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基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器
1
作者
崔博华
李一虎
熊永忠
《太赫兹科学与电子信息学报》
2015年第6期849-852,共4页
基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的...
基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz,-5.5dB@168GHz和-5dB@324GHz。
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关键词
滤波器
太赫兹
硅锗双极-互补金属氧化物半导体
衬底集成波导
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职称材料
题名
基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器
1
作者
崔博华
李一虎
熊永忠
机构
中国工程物理研究院太赫兹半导体器件研究室
出处
《太赫兹科学与电子信息学报》
2015年第6期849-852,共4页
文摘
基于硅锗双极-互补金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构,设计了几款片上太赫兹滤波器。测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz,20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz,-5.5dB@168GHz和-5dB@324GHz。
关键词
滤波器
太赫兹
硅锗双极-互补金属氧化物半导体
衬底集成波导
Keywords
filter
terahertz
SiGe BiCMOS
Substrate Integrated Waveguide
分类号
TN713 [电子电信—电路与系统]
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作者
出处
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1
基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器
崔博华
李一虎
熊永忠
《太赫兹科学与电子信息学报》
2015
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