不同介电层对Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2)薄膜铁电性能影响的研究进展

1

作者 袁晓博 何慧凯 +2 位作者 唐文涛 刘宗芳 苏铭吉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期297-309,共13页

近年来,铁电Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2)(HZO)薄膜受到越来越多的关注,但是铁电层与电极材料层以及铁电层与半导体衬底层之间的界面问题并没有得到解决,阻碍了HZO薄膜的进一步应用。总结了通过引入不同介电层材料,如Al_(2)O_(3)、ZrO_(2)、HfO_... 近年来,铁电Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2)(HZO)薄膜受到越来越多的关注,但是铁电层与电极材料层以及铁电层与半导体衬底层之间的界面问题并没有得到解决,阻碍了HZO薄膜的进一步应用。总结了通过引入不同介电层材料,如Al_(2)O_(3)、ZrO_(2)、HfO_(2)、Ta_(2)O_5等,调节HZO薄膜铁电性能的方法及其机理;详细介绍了各种介电层材料作为封盖层对HZO薄膜铁电性能的影响,如对HZO薄膜提供平面内应力、控制铁电层的晶粒尺寸及作为铁电层形核核心的作用;最后,总结并展望了利用介电层调控HZO薄膜铁电性能的一般规律,为后续相关研究的开展提供了指导。 展开更多

关键词 铁电性能 HZO薄膜 介电层 Al_(2)O_(3) ZrO_(2)

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我国人工智能芯片发展探析 被引量：6

2

作者 吴佳青 任大鹏 《中国工程科学》 北大核心 2025年第1期133-141,共9页

人工智能(AI)芯片是支撑智能技术发展的核心硬件,其技术进步对国家科技创新、产业发展、经济增长具有重要意义。本文从云端智能芯片、边端智能芯片、类脑智能芯片3个方面总结了AI芯片的国际发展趋势,分析了我国AI芯片的应用需求,从芯片... 人工智能(AI)芯片是支撑智能技术发展的核心硬件,其技术进步对国家科技创新、产业发展、经济增长具有重要意义。本文从云端智能芯片、边端智能芯片、类脑智能芯片3个方面总结了AI芯片的国际发展趋势,分析了我国AI芯片的应用需求,从芯片设计、制造、封装、测试等方面梳理了相关产业与技术的发展现状及趋势。当前,国产AI芯片的性能、技术、产业链存在短板,亟需开展自主创新与产业协同;国产AI芯片开发面临高成本、长周期的挑战,亟需平衡融资压力并积累发展经验;国内AI芯片领域人才短缺,亟需提高培育质量并控制流失率。为此,论证提出了我国AI芯片的发展路径,即突破技术瓶颈、加速产业化、拓展国际化、实施市场扶持,重点采取技术创新和重点项目建设、新型芯片架构和开源产业生态建设、技术标准体系制定、“产教研”融合等举措,以推动我国AI芯片产业可持续和高质量发展。 展开更多

关键词 人工智能芯片 芯片设计 芯片制造 芯片封装和测试 产业化

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太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展 被引量：1

3

作者 周瑞 王书杰 +4 位作者 孙聂枫 陈春梅 邵会民 刘惠生 孙同年 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期577-585,共9页

多晶硅广泛应用于太阳电池领域。多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命。碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物。系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌特征、微观分布形态及宏观分... 多晶硅广泛应用于太阳电池领域。多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命。碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物。系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌特征、微观分布形态及宏观分布规律等研究进展,介绍了两种夹杂物的伴生过程。根据多晶硅铸锭的生长条件,探讨了其中的碳和氮元素的来源及碳化硅和氮化硅夹杂物对多晶硅铸锭加工过程的影响。最后,从生长条件及工艺方法等方面分析了关于抑制和消除碳化硅和氮化硅夹杂物的研究进展情况。 展开更多

关键词 多晶硅铸锭 夹杂物 晶体生长 太阳电池 半导体材料

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面向区块链轻节点的支付通道瞭望塔技术研究 被引量：3

4

作者 解岩凯 魏凌波 +2 位作者 张驰 王庆涛 孙启彬 《密码学报》 CSCD 2021年第5期778-794,共17页

受限于区块链共识协议,主流加密货币的交易吞吐量远低于传统的金融支付系统.然而,通过修改共识协议提升吞吐量的方案会导致区块链系统安全性、可靠性和去中心化程度的下降,因此这类方案无法得到主流区块链开发者的认同.在不修改区块链... 受限于区块链共识协议,主流加密货币的交易吞吐量远低于传统的金融支付系统.然而,通过修改共识协议提升吞吐量的方案会导致区块链系统安全性、可靠性和去中心化程度的下降,因此这类方案无法得到主流区块链开发者的认同.在不修改区块链共识协议的前提下,支付通道通过链下交易提升了加密货币的交易吞吐量,但支付通道安全性依赖于参与者对区块链的定期监视.故资源受限的移动用户选择将实时监测区块链的任务外包给实时在线的第三方实体,即瞭望塔.瞭望方案设计面临瞭望塔效率、用户链下交易隐私以及用户通道资金安全三个挑战,现有方案通过引入密码技术、可信执行环境技术以及智能合约技术,克服了其中一个或多个挑战.本文对支付通道网络中各类瞭望塔方案进行了分析,基于方案的应用背景将其分为比特币中的瞭望塔和以太坊中的瞭望塔两大类,并评述了每个方案的原理、优势与不足.最后,针对目前方案未解决的问题,提出了可行的瞭望塔系统的未来技术路线. 展开更多

关键词 区块链 加密货币 支付通道 瞭望塔 闪电网络

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三维人脸识别研究进展 被引量：5

5

作者 刘力 龚勇 赵国强 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2023年第23期28-47,共20页

三维人脸识别技术具有自然、便捷、用户体验友好等独特优势,已成为学术界和工业界的一个热门研究方向。近几年,针对单目彩色图像、彩色图-深度图数据、点云数据、多模态数据等不同类型的三维人脸数据,研究者们提出了各种新方法来挑战三... 三维人脸识别技术具有自然、便捷、用户体验友好等独特优势,已成为学术界和工业界的一个热门研究方向。近几年,针对单目彩色图像、彩色图-深度图数据、点云数据、多模态数据等不同类型的三维人脸数据,研究者们提出了各种新方法来挑战三维人脸识别。根据三维人脸数据的不同格式,将三维人脸识别方法分为从单目彩色图像进行三维人脸重构的识别方法、基于点云数据的人脸识别方法、基于彩色图-深度图数据的人脸识别方法,以及基于多模态数据的人脸识别方法,对比分析了各类方法的原理、区别和联系,全面总结了三维人脸识别研究的最新进展,阐述了各类技术的优势和弊端。介绍了不同格式的人脸数据库,从数据收集方式、表情变化、姿态变化等方面进行分析,最后讨论了三维人脸识别技术面临的挑战和未来的发展方向。 展开更多

关键词 三维人脸 人脸识别 特征提取 三维人脸数据库

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柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用研究进展 被引量：1

6

作者 戚佳斌 谢欣瑜 李忠贤 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第3期380-393,共14页

与传统硅基电子相比,柔性电子因其独特的便携性、折叠卷曲性和生物相容性被广泛研究。柔性存储器作为柔性电子重要分支,在可穿戴设备、智慧医疗、电子皮肤等领域展现出良好的应用前景。同时随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术深... 与传统硅基电子相比,柔性电子因其独特的便携性、折叠卷曲性和生物相容性被广泛研究。柔性存储器作为柔性电子重要分支,在可穿戴设备、智慧医疗、电子皮肤等领域展现出良好的应用前景。同时随着5G、人工智能、物联网等新一代信息技术深入应用,市场对高密度、非易失、超低功耗柔性存储器的需求持续释放,催生了柔性铁电存储器件的研究热潮。本文综述了近年来柔性无机铁电薄膜的制备及其在存储器领域应用进展。首先介绍了柔性铁电薄膜制造技术的发展情况,包括柔性基板上的范德瓦耳斯异质外延、刚性基板上的化学蚀刻分层、新型二维(2D)铁电材料生长等,然后介绍了基于无机铁电薄膜的柔性存储器的研究进展,最后对柔性铁电存储器的未来发展进行了展望。 展开更多

关键词 柔性 无机材料 铁电薄膜 范德瓦耳斯异质外延 化学蚀刻 二维铁电材料 存储器

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高性能铪锆氧铁电材料与器件先进调控技术研究进展

7

作者 郭志愿 邱飞龙 +1 位作者 倪金玉 赵毅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期337-345,共9页

重点阐述和总结了近年来面向高性能氧化铪基铁电材料和器件的先进调控技术,包括应力调控、氧空位调控、界面微结构调控以及尺寸调控等。通过电极材料对铁电薄膜施加拉伸应力以提高其铁电性能,应力工程为先进2D/3D结构铁电存储器(FRAM)... 重点阐述和总结了近年来面向高性能氧化铪基铁电材料和器件的先进调控技术,包括应力调控、氧空位调控、界面微结构调控以及尺寸调控等。通过电极材料对铁电薄膜施加拉伸应力以提高其铁电性能,应力工程为先进2D/3D结构铁电存储器(FRAM)开发提供了重要的技术手段;氧空位的存在降低了铁电相与稳定相之间的能量差从而稳定铁电相;界面微结构调控有效减少界面副反应和缺陷;尺寸调控可以限制晶粒大小、改善均匀性。这些调控技术不仅能显著提高单一铁电器件的稳定性和可靠性,还将在改善铁电存储阵列均匀性、铁电多值存储特性等方面发挥重要的作用。 展开更多

关键词 铁电性 铪锆氧(Hf_(x)Zr_(1-x)O_(2) HZO)材料 应力 界面 氧空位 尺寸

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基于国产DCU异构平台的图匹配算法移植与优化 被引量：2

8

作者 郝萌 田雪洋 +3 位作者 鲁刚钊 刘义 张伟哲 何慧 《计算机科学》 CSCD 北大核心 2024年第4期67-77,共11页

子图匹配是一种基础的图算法,被广泛应用于社交网络、图神经网络等众多领域。随着图数据规模的增长,人们迫切需要高效的子图匹配算法。GENEVA是一种基于GPU的并行子图匹配算法,其利用区间索引的图存储结构和并行匹配优化方法,能够大幅... 子图匹配是一种基础的图算法,被广泛应用于社交网络、图神经网络等众多领域。随着图数据规模的增长,人们迫切需要高效的子图匹配算法。GENEVA是一种基于GPU的并行子图匹配算法,其利用区间索引的图存储结构和并行匹配优化方法,能够大幅度减少存储开销,提升子图匹配性能。但由于平台底层硬件架构和编译环境的不同,GENEVA无法直接应用到国产DCU异构平台。为了解决该问题,提出了GENEVA面向国产DCU的移植和优化方案。IO时间开销是GENEVA算法主要的性能瓶颈,文中采用锁页内存、预加载、调度器3种优化策略来突破该瓶颈。其中,锁页内存技术避免了从可分页内存到临时锁页内存的额外数据传输,在DCU平台上大幅度减少了IO传输的时间开销;预加载技术将IO数据传输与DCU核函数计算重叠,掩盖了IO时间开销;调度器在满足预加载需求的同时,减少了冗余数据的传输。在3个不同规模的真实数据集上进行实验,结果表明,采用优化策略后算法性能显著提高。在92.6%的测试用例上,经过优化的GENEVA-HIP算法在国产DCU平台的执行时间比移植前的GENEVA算法在GPU服务器的执行时间短。在较大规模的数据集上,优化的GENEVA-HIP算法在DCU平台上的执行时间相比移植前的GENEVA算法在GPU服务器的执行时间减少了52.73%。 展开更多

关键词 子图匹配 DCU 异构平台 HIP 移植和优化

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分布式传感采集系统的远距离传输实现方法 被引量：1

9

作者 刘敏 席尚宾 《科学技术与工程》 北大核心 2024年第18期7733-7738,共6页

为了解决分布式采集系统在强磁场、不同密封舱段的机体等特殊应用场景下的传感信号远距离传输问题,通过在测试点位置和主控采集端就近设计对应转换电路,提出了一种分布式传感采集系统采集数据高可靠的有线远距离传输方案。首先,在远离... 为了解决分布式采集系统在强磁场、不同密封舱段的机体等特殊应用场景下的传感信号远距离传输问题,通过在测试点位置和主控采集端就近设计对应转换电路,提出了一种分布式传感采集系统采集数据高可靠的有线远距离传输方案。首先,在远离主控采集的被测点的测量端,数字传感信号直接经IIC/SPI远距离发送端电路输出,而模拟传感信号,先将其转变为数字量后再输出到发送端电路,在主控采集端经IIC/SPI远距离接收端电路解析后接入主控处理器,从而实现只需一个主控采集端即可完成分布式采集系统被测点传感器感知数据的远距离传输。该传输方法对于不同数据类型的传感器和传输协议,提出了针对性的解决方案,并对方案进行了测试与验证,结果显示传感信号传输稳定、质量良好。 展开更多

关键词 传感器 远距离传输 分布式采集 IIC/SPI信号

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磁流变惯容器设计与性能分析

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作者 于建强 尹佳威 +3 位作者 张赓 苏喜 吴晅 陈世嵬 《重庆大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期39-46,共8页

为了提高传统磁流变阻尼器在低频域的减振性能,提出了一种新型磁流变惯容器,包括变阻尼单元和惯容单元两部分,由磁流变阀、液压马达与飞轮等组成。利用活塞杆与缸筒的相对运动,实现变阻尼单元内的磁流变液在磁流变阀内往复流动,通过调... 为了提高传统磁流变阻尼器在低频域的减振性能,提出了一种新型磁流变惯容器,包括变阻尼单元和惯容单元两部分,由磁流变阀、液压马达与飞轮等组成。利用活塞杆与缸筒的相对运动,实现变阻尼单元内的磁流变液在磁流变阀内往复流动,通过调控线圈上电流大小改变输出阻尼的大小;同时,实现油液推动液压马达输出轴及飞轮转动,输出器件的惯容特性。为提高磁流变阀内置通道的磁场利用率,提出了磁路设计优化方法,采用有限元方法对磁流变阀内部磁场强度进行仿真。结合磁场仿真与理论分析,设计并试制了样机,搭建了器件性能平台进行测试。结果表明,所设计器件能够表现出惯容特性,具有良好的阻尼可控性。 展开更多

关键词 磁流变 变阻尼 器件 惯容 磁场

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LEC法生长高质量6英寸InP单晶 被引量：4

11

作者 邵会民 孙聂枫 +4 位作者 张晓丹 王书杰 刘惠生 孙同年 康永 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第8期617-622,651,共7页

制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场... 制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场优化设计,调节各段加热器功率,降低了大尺寸热场温度梯度,提高了热场的对称性和稳定性,获得了平坦的固液界面,同时采用平缓放肩工艺抑制孪晶的形成。重复生长出约9.5 kg的6英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶,直径6英寸以上的单晶部分长度大于67 mm。测试结果表明,单晶片位错密度小于1×104 cm-2,电阻率大于107Ω·cm。从晶体生长和测试结果可以看出,合适的温度梯度可以使固液界面比较平坦,有效降低InP晶体的位错密度,电阻率片内均匀性为8.7%。 展开更多

关键词 INP单晶 液封直拉(LEC)法 温度梯度 位错密度 平缓放肩工艺

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半绝缘LEC-InP中Fe杂质浓度的分布均匀性 被引量：1

12

作者 黄子鹏 杨瑞霞 +3 位作者 孙聂枫 王书杰 陈春梅 田树盛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期770-774,共5页

采用快速原位磷注入法合成InP熔体,采用液封直拉(LEC)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶。利用光荧光谱技术、近红外吸收测量和非接触式电阻率测试系统研究了晶体中Fe杂质的分布特性。测试结果表明,在垂直晶锭生长方向切下的(100)InP晶片中,Fe... 采用快速原位磷注入法合成InP熔体,采用液封直拉(LEC)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶。利用光荧光谱技术、近红外吸收测量和非接触式电阻率测试系统研究了晶体中Fe杂质的分布特性。测试结果表明,在垂直晶锭生长方向切下的(100)InP晶片中,Fe杂质浓度分布一般呈环状,从样品中心部位到边缘部位Fe杂质浓度逐渐升高,这是由于晶体拉制过程中,固液界面为凸向熔体形状所致。但在有些(100)InP样品中,Fe杂质浓度呈条状分布。这种条状的Fe杂质浓度分布特征与晶体生长过程中熔体的对流形成的涡胞形状和涡流方向有关。因此,固液界面并不是影响Fe杂质浓度分布的唯一因素,熔体中涡流对Fe杂质浓度分布的影响是拉制掺Fe InP单晶工艺中需要考虑的重要因素之一。 展开更多

关键词 INP 液封直拉(LEC)法 固液界面 熔体对流 杂质均匀性 FE

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基于双线性配对的适配器签名方案 被引量：2

13

作者 王子瑞 张驰 魏凌波 《密码学报》 CSCD 2022年第4期686-697,共12页

适配器签名作为近几年出现的密码学原语,因其在区块链中具有重要的应用而受到密码学研究者的关注.适配器签名允许用户生成一个隐含困难关系声明的预签名,只有利用困难关系见证才可以将预签名转换为一个验证合法的全签名,而使用预签名和... 适配器签名作为近几年出现的密码学原语,因其在区块链中具有重要的应用而受到密码学研究者的关注.适配器签名允许用户生成一个隐含困难关系声明的预签名,只有利用困难关系见证才可以将预签名转换为一个验证合法的全签名,而使用预签名和相应的全签名可以提取困难关系见证.这两个性质使得适配器签名技术可被用于众多的区块链场景中,例如支付通道、跨链原子交换等.然而,当前可供选择的适配器签名方案依然较少,不利于适配器签名技术在更多的应用场景和区块链系统中使用.本文通过在BLS签名中引入随机性,构造了一个可证明安全的概率型数字签名方案.在此基础上,首次构造出一个基于双线性配对的适配器签名方案.基于计算Diffie-Hellman困难问题假设,在随机预言机模型下证明了该方案是安全的,从而解决了区块链研究中的一个开放问题:即基于双线性配对的数字签名可以扩展为适配器签名.实验结果表明本文所提出的适配器签名方案的性能开销与区块链的主流适配器签名方案相当,但基于双线性配对的优良性质可以提供丰富的扩展功能,从而极大地拓展了适配器签名在区块链系统的应用范围. 展开更多

关键词 数字签名 适配器签名 双线性配对 随机预言机

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高纯InP多晶的合成技术

14

作者 付莉杰 张晓丹 +5 位作者 张鑫 康永 王书杰 刘惠生 孙同年 孙聂枫 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期707-712,共6页

采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶。分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响InP多晶纯度的因素。结果表明,合成时熔体温度... 采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶。分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响InP多晶纯度的因素。结果表明,合成时熔体温度为1353~1370 K时,熔体呈富磷或者化学配比状态,熔体温度高于1370 K或低于1353 K时,熔体呈富铟状态;合成过程中,通过调节源炉升温的速度来控制磷泡内压力与环境压力,避免熔体倒吸堵住注入口引起炸泡,并最大程度地减少磷的损失;合成时熔体温度高于1370 K会造成合成的多晶呈富铟状态、合成时间较长,且石英坩埚中的Si元素长时间在高温下会对熔体造成沾污,从而降低多晶纯度。 展开更多

关键词 磷化铟(InP) 原位磷注入法 合成速率 熔体温度 磷泡压力

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基于嵌套生成对抗学习的网络嵌入

15

作者 沈鹏飞 徐臻 王英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期2155-2163,共9页

当前网络嵌入研究更多关注信息网络结构和结点之间一阶或高阶近似关系,对于网络结点自身属性考虑较少.本文提出一种嵌套的生成对抗网络模型N-GAN(Nesting Generative Adversarial Networks for Network Embed⁃ding),实现了网络结构和节... 当前网络嵌入研究更多关注信息网络结构和结点之间一阶或高阶近似关系,对于网络结点自身属性考虑较少.本文提出一种嵌套的生成对抗网络模型N-GAN(Nesting Generative Adversarial Networks for Network Embed⁃ding),实现了网络结构和节点属性同时嵌入到低维向量,从而最大程度保存原始高维信息网络特征.N-GAN模型设计灵活,具有很好的延伸性和扩张性,并在真实数据上验证了N-GAN的性能及其稳定性,其嵌入的低维表示在不同应用中表现出不错的性能. 展开更多

关键词 数据挖掘 网络嵌入 生成对抗学习 信息网络

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基于改进知识推理的联合打击目标关联推荐 被引量：1

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作者 邢岩 杨舒淇 刘昊 《火力与指挥控制》 CSCD 北大核心 2023年第3期164-173,共10页

联合作战指挥中,如何针对指挥员的选定打击目标,由指挥系统后台智能推荐符合指挥员倾向意图的关联目标,是亟待解决的实际问题。利用目标实体之间的隶属关系,构造符合战场信息传播原则的多元实体及关系集,引入知识图谱推理的向量优化技... 联合作战指挥中,如何针对指挥员的选定打击目标,由指挥系统后台智能推荐符合指挥员倾向意图的关联目标,是亟待解决的实际问题。利用目标实体之间的隶属关系,构造符合战场信息传播原则的多元实体及关系集,引入知识图谱推理的向量优化技术补全目标超网络的隐藏关系,进而构建打击目标超网络体系并实现打击目标的关联推荐。最后通过仿真实验对比分析了改进方法与常规超网络分析方法的异同,探讨了方法的正确性和优越性。方法并未使用专家主观评分法,用知识推理取得了和其他同类方法相似的体系价值评分结果,在智能化的目标关联推荐和作战辅助决策中具有较好的应用前景。 展开更多

关键词 知识图谱 TransE模型 元启发算法 联合打击目标 关联推荐

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高均一性二维碲化钼忆阻器阵列及其神经形态计算应用

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作者 何慧凯 杨蕊 +3 位作者 夏剑 王廷泽 董德泉 缪向水 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期795-801,I0004-I0008,共12页

二维过渡金属硫化合物是构建纳米电子器件的理想材料,基于该材料体系开发用于信息存储和神经形态计算的忆阻器,受到了学术界的广泛关注。受制于低成品率和低均一性问题,二维过渡金属硫化合物忆阻器阵列鲜见报道。本研究采用化学气相沉... 二维过渡金属硫化合物是构建纳米电子器件的理想材料,基于该材料体系开发用于信息存储和神经形态计算的忆阻器,受到了学术界的广泛关注。受制于低成品率和低均一性问题,二维过渡金属硫化合物忆阻器阵列鲜见报道。本研究采用化学气相沉积得到厘米级二维碲化钼薄膜,并通过湿法转移和剥离工艺制备得到碲化钼忆阻器件。该碲化钼器件表现出优异的保持性(保持时间>500 s)、快速的阻变(SET时间~60 ns,RESET时间~280 ns)和较好的循环寿命(阻变2000圈后仍可正常工作)。该器件具有高成品率(96%)、低阻变循环间差异性(SET过程为6.6%,RESET过程为5.2%)和低器件间差异性(SET过程为19.9%,RESET过程为15.6%)。本工作成功制备出基于MoTe_(2)的3×3忆阻器阵列。在此基础上,将研制的MoTe_(2)器件用于手写体识别,实现了91.3%的识别率。最后,通过对MoTe_(2)器件高低阻态的电子输运机制进行拟合分析,揭示了该器件阻变源于类金属导电细丝的通断过程。本项工作表明大尺寸二维过渡金属硫化合物在未来神经形态计算中具有巨大的应用潜力。 展开更多

关键词 二维材料 碲化钼 忆阻器阵列 神经形态计算

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三维网络结构NiCo_(2)S_(4)@NiCo_(2)O_(4)复合电极的制备及其性能

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作者 戚佳斌 邱飞龙 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第12期2332-2338,共7页

超级电容器具有更大的功率密度、优秀的循环稳定性、极快的充放电速度、超长的循环寿命以及环境友好等突出特点,其性能与构件关系密切,其中最根本的就是组成它的电极材料。本研究主要采用传统的水热法制备出钴酸镍(NiCo_(2)O_(4))电极材... 超级电容器具有更大的功率密度、优秀的循环稳定性、极快的充放电速度、超长的循环寿命以及环境友好等突出特点,其性能与构件关系密切,其中最根本的就是组成它的电极材料。本研究主要采用传统的水热法制备出钴酸镍(NiCo_(2)O_(4))电极材料,进而通过离子交换(二次水热)制得镍钴硫(NiCo_(2)S_(4)),最后利用化学浴沉积(CBD)法使其与钴酸镍复合,得到最终所需的三维网络结构NiCo_(2)S_(4)@NiCo_(2)O_(4)复合电极。经过表面形貌表征、循环伏安测试、恒电流充放电测试以及比电容计算分析等可以证明:三维网络结构NiCo_(2)S_(4)@NiCo_(2)O_(4)复合电极的比电容及循环稳定性等远远优于复合前单一的纯NiCo_(2)O_(4)电极材料,具有极大应用前景。 展开更多

关键词 超级电容器 电极材料 三维网络结构 NiCo_(2)S_(4) NiCo_(2)O_(4) NiCo_(2)S_(4)@NiCo_(2)O_(4) 电化学性能

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