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新型CNT-FED栅极结构表面二次电子发射研究 被引量:2
1
作者 王琦龙 雷威 +3 位作者 张晓兵 狄云松 周雪东 刘敏 《应用科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期265-268,共4页
提出了一种简单可行的CNT FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始... 提出了一种简单可行的CNT FED栅极制备方法,即采用金属网板作为栅极,网板上下表面同样制备一定厚度的介质层,网板表面和内通道壁上蒸发MgO和MgF2薄膜,一次电子在电场作用下轰击薄膜层将激发大量二次电子和背散射电子,弥补了栅极对初始电子的截获,提高了器件发射电流密度和发光亮度.文中对该模型中二次电子发射过程进行了数值模拟计算并进行了相关验证实验. 展开更多
关键词 二次电子发射 栅极 结构表面 MgF2薄膜 数值模拟计算 电子发射过程 发射电流密度 背散射电子 制备方法 电场作用 验证实验 发光亮度 网板 介质层 MGO 薄膜层 器件
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介质阻挡无声放电中电子温度和电子能量分布的探极诊断 被引量:3
2
作者 凌一鸣 徐建军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期218-221,共4页
用对称双探极和非对称双探极分别诊断氖气中介质阻挡无声放电的电子温度和电子能量分布 .本文概述其诊断技术的原理、装置和实验结果 ,并分析讨论了实验结果 .实验表明 ,这种放电的电子温度随着气压的增加而减少 ,并明显高于相应气压下... 用对称双探极和非对称双探极分别诊断氖气中介质阻挡无声放电的电子温度和电子能量分布 .本文概述其诊断技术的原理、装置和实验结果 ,并分析讨论了实验结果 .实验表明 ,这种放电的电子温度随着气压的增加而减少 ,并明显高于相应气压下的直流放电电子温度 ,而且 。 展开更多
关键词 探极诊断 电子能量分布 介质阻挡放电 无声放电 气体放电
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电子诱导脱附研究钨表面O_2对N_2的置换吸附 被引量:1
3
作者 张彤 吴强 +2 位作者 胡安 毛福明 杨学谦 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第8期686-688,共3页
实验测量了室温高真空条件下,多晶W表面O2和N2的电子诱导脱附(ESD)阈值能量.O2-W吸附对的ESD能量约为15.5eV,N2-W吸附对的ESD能量约为13.8eV.实验结果具有良好的可重复性.利用ESD阈值能量研究了多晶W表面O2对N2的置换吸附过程,表明在一... 实验测量了室温高真空条件下,多晶W表面O2和N2的电子诱导脱附(ESD)阈值能量.O2-W吸附对的ESD能量约为15.5eV,N2-W吸附对的ESD能量约为13.8eV.实验结果具有良好的可重复性.利用ESD阈值能量研究了多晶W表面O2对N2的置换吸附过程,表明在一定的时间间隔内,O2可以置换吸附在多晶W表面的N2,且该过程不可逆.对实验结果进行了分析. 展开更多
关键词 电子诱导脱附 钨表面 O2 N2 置换吸附 阈值能量 信号调制法 表面化学
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低能电子诱导脱附的理论研究 被引量:3
4
作者 张彤 毛福明 《电子器件》 EI CAS 2000年第1期60-66,共7页
论述了低能电子诱导脱附的物理过程和理论机制 ,分析了脱附截面的相关因素并对电子诱导脱附中的物理现象作了解释。简述了低能电子诱导脱附的应用。
关键词 真空获得 位势 解吸 电子诱导脱附
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真空微电子器件中的场发射硅尖阵列制作研究 被引量:1
5
作者 黄仲平 蔡勇 +3 位作者 张树丹 王因生 谭卫东 王保平 《电子器件》 CAS 1994年第3期61-65,共5页
本文阐述了本所采用湿法腐蚀方法制作硅场发射锥尖的过程和实验结果,并对其结果进行了讨论,同时还给出了测得的F—N和V—I特性曲线。
关键词 真空微电子学 湿法腐蚀 场发射极阵列 锐化
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合金散射机制与电子迁移率研究 被引量:1
6
作者 唐洁影 汪开源 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第3期130-133,共4页
合金散射机制与电子迁移率研究唐洁影,汪开源(东南大学电子工程系,南京210018)在外延生长的In(0.53)Ga(0.47)As合金中,电子迁移率是一个很重要的基本参数,它可用来表征材料的输运特性,通过时迁移率的研... 合金散射机制与电子迁移率研究唐洁影,汪开源(东南大学电子工程系,南京210018)在外延生长的In(0.53)Ga(0.47)As合金中,电子迁移率是一个很重要的基本参数,它可用来表征材料的输运特性,通过时迁移率的研究,能够得到材料的载流子浓度、电阻... 展开更多
关键词 合金 铟镓砷合金 半导体 电子迁移率
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用探极-光谱法诊断扁平氦氖激光器放电等离子体电子温度 被引量:1
7
作者 凌一鸣 鲍炜 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期128-130,150,共4页
用探极-光谱诊断技术,量测扁平氦氖激光器内放电等离子体的电子温度,阐明了诊断原理。实验量测表明,扁平放电截面氦氖激光管内等离子体电子温度基本上与直径为其短边长度的1.5倍园截面放电等离子体电子温度相当。
关键词 氦氖激光器 等离子体 电子温度
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关注当代大学生个性特点 建构新世纪学生理想人格 被引量:6
8
作者 张晓坚 《高等教育研究学报》 2004年第1期75-77,共3页
大学生作为国家未来的栋梁之材,不仅需要掌握扎实的专业基础知识,而且需要具备适应社会发展需要的理想人格。本文从分析当代大学生的个性特点入手,提出了大学生理想人格的基本构成。
关键词 大学生 价值取向 自我意识 个人主义 理想人格 人生观 团结协作精神
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真空微电子的发展 被引量:1
9
作者 陈德英 《电子器件》 CAS 1998年第2期94-101,共8页
本文回顾了近十年来,真空微电子在材料(硅、金属、砷化镓和金刚石膜)、制备工艺、阴极结构及应用等方面的进展。并详细介绍一些新阴极结构的制备方法与特点,供选择参考。
关键词 真空微电子 材料 制备 阴极结构
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片状气体放电电子束强度与能量分布的实验研究
10
作者 罗宗南 崔一平 +1 位作者 陈松生 杨正名 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第A04期150-153,共4页
片状气体放电电子束强度与能量分布的实验研究罗宗南,崔一平,陈松生,杨正名(东南大学电子工程系.南京210018)气体放电电子束强度高,能量大,在微电子、光电子、加工、材料科学、等离子化学以及表面处理等方面有着广泛的应... 片状气体放电电子束强度与能量分布的实验研究罗宗南,崔一平,陈松生,杨正名(东南大学电子工程系.南京210018)气体放电电子束强度高,能量大,在微电子、光电子、加工、材料科学、等离子化学以及表面处理等方面有着广泛的应用前景,加以成本低廉、操作方便,是... 展开更多
关键词 gas DISCHARGE energe spectrum/beam INTENSITY FLAKE SHAPED electron BEAM
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气体放电电子束的特性和应用
11
作者 杨正名 陈松生 +3 位作者 罗宗兰 杨耕兴 钟嫄 G.J.Collins 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期90-93,共4页
本文描述了产生在软真空中的电子束及其特性,这种成本低廉的大功率电子束在微电子、光电子加工和等离子体化学方面有很大应用价值。文中给出了电子束的放电特性、强度空间分布和能谱的实测结果,对这种电子束的形成机理提出了新的见解。
关键词 气体放电 电子束 真空 应用
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低气压气体放电电子束机理的探讨
12
作者 罗宗南 崔一平 +1 位作者 冯一芳 杨正名 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第6期52-56,共5页
本文在实验研究的基础上,对气体放电电子束的形成机理和物理模型提出了新的见解,并以此为依据对电子束的能谱进行了模拟,实验结果与理论符合很好。
关键词 场致发射 气体放电 电子束 能谱 低气压
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MIM隧道发光二极管的电子输运研究
13
作者 俞建华 孙承休 王启明 《电子科学学刊》 CSCD 2000年第1期144-150,共7页
本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。结果显示,由于SPP波对电子的阻挡和束缚作用引起的势垒平均宽度的增加所导致的负阻现象与实验结果相符合。
关键词 MIM隧道 电子输运 发光二极管
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直流反应溅射沉积ITO膜的X射线光电子谱研究
14
作者 张旭苹 陈国平 茅昕辉 《光电子技术》 CAS 1994年第2期142-147,共6页
采用 XPS 技术研究了直流磁控溅射 ITO 膜的结构组成及其化学态。分析了成膜工艺——热处理、反应气体 O_2流量等对 ITO 膜表面及内部成分比例的影响。
关键词 ITO膜 X射线 光电子谱 反应溅射
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等离子体氮化SiO_2膜中电子陷阱的研究
15
作者 吕世骥 蔡跃明 郭耀华 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1989年第2期22-27,共6页
论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经等离子体氮化后,电子陷阱的密度和俘获截面有所增大,并引入了一个与等离子体氮化缺陷有关的电子陷阱能级... 论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经等离子体氮化后,电子陷阱的密度和俘获截面有所增大,并引入了一个与等离子体氮化缺陷有关的电子陷阱能级。适当地退火可以减少等离子体氮化对SiO_2中电子陷阱的影响。 展开更多
关键词 氮化 SIO2 电介质膜 电子陷阱
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微波电子学的最新进展
16
作者 张国兴 《电子器件》 CAS 1992年第4期206-214,共9页
本文介绍国外微波器件的目前发展水平,真空与固态微波器件的比较以及当今发展微波电子学的几个重要方向.文中着重描述磁控管的锁相技术、行波管的功率合成技术和新型真空微电子学器件的工作原理、工作特性,为挖掘原有器件潜力,发展高质... 本文介绍国外微波器件的目前发展水平,真空与固态微波器件的比较以及当今发展微波电子学的几个重要方向.文中着重描述磁控管的锁相技术、行波管的功率合成技术和新型真空微电子学器件的工作原理、工作特性,为挖掘原有器件潜力,发展高质量微波器件,开拓新型器件确定目标. 展开更多
关键词 微波器件 微波电子学 发展
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脉冲调制式霓虹灯电子镇流器
17
作者 毛福明 《电子器件》 CAS 1995年第2期107-109,共3页
本文采用脉冲宽度调制原理,设计了一种新的霓虹灯电子镇流器.不仅显著提高了可靠性,而且能直接受计算机控制信号点亮、熄灭和光强变换.这种镇流器特别运用于大型霓虹灯广告屏使用。
关键词 脉冲调制式 霓虹灯 电子镇流器
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PDP器件中MgO薄膜二次电子发射系数γ的研究 被引量:4
18
作者 蔡秋萍 李青 +2 位作者 王志强 张青和 许晓伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期416-420,446,共6页
结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中... 结合等离子体显示器件 ( PDP)的放电机理 ,论述了 PDP中 Mg O保护膜的二次电子发射过程 :势能型发射和动能型发射。讨论了两种二次电子发射系数 γ的测量方法和装置 ,在此基础上 ,建立了一套简单可行的适用于 PDP样品的实验装置 ,文中给出γ值的测量结果。通过γ值的测试 ,可以反馈 Mg O保护膜的性能 。 展开更多
关键词 PDP器件 MgO薄膜 二次电子发射系数 等离子体显示器件 氧化镁 着火电压
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真空微电子学的研究和进展 被引量:2
19
作者 刘敏 雷威 +1 位作者 张晓兵 王保平 《电子器件》 CAS 2003年第4期428-433,共6页
真空微电子学是迅速发展的一门新学科,近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射... 真空微电子学是迅速发展的一门新学科,近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段,相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展。 展开更多
关键词 真空微电子学 场致发射 新材料 场发射显示器
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HB2电子枪中空间电荷效应的研究 被引量:1
20
作者 刘宇轩 尹涵春 雷威 《电子器件》 EI CAS 2005年第2期286-289,共4页
以阴极射线管(CRT)为例,研究了在不同发射电流下空间电荷效应对荧光屏上电子束点大小的影响。研究结果显示,当阴极电流大于1mA时,空间电荷效应开始起显著作用,而当阴极电流小于1mA时,空间电荷效应的影响逐渐减小,以致可以不考虑。此外,... 以阴极射线管(CRT)为例,研究了在不同发射电流下空间电荷效应对荧光屏上电子束点大小的影响。研究结果显示,当阴极电流大于1mA时,空间电荷效应开始起显著作用,而当阴极电流小于1mA时,空间电荷效应的影响逐渐减小,以致可以不考虑。此外,除了空间电荷效应最严重的阴极区外,主透镜区和漂移区的空间电荷效应相对预聚焦区较为显著。 展开更多
关键词 空间电荷 阴极电流 光点大小
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