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两次制结提高n^+p型Si太阳电池转换效率的研究
被引量：
1
1
作者
高华
杨乐
+1 位作者
周光华
解光军
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期958-960,共3页
文章提出通过2次恒定源扩散和恒量扩散制作n+p型硅太阳电池的新工艺。与常规的一次制结工艺相比,新的扩散方法可以减缓高浓度浅结磷扩对硅表层带来的晶格损伤,所制作的太阳电池短路电流Isc提高了约0.7%,开路电压Voc也有明显改善,光电转...
文章提出通过2次恒定源扩散和恒量扩散制作n+p型硅太阳电池的新工艺。与常规的一次制结工艺相比,新的扩散方法可以减缓高浓度浅结磷扩对硅表层带来的晶格损伤,所制作的太阳电池短路电流Isc提高了约0.7%,开路电压Voc也有明显改善,光电转换效率从常规工艺所制备电池的17.34%提高到17.70%。
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关键词
硅太阳电池
磷扩散
缺陷复合
2次制结
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职称材料
非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结
被引量：
1
2
作者
汪建强
高华
+4 位作者
张剑
张松
李晨
叶庆好
孟凡英
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期798-803,共6页
通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机...
通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.
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关键词
非晶硅/晶体硅
发射结掺杂
界面态密度
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职称材料
题名
两次制结提高n^+p型Si太阳电池转换效率的研究
被引量：
1
1
作者
高华
杨乐
周光华
解光军
机构
上海超日太阳能科技股份有限公司
合肥工业大学电子科学与应用物理学院
出处
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期958-960,共3页
文摘
文章提出通过2次恒定源扩散和恒量扩散制作n+p型硅太阳电池的新工艺。与常规的一次制结工艺相比,新的扩散方法可以减缓高浓度浅结磷扩对硅表层带来的晶格损伤,所制作的太阳电池短路电流Isc提高了约0.7%,开路电压Voc也有明显改善,光电转换效率从常规工艺所制备电池的17.34%提高到17.70%。
关键词
硅太阳电池
磷扩散
缺陷复合
2次制结
Keywords
silicon solar cell
phosphorus diffusion
defect complex
two times junction making
分类号
TM914.41 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结
被引量：
1
2
作者
汪建强
高华
张剑
张松
李晨
叶庆好
孟凡英
机构
上海
交通大学
太阳能
研究所
上海超日太阳能科技股份有限公司
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期798-803,共6页
基金
上海市科学技术委员会和应用材料国际科技合作基金(08520741400)
上海市科学技术委员会优秀学科带头人基金(08XD14022)
文摘
通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.
关键词
非晶硅/晶体硅
发射结掺杂
界面态密度
Keywords
amorphous silicon/crystal silicon
emitter doping
interface defect density（Dit）
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
两次制结提高n^+p型Si太阳电池转换效率的研究
高华
杨乐
周光华
解光军
《合肥工业大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
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职称材料
2
非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结
汪建强
高华
张剑
张松
李晨
叶庆好
孟凡英
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
在线阅读
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职称材料
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