非晶硅薄膜太阳能电池热模型的模拟与实验研究

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作者 胡建辉 陈务军 +3 位作者 赵兵 胡鹏宇 葛彬彬 宋浩 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期436-441,共6页

为了研究柔性非晶硅薄膜太阳能电池(a-Si PV)在晴和多云天气下的温度值,基于能量守恒法建立了a-Si PV的光热模型,考察了各部分参数取值,编写了微分方程的求解程序,并设计研制了一套实验模型进行验证.实验结果表明:a-Si PV电池的温度受... 为了研究柔性非晶硅薄膜太阳能电池(a-Si PV)在晴和多云天气下的温度值,基于能量守恒法建立了a-Si PV的光热模型,考察了各部分参数取值,编写了微分方程的求解程序,并设计研制了一套实验模型进行验证.实验结果表明:a-Si PV电池的温度受日照辐射强度的影响最为显著;安装角度和环境温度也在一定程度上影响a-Si PV的温度值;晴天时的温差大于多云天气下的温差.实测值与模拟值对比表明:该模型可以准确模拟PV温度在晴和多云天气下的变化;数值结果与实验结果最大差值为3.9°C,主要原因是多云天气日照辐射强度的波动性和PV材料热容引起的热响应时滞.建立的a-Si PV热模型考虑了主要的影响因素,可较为准确地得到在晴和多云天气下的温度变化. 展开更多

关键词 柔性非晶硅薄膜太阳能电池 热模型 温度

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晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究 被引量：5

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作者 杨宏 王鹤 +3 位作者 于化丛 奚建平 胡宏勋 陈光德 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期651-654,共4页

为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率 ,研究了用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)的SiNx :H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响 ,并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池 .实验发现 :同SiNx :H比较 ,SiNx :H/S... 为了提高晶体硅太阳电池的光电转换效率 ,研究了用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)的SiNx :H作为晶体硅太阳电池的表面钝化及减反射膜对电池性能的影响 ,并采用不同的工艺路线制备了不同类型的电池 .实验发现 :同SiNx :H比较 ,SiNx :H/SiO2 双层光学减反射结构对晶体硅太阳电池能起到更加有效的表面钝化作用 ,提高了太阳电池的光电转换效率 .基于界面物理 ,提出了一种新的能带模型 。 展开更多

关键词 太阳电池 表面纯化 SINX H 等离子增强化学气相沉积

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常压化学汽相沉积TiO_x纳米光学薄膜及其用于太阳电池减反射膜的研究 被引量：5

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作者 杨宏 王鹤 +3 位作者 于化丛 奚建平 胡宏勋 陈光德 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期437-440,共4页

报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀... 报道了用常压化学汽相沉积 (APCVD)工艺制备TiOx 纳米光学薄膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响 ,实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求 ,优化了工艺条件 ,制备的TiOx 纳米光学薄膜性能稳定 ,大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx 减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加 10 %。 展开更多

关键词 常压化学汽相沉积 光学薄膜 减反射膜 钛氧化合物 太阳能电池

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可再生能源发电系统中VRLA蓄电池的过充电保护与温度补偿特性的研究 被引量：10

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作者 杨宏 王鹤 +3 位作者 王雪冬 肖毅 崔容强 周至斌 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期223-225,共3页

对可再生能源发电系统中阀控式密封铅酸蓄电池 (VRLA)的过充电保护与温度补偿特性进行了模拟实验研究。结果表明 ,为了延长可再生能源发电系统中VRLA蓄电池的使用寿命 ,除了对蓄电池进行必要的过放保护外 ,还必需进行过充电保护及对过... 对可再生能源发电系统中阀控式密封铅酸蓄电池 (VRLA)的过充电保护与温度补偿特性进行了模拟实验研究。结果表明 ,为了延长可再生能源发电系统中VRLA蓄电池的使用寿命 ,除了对蓄电池进行必要的过放保护外 ,还必需进行过充电保护及对过充阈值电压进行温度补偿 ,并推荐了两种行之有效的补偿方法。实验结果对延长可再生能源发电系统的使用寿命具有指导意义。 展开更多

关键词 可再生能源 发电系统 蓄电池 过充电保护 VRLA 温度补偿

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纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池 被引量：4

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作者 赵占霞 崔容强 +4 位作者 古丽娜 陈凤翔 储开芹 孟凡英 周之斌 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期22-26,共5页

综述了纳米硅薄膜及纳米硅薄膜太阳电池的制备方法、结构特性、光电特性等 ,显示出其有重要的应用前景。迄今为止 ,最好的纳米晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率已达 8.7%。

关键词 太阳电池 纳米晶硅薄膜 RF溅射方法 RF—PECVD方法

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一种喷涂SnO_2减反射薄膜的新工艺及材料研究 被引量：2

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作者 周之斌 崔容强 +2 位作者 徐秀琴 徐林 孙铁囤 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期106-109,共4页

采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪... 采用超声雾化喷涂法沉积得到 Sn O2 薄膜和掺氟离子 Sn O2 薄膜。通过改变掺杂量和选择合适的工艺条件可控制掺氟 Sn O2 薄膜的方块电阻 ,其最小方块电阻值达 10 Ω/□。用 5 5 0 nm单色光测得其透过率为 85 %— 90 %。用 X射线衍射仪及扫描电子显微镜分析 Sn O2 薄膜的微结构和成份 ,薄膜为择优取向晶化。薄膜具有很好的抗腐蚀性能。在已完成 pn结及电极制作工序的单晶硅太阳电池上沉积一层厚 70 nm的未掺杂 Sn O2 薄膜 ,构成光学减反射层 ,其电池的短路电流 Isc提高约 5 %— 10 %。 展开更多

关键词 超声雾化喷涂 SNO2薄膜 减反射涂层 薄膜

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低成本选择性发射区太阳电池的制备和特性 被引量：2

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作者 张松 孟凡英 +3 位作者 汪建强 刘峰 李翔 黄建华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期793-797,共5页

运用Matlab软件,在电池能量损耗最小前提下,对选择性发射极(Slective Emitter,SE)电池的栅线间距和宽度进行了模拟计算.在理论计算指导下,在国产化设备的太阳电池生产线上,采用印刷技术实现选择性磷源涂覆和扩散,并制成电池,通过电化学... 运用Matlab软件,在电池能量损耗最小前提下,对选择性发射极(Slective Emitter,SE)电池的栅线间距和宽度进行了模拟计算.在理论计算指导下,在国产化设备的太阳电池生产线上,采用印刷技术实现选择性磷源涂覆和扩散,并制成电池,通过电化学测试、伏安曲线、量子效率(Quantum Efficiency,QE)等检测分析,初步发现,印刷涂覆的SE太阳电池输出特性优于常规工艺制备的电池,转化效率提高约1%. 展开更多

关键词 高效太阳电池 选择性发射极 印刷磷源

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背腐蚀法分离p-n结的研究

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作者 刘志刚 孙铁囤 +4 位作者 苦史伟 罗培青 姜维 徐秀琴 崔容强 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期165-168,共4页

采用正面无保护的背腐蚀方法分离p-n结,用SEM图观察了背腐蚀后硅片表面形貌的变化,对背腐蚀与刻边分离p-n结样品的光生电动势进行了比较,用能带理论对其差别做了深入的解释。

关键词 背腐蚀 光生电动势 能带

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氮化硅薄膜的快速热处理在太阳电池中的应用 被引量：3

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作者 李友杰 罗培青 +3 位作者 黄建华 王景霄 周之斌 崔容强 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期152-155,共4页

研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700°C、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D——... 研究了低温等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiNx)薄膜的快速热处理,发现一种能使硅片少子寿命(τ)显著提高的快速热退火工艺并对其机理和应用方法进行初步讨论.硅片在700°C、1 s的快速热处理下,τ提高200%左右,用PC1D——太阳电池模拟软件知其可带来0.54%的效率提高.同样的实验在已经扩磷的硅片上进行,少子寿命亦只提高55%.把上述研究和最新的激光烧穿接触工艺用于太阳电池,可使太阳电池效率有一定提高. 展开更多

关键词 氮化硅薄膜 快速热处理 激光烧穿接触 太阳电池

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利用电致发光技术快速测定晶硅太阳电池少子寿命

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作者 刘霄 沈文忠 王振 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期487-491,共5页

结合理论分析,讨论太阳电池电致发光的影响因素,提出利用电致发光技术来测定晶硅太阳电池的少子寿命。在完成测试定标后,对比目前普遍使用的微波光电导衰退法,对电致发光法测定单晶和多晶硅少子寿命进行实验验证。结果表明,电致发光测... 结合理论分析,讨论太阳电池电致发光的影响因素,提出利用电致发光技术来测定晶硅太阳电池的少子寿命。在完成测试定标后,对比目前普遍使用的微波光电导衰退法,对电致发光法测定单晶和多晶硅少子寿命进行实验验证。结果表明,电致发光测试方法能快速、稳定、准确地测定晶硅太阳电池的少子寿命。 展开更多

关键词 晶硅太阳电池 电致发光 少子寿命

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非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结 被引量：1

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作者 汪建强 高华 +4 位作者 张剑 张松 李晨 叶庆好 孟凡英 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期798-803,共6页

通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机... 通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly-Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示:在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显. 展开更多

关键词 非晶硅/晶体硅 发射结掺杂 界面态密度

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蒸镀Cu-In合金硒化制CuInSe_2薄膜

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作者 李文漪 蔡珣 +3 位作者 周之斌 茅及放 李刚 许实 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期616-619,共4页

利用两源蒸镀 Cu- In合金膜 ,在半封闭石墨盒中硒化 ,制备了具有单一黄铜矿结构的Cu In Se2 ( CIS)薄膜 .实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系 .探讨了不同硒化温度对 CIS薄膜组织结构、成分和晶粒尺寸的影响 .结果表明 ,单一... 利用两源蒸镀 Cu- In合金膜 ,在半封闭石墨盒中硒化 ,制备了具有单一黄铜矿结构的Cu In Se2 ( CIS)薄膜 .实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系 .探讨了不同硒化温度对 CIS薄膜组织结构、成分和晶粒尺寸的影响 .结果表明 ,单一结构有利于 Cu- In合金膜的均匀和平整 .硒化过程中 ,随着硒化温度的升高 Cu的损失量增加 ,In的损失量相对减少 ;在 30 0°C硒化时开始出现 CIS黄铜矿结构 ,35 0°C硒化所得薄膜绝大多数为 CIS结构 ,5 0 0°C制得单一结构的 展开更多

关键词 CUINSE2 真空蒸镀 硒化 光伏材料

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