采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶。...采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶。在加工的"epi-ready"SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面。利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67%。另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平。展开更多
采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输...采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,芯片发射通道饱和输出功率为38.6~40.2 d Bm,功率附加效率为29%~34.5%,其中开关插入损耗约为0.8 d B,隔离度优于-45d B。该芯片面积为4 mm×2.1 mm。展开更多
文摘采用物理气相传输法在(0001)面偏向<11-20>方向4°的籽晶上生长了掺氮低电阻率碳化硅(SiC)单晶。结合碳化硅邻位面生长机制,通过优化温场设计,在近平温场下生长出了晶型稳定、微管密度低、高结晶质量的低电阻率4H-SiC单晶。在加工的"epi-ready"SiC衬底上进行了同质外延,获得了光滑的外延层表面。利用该外延材料研制了600V/10 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能与进口衬底结果相当,反向漏电成品率高达67%。另外研制了600 V/50 A SiC肖特基二极管,器件的直流性能也达到了进口衬底水平。
文摘采用0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款X波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率。测试结果表明,在8~12 GHz频带内,芯片发射通道饱和输出功率为38.6~40.2 d Bm,功率附加效率为29%~34.5%,其中开关插入损耗约为0.8 d B,隔离度优于-45d B。该芯片面积为4 mm×2.1 mm。
