1 550 nm的半导体激光器。测试结果表明:在连续工作的情况下,电流300 mA的时候,高阶侧模受到抑制,水平发散角变为10.2°,证实了光子晶体结构调制激光器侧模的可行性。 展开更多

关键词 光子晶体 侧模 半导体激光器

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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究 被引量：1

3

作者 李慧梅 胡晓斌 +4 位作者 白霖 李晓敏 于海龙 徐云 宋国峰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期90-94,共5页

建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,... 建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,进而减小暗电流的产生;另一方面,雪崩倍增区采用双层掺杂结构设计,优化了器件倍增区的电场梯度分布。最后,利用ATLAS软件较系统地研究并分析了雪崩倍增层、电荷层以及吸收层的掺杂水平和厚度对器件电场分布、击穿电压、IV特性和直流增益的影响。优化后APD的单位增益可以达到0.9 A/W,在工作电压(0.9 Vb)下增益为23.4,工作暗电流也仅是纳安级别(@0.9 Vb)。由于In0.52Al0.48As材料的电子与空穴的碰撞离化率比In P材料的差异更大,因此器件的噪声因子也较低。 展开更多

关键词 雪崩光电二极管(APD) SACM结构 暗电流 增益 图像应用

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交叉蝴蝶结纳米结构的Fano共振效应用于表面增强相干反斯托克斯拉曼散射的理论研究

4

作者 张祖银 朱海军 宋国峰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第10期113-118,共6页

Fano共振效应拥有独特的局域场增强效果,在表面增强相干反斯托克斯拉曼散射中,不同波长局域场增强空间位置相同的结构结合Fano共振效应,可以实现"混合频率共振模式",使得表面增强相干反斯托克斯拉曼散射总的增强因子得到大幅... Fano共振效应拥有独特的局域场增强效果,在表面增强相干反斯托克斯拉曼散射中,不同波长局域场增强空间位置相同的结构结合Fano共振效应,可以实现"混合频率共振模式",使得表面增强相干反斯托克斯拉曼散射总的增强因子得到大幅度提高。采用FDTD软件系统研究了对称的交叉蝴蝶结Au纳米结构的Fano共振效应,该效应使得交叉蝴蝶结结构中心位置附近的电场强度得到大幅度的增强,把该结构应用到表面增强相干反斯托克斯拉曼散射中,可以使表面增强相干反斯托克斯拉曼散射信号的增强因子高达10^(13),达到单分子检测的水平。 展开更多

关键词 拉曼散射 Fano共振 表面等离子体 相干反斯托克斯拉曼散射 热点

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光刻胶光学性质的光谱椭偏测量方法研究 被引量：2

5

作者 刘文德 陈赤 +3 位作者 陈熙 于靖 郑春弟 王煜 《计量学报》 CSCD 北大核心 2011年第4期381-384,共4页

利用相调制型光谱椭偏仪研究了光刻胶光学常数的测量方法，针对测量过程中光刻胶曝光控制优化了测量方案和仪器参数。对常见的$9912正型光刻胶，给出了曝光前后275～650nm波段的光学常数。并采用动态椭偏法测量了所需波长下曝光前的光... 利用相调制型光谱椭偏仪研究了光刻胶光学常数的测量方法，针对测量过程中光刻胶曝光控制优化了测量方案和仪器参数。对常见的$9912正型光刻胶，给出了曝光前后275～650nm波段的光学常数。并采用动态椭偏法测量了所需波长下曝光前的光学常数。实验结果表明：该测量方法适用于光刻胶在紫外一可见．红外宽波段的光学性质研究，在光刻模拟、新型光刻胶材料研制及其光学性质表征等领域有重要实用价值。 展开更多

关键词 计量学 光刻胶 曝光 光学常数 光谱椭偏法

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GaAs／InP键合电学性质的研究 被引量：1

6

作者 何国荣 渠红伟 +2 位作者 杨国华 郑婉华 陈良惠 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期469-473,共5页

Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算... Ⅲ-Ⅴ族晶片键合技术对于光电器件的制备和实现光电集成有着重要意义,然而,对于键合界面的电学性质仍然研究较少。采用热电子发射理论,基于界面态能级在禁带中连续分布的假设,根据分布函数结合Ⅰ-Ⅴ测试曲线可建立键合结构的界面态计算模型。利用该模型对不同条件下键合的InP/GaAs电学性质做了分析比较,通过初始势垒的确定,计算并比较了各种键合条件下GaAs/InP键合时的界面电荷及界面态密度。实验及计算结果表明疏水处理表面550℃条件下键合晶片对有更低的表面初始势垒和更少的界面态密度,具有更好的Ⅰ-Ⅴ特性。 展开更多

关键词 材料 界面态密度 热电子发射 键合

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基于集成氮化硅超表面VCSEL的涡旋光输出

7

作者 牛昊 王永丽 +3 位作者 姜增璇 李川川 魏志鹏 宋国峰 《发光学报》 北大核心 2025年第2期326-333,共8页

集成光子器件技术的最新进展充分满足了市场对于紧凑型、高效光电系统的需求,同时也有力地促进了光学超表面技术的发展。其中,垂直腔面发射激光器(VCSEL)与超表面的集成,可生成具有特定波前的矢量光束,极大地增强光电系统的功能性和灵... 集成光子器件技术的最新进展充分满足了市场对于紧凑型、高效光电系统的需求,同时也有力地促进了光学超表面技术的发展。其中,垂直腔面发射激光器(VCSEL)与超表面的集成,可生成具有特定波前的矢量光束,极大地增强光电系统的功能性和灵活性。本文设计了基于Si_(3)N_(4)纳米天线阵列超表面的850 nm VCSEL,通过对纳米天线结构参数的调控,实现了超过2π的相位覆盖,并采用1阶和2阶涡旋相位板,成功产生了不同阶数的涡旋光束。这一成果为光学超表面调控VCSEL光场技术提供了新思路。 展开更多

关键词 超表面 涡旋光束 垂直腔面发射激光器 集成光子器件

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OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究

8

作者 黄祖炎 韦欣 +1 位作者 王青 宋国峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期998-1001,共4页

光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较... 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较高。同时采用物理光学的理论结合实际模型,运用矩阵分析方法计算了VECSEL的反射谱,计算结果与实验结果吻合良好。最后,通过对不同窗口层厚度的纵向增强因子的计算和分析得到了共振结构具有高的峰值增强,反共振结构具有大的增益带宽。在理论上提出,对于该OPS-VECSEL结构,采用共振和反共振结构之间的窗口厚度可以使其稳定工作在特定波长而又不严格限制增益带宽。 展开更多

关键词 垂直外腔面发射激光器 金属有机化合物气相淀积 反射谱 纵向增强因子

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红外探测器倒装互连技术进展 被引量：10

9

作者 耿红艳 周州 +1 位作者 宋国峰 徐云 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期722-726,共5页

随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装... 随着红外焦平面技术的发展,红外探测器探测波段已由单波段变为双色及四色波段,半导体元件的封装数量由最初的数十个发展到数百万个,I/O输出密度不断增大,传统微互联技术如引线键合技术、载带自动焊技术等已根本无法满足器件要求。倒装焊技术以其封装尺寸小、互联密度高、生产成本低的特点越来越受到人们的亲睐。倒装互连工艺主要包括:UBM制备、铟膜沉积、回流成球、倒压焊、填充背底胶。介绍了各工艺步骤的发展状况,并对铟膜沉积、铟柱增高工艺进行详细阐述。 展开更多

关键词 打底金属 铟柱 回流 倒压焊 底部填充胶

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160×128元多量子阱长波红外焦平面探测器件研制 被引量：7

10

作者 种明 苏艳梅 +4 位作者 张艳冰 胡小燕 马文全 孙永伟 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期702-704,共3页

报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件... 报道了新研制出的160×128元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面器件。使用MBE的方法在半绝缘的GaAs衬底上生长器件结构;开发了用普通光刻技术和离子束刻蚀法制备2D光栅技术,以及探测器芯片与读出电路互联技术。在77 K时测试,器件的平均峰值探测率Dλ*=1.28×1010 cmW-1Hz1/2,峰值波长为λp=8.1μm,截止波长为λc=8.47μm。器件的非盲元率≥98.8%,不均匀性10%。 展开更多

关键词 长波红外探测器 量子阱 焦平面阵列

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283nm背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器 被引量：8

11

作者 王晓勇 种明 +1 位作者 赵德刚 苏艳梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第4期1011-1014,共4页

实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。... 实验中使用在蓝宝石衬底上用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的AlGaN基p-i-n结构材料,通过对工艺流程的优化设计,制作了背照射p-i-n型AlGaN日盲紫外探测器,获得了较高的外量子效率。材料中p区和i区的Al组分为40%,n区Al组分为65%。探测器为直径500μm的圆形,光谱响应起止波长为260~310 nm,峰值响应波长283 nm。零偏压下,暗电流密度为2.7×10-10Acm-2,对应的R0A参数为3.8×108Ωcm2,峰值响应率为13 mA/W,对应的峰值探测率为1.97×1012cmHz1/2W-1。其在-7 V偏压下,峰值响应率达到148 mA/W,对应的外量子效率达到63%。 展开更多

关键词 紫外探测器 ALGAN 日盲 量子效率

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高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性 被引量：6

12

作者 何国荣 沈文娟 +2 位作者 王青 郑婉华 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第1期57-60,共4页

应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的变温实验,测得脉冲条件下600μm直径的器件在10～100℃温... 应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的变温实验,测得脉冲条件下600μm直径的器件在10～100℃温度范围内发射波长漂移速度为0.05nm/K,阈值电流随温度变化呈现先缓慢下降后迅速上升的特性。结合VCSEL反射谱、PL谱和增益峰值波长漂移速度,对器件阈值电流特性进行了合理的分析和解释。连续工作状态下,测试得到器件峰值功率为1W,根据波长与耗散功率的实验曲线及热阻计算公式,可估算出垂直腔面发射激光器热阻值为10K/W。 展开更多

关键词 垂直腔面发射激光器 高功率 应变补偿

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双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制 被引量：3

13

作者 种明 马文全 +3 位作者 苏艳梅 张艳冰 胡小燕 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第6期782-784,共3页

采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的... 采用GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08 cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺,二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77 K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61～1.90)×1010 cmHz1/2W-1和(1.54～2.67)×1010 cmHz1/2W-1。中、长波段峰值波长分别为(2.7～3.8)μm和8.3μm。 展开更多

关键词 红外探测器 量子阱 双色 大面阵

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128×128三电极中/长波双色量子阱红外探测器 被引量：3

14

作者 苏艳梅 种明 +4 位作者 曾一平 胡小燕 于艳 孙捷 张晓燕 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第9期2249-2252,共4页

量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱... 量子阱红外探测器(QWIP)阵列具有重要的实用意义。国外的研究已经相当成熟,但是在国内,量子阱红外探测器阵列的研究水平还较低,尤其是对于双色量子阱红外探测器阵列的研究更是刚刚起步。文中使用GaAs/AlGaAs、InGaAs/AlGaAs应变量子阱和三端电极引出的器件结构研制出128×128中/长波双色量子阱红外探测器阵列。该结构实现了同像元同时引出双色信号。器件像元中心距为40μm,像元有效面积为36μm×36μm。探测器芯片与读出电路互连并完成微杜瓦封装。在65 K条件下测试,峰值波长为:中波5.37μm,长波8.63μm,器件的平均峰值探测率为:中波4.75×109cmHz1/2W-1,长波3.27×109cmHz1/2W-1。并进行了双波段的红外演示成像。 展开更多

关键词 红外探测器 量子阱 双色

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In_(0.5)Ga_(0.5)As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质 被引量：3

15

作者 杨晓杰 马文全 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第5期705-707,714,共4页

提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点。实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大... 提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点。实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层。由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究。 展开更多

关键词 量子点 应变耦合 光荧光谱

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InGaAs/GaAs量子点红外探测器 被引量：1

16

作者 马文全 杨晓杰 +5 位作者 种明 苏艳梅 杨涛 陈良惠 邵军 吕翔 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期34-36,56,共4页

与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂... 与量子阱红外探测器相比,量子点红外探测器具有不制作表面光栅就能在垂直入射红外光照射下工作以及工作温度更高等优势。然而,目前阻碍量子点红外探测器性能提高的技术瓶颈主要来自组装量子点较差的大小均匀性、较低的量子点密度以及垂直入射下子带跃迁吸收效率低等原因。利用分子束外延技术研究了如何从量子点材料生长和器件设计两方面来克服这些困难,并且制作了几种不同结构的InGaAs/GaAs量子点红外探测器。在77 K时,这些器件在垂直入射条件下观察到了很强的光电流信号。 展开更多

关键词 量子点红外探测器 垂直入射 分子束外延 光电流

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量子阱红外探测器双面金属光栅设计优化 被引量：1

17

作者 周州 耿红艳 +4 位作者 刘杰涛 许斌宗 胡海峰 宋国峰 徐云 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第5期1375-1379,共5页

提出了一种增强量子阱红外探测器耦合效率的双面金属光栅结构。采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器双面结构金属光栅进行了仿真分析。通过对比不同周期、占空比、金属层厚度结构参数下探测器的电场分布及... 提出了一种增强量子阱红外探测器耦合效率的双面金属光栅结构。采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器双面结构金属光栅进行了仿真分析。通过对比不同周期、占空比、金属层厚度结构参数下探测器的电场分布及相对耦合效率,确定了4.8μm探测器优化的双面金属光栅结构。与顶部和底部单层金属光栅结构比较,双面金属光栅结构探测器相对耦合效率提高到3倍以上。探测器相对耦合效率随光栅周期变化的双峰曲线特性体现了双面金属光栅结构在双色量子阱红外探测器光耦合方面的潜力。同时该结构还可以应用于单色、双色及多色量子阱焦平面红外探测器。 展开更多

关键词 双面结构 金属光栅 量子阱红外探测器 表面等离子极化激元

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GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

18

作者 孙永伟 张秀兰 +2 位作者 杨国华 叶晓军 陈良惠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期593-595,共3页

以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的... 以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。 展开更多

关键词 分子束外延MBE 硅掺杂 砷化镓 电化学C—V

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246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制 被引量：5

19

作者 颜廷静 种明 +2 位作者 赵德刚 张爽 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期32-35,共4页

设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压... 设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7 nA,峰值响应度为23 mA/W。并在此基础上制备出大面阵太阳盲紫外探测器芯片,其像元数为128×128,光敏元直径为44μm,像元间距为50μm。 展开更多

关键词 ALGAN 太阳盲 紫外探测器 面阵

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大功率及高转换效率2.1μm GaInSb/AlGaAsSb量子阱激光器 被引量：1

20

作者 宋玉志 宋甲坤 +4 位作者 张祖银 李康文 徐云 宋国峰 陈良惠 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第5期58-62,共5页

报道了激射波长为2.1μm的Ga In Sb/Al Ga As Sb双量子阱激光器。通过优化外延结构设计和欧姆接触,无镀膜的宽条激光器达到了9.8%的峰值功率转换效率,这比原来的值提高了1.5倍,室温下得到了615 m W的连续激射功率输出和1.5 W的脉冲激射... 报道了激射波长为2.1μm的Ga In Sb/Al Ga As Sb双量子阱激光器。通过优化外延结构设计和欧姆接触,无镀膜的宽条激光器达到了9.8%的峰值功率转换效率,这比原来的值提高了1.5倍,室温下得到了615 m W的连续激射功率输出和1.5 W的脉冲激射功率输出。这些激光器的阈值电流密度低至126 A/cm2,斜率效率高达0.3 W/A。通过测试不同腔长的激光器,测得内损耗和内量子效率分别为6 cm-1和75.5%,均比原有器件有很大提升。激光器在连续工作3 000 h后,功率没有明显下降。 展开更多

关键词 GaInSb/AlGaAsSb 激光器 功率转换效率

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