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Molecular Dynamics Simulation of Shock Response of CL-20 Co-crystals Containing Void Defects 被引量:1
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作者 Changlin Li Wei Yang +5 位作者 Qiang Gan Yajun Wang Lin Liang Wenbo Zhang Shuangfei Zhu Changgen Feng 《Defence Technology(防务技术)》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第1期364-374,共11页
To investigate the effect of void defects on the shock response of hexanitrohexaazaisowurtzitane(CL-20)co-crystals,shock responses of CL-20 co-crystals with energetic materials ligands trinitrotoluene(TNT),1,3-dinitro... To investigate the effect of void defects on the shock response of hexanitrohexaazaisowurtzitane(CL-20)co-crystals,shock responses of CL-20 co-crystals with energetic materials ligands trinitrotoluene(TNT),1,3-dinitrobenzene(DNB),solvents ligands dimethyl carbonate(DMC) and gamma-butyrolactone(GBL)with void were simulated,using molecular dynamics method and reactive force field.It is found that the CL-20 co-crystals with void defects will form hot spots when impacted,significantly affecting the decomposition of molecules around the void.The degree of molecular fragmentation is relatively low under the reflection velocity of 2 km/s,and the main reactions are the formation of dimer and the shedding of nitro groups.The existence of voids reduces the safety of CL-20 co-crystals,which induced the sensitivity of energetic co-crystals CL-20/TNT and CL-20/DNB to increase more significantly.Detonation has occurred under the reflection velocity of 4 km/s,energetic co-crystals are easier to polymerize than solvent co-crystals,and are not obviously affected by voids.The results show that the energy of the wave decreases after sweeping over the void,which reduces the chemical reaction frequency downstream of the void and affects the detonation performance,especially the solvent co-crystals. 展开更多
关键词 CL-20 co-crystals Molecular dynamics simulation Reactive forcefield Impact response Hot spot void defect
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基于Defect-GAN网络的隧道衬砌空洞缺陷检测方法
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作者 张泰 王艳辉 +2 位作者 任秋阳 崔广炎 佟一博 《铁道学报》 北大核心 2026年第5期178-187,共10页
探地雷达(GPR)技术在隧道衬砌结构的无损检测领域得到了广泛应用。针对GPR图像面临钢筋杂波信号干扰、实测数据稀缺以及人工解译精度不足等技术瓶颈,提出一种基于Defect-GAN网络的GPR图像空洞缺陷两阶段检测方法。所提网络在生成对抗网... 探地雷达(GPR)技术在隧道衬砌结构的无损检测领域得到了广泛应用。针对GPR图像面临钢筋杂波信号干扰、实测数据稀缺以及人工解译精度不足等技术瓶颈,提出一种基于Defect-GAN网络的GPR图像空洞缺陷两阶段检测方法。所提网络在生成对抗网络(GAN)的基础上,为自动编码生成器引入通道级和像素级双重特征注意力机制。通过两阶段的独立训练策略,Defect-GAN网络首先对GPR图像进行高效去噪处理,随后对去噪图像实施精准分割,从而实现对空洞缺陷的自动检测。研究构建专用GPR图像数据集进行试验评估。结果表明,Defect-GAN网络在准确率、精确度和F1分数上取得了最好的指标成绩,相较于传统的CycleGAN、Mask R-CNN及YOLOv8等深度学习算法分别提升约为4%~20%、1%~22%和5%~13%。 展开更多
关键词 探地雷达 空洞缺陷检测 生成对抗网络 图像去噪 自动分割
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复合材料电池箱体RTM成型工艺仿真及孔隙缺陷分析
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作者 张赛 邹文涛 +5 位作者 宋通 程从前 曹铁山 吴晓重 孟宪明 赵杰 《复合材料科学与工程》 北大核心 2026年第1期92-101,共10页
针对复合材料电池包下箱体的树脂传递模塑(Resin Transfer Molding,RTM)成型进行了方案设计,基于PAM-RTM软件对其充模过程进行仿真分析及孔隙缺陷预测。首先,对比了两种方案在三种出胶口状态下充模时间,分析了注胶压力及树脂黏度对RTM... 针对复合材料电池包下箱体的树脂传递模塑(Resin Transfer Molding,RTM)成型进行了方案设计,基于PAM-RTM软件对其充模过程进行仿真分析及孔隙缺陷预测。首先,对比了两种方案在三种出胶口状态下充模时间,分析了注胶压力及树脂黏度对RTM成型时间的影响规律;其次,分析了充模过程中注胶口附近位置的压力变化情况;最后,预测了宏观/微观两种尺度孔隙缺陷在构件中分布及注胶压力对孔隙含量的影响规律,并结合流速优化理论控制树脂前沿流速以降低孔隙含量。结果表明,模腔内注胶与出胶口压力差越大,成型用时越少,且受到注胶位置影响。注胶压力与充模时间呈线性关系,压力越低,充模时间缩短效果越明显,且黏度越大,充模时间越长。孔隙含量与前沿流速有关,注胶压力越大导致流速越快,宏观孔隙随之减少,微观孔隙相应增多;且流速优化方式注胶能够显著降低总体孔隙率水平,但会延长成型周期。 展开更多
关键词 电池包下箱体 树脂传递模塑 仿真模拟 孔隙缺陷 流速优化 复合材料
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复合材料夹层构件的RTM工艺仿真及验证
4
作者 田楠 卢政斌 +2 位作者 杜子林 周亚南 李闻达 《工程塑料应用》 北大核心 2026年第2期108-115,共8页
为解决复合材料异型夹层构件在树脂传递模塑(RTM)成型中普遍面临的树脂渗流不均、结构性干斑及孔隙聚集等难题,本文围绕复杂曲率夹层构件的树脂流动浸润行为开展了系统研究。针对现有研究多集中于常规层板和简单夹层结构的局限性,构建... 为解决复合材料异型夹层构件在树脂传递模塑(RTM)成型中普遍面临的树脂渗流不均、结构性干斑及孔隙聚集等难题,本文围绕复杂曲率夹层构件的树脂流动浸润行为开展了系统研究。针对现有研究多集中于常规层板和简单夹层结构的局限性,构建了“注胶管直径-厚度向芯材开孔协同设计”的多尺度三维仿真框架,并揭示其在提升流动均匀性、改善排气效率和抑制宏观孔隙方面的机理。为解决曲率连续变化、低渗透性芯材和多源压力耦合作用导致的仿真不稳定性,采用区域分级建模、局部高渗透率等效定义及三维通道耦合等策略,实现了复杂构型下树脂渗流的高精度预测。探讨了注胶管直径及芯材开孔对充模效果的影响,并进行了实际RTM工艺验证。此外,结合企业批量化生产经验,对注胶管不同尺寸、开孔参数及真空压力稳定性的工程可行性进行了归纳,形成可直接指导工业应用的工艺窗口。仿真分析结果表明,增大注胶管直径可显著缩短充模时间,芯材开孔可显著降低宏观孔隙率。工艺验证结果表明,所构建仿真模型的充模时间预测相对误差绝对值控制在20%以内,且干斑、孔隙等缺陷的分布趋势与实际情况高度一致,验证了该方法适用于复杂曲率异型夹层构件的RTM工艺优化。 展开更多
关键词 复合材料 夹层构件 树脂传递模塑 孔隙缺陷 工艺仿真
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气密封装器件封盖空洞缺陷量化方法优化
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作者 冉红雷 崔亚茹 +3 位作者 张鑫 褚昆 张欢 杨振宝 《半导体技术》 北大核心 2026年第3期298-304,共7页
针对玻封陶瓷类气密封装器件X射线检测中,封盖边角区域空洞缺陷计算失准、判定标准过严等问题,提出一套基于数字图像处理的综合改进方法。通过直方图均衡化、双边滤波与指数变换等自适应图像增强技术,对X射线检测图像进行预处理;在此基... 针对玻封陶瓷类气密封装器件X射线检测中,封盖边角区域空洞缺陷计算失准、判定标准过严等问题,提出一套基于数字图像处理的综合改进方法。通过直方图均衡化、双边滤波与指数变换等自适应图像增强技术,对X射线检测图像进行预处理;在此基础上,构建了边角区域缺陷的精确计算模型,并基于“最短泄漏路径”原则优化了缺陷量化方法,准确计算出GJB 548C—2021等标准中涉及的密封区域泄漏路径。验证结果表明,该方法使边角区域缺陷识别准确度提高了约50%,识别效率较传统人工方法提高了10倍以上。本研究为高可靠性气密封装器件的质量保障提供了可靠的量化依据,具有良好的工程应用价值。 展开更多
关键词 气密封装器件 封盖空洞缺陷 数字图像处理 缺陷量化 X射线检测 最短泄漏路径
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交流电压频率对GIS绝缘子内部气隙局部放电特性的影响 被引量:1
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作者 赵琳 顾刘欢 +3 位作者 金涌涛 邵先军 郭广怀 唐志国 《电机与控制学报》 北大核心 2025年第2期126-135,共10页
柔性低频交流输电在中远距离海上风电送出中具有优势,但工频下广泛应用的局部放电带电检测技术面临着无法直接在低频输变电设备上应用的问题。为此,以GIS绝缘子内部气隙缺陷为研究对象,首先理论分析了频率对绝缘材料介电常数及电导特性... 柔性低频交流输电在中远距离海上风电送出中具有优势,但工频下广泛应用的局部放电带电检测技术面临着无法直接在低频输变电设备上应用的问题。为此,以GIS绝缘子内部气隙缺陷为研究对象,首先理论分析了频率对绝缘材料介电常数及电导特性的影响,其次在经典三电容模型基础上仿真研究了不同频率下绝缘内部气隙局部放电特征的差异,最后采用特高频法开展了20~100 Hz范围内的气隙局部放电试验研究。结果表明:随着频率的降低,环氧树脂材料的介电常数略有增加,介质损耗角正切tanδ减小,环氧树脂的电导下降,由此引起气隙缺陷部位电场略有上升和电容时间常数的增大,导致相较于工频,低频20 Hz下起始局放电压有所升高,每周期平均脉冲重复率下降20%;同一电压等级下,低频下PRPD图谱形状、幅值分布范围无明显变化,工频下的PRPD图谱经频率归一化后可作为低频下气隙放电的诊断依据。研究结果可为低频输变电设备的局放检测和诊断提供参考。 展开更多
关键词 低频交流输电 气隙缺陷 三电容模型 材料电气特性 统计参数 局部放电图谱
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复杂应力场中含空洞缺陷的非圆形隧道解析解
7
作者 牛星 王大鹏 +2 位作者 王景春 饶晨捷 丁浩东 《铁道标准设计》 北大核心 2025年第9期126-135,共10页
为研究深埋条件下含有空洞缺陷的非圆形隧道开挖引起的围岩应力、变形分布规律,基于保角映射和复变函数理论,将隧道真实断面映射为复平面上的单位圆,并利用柯西积分法求解,得到复杂应力场中含有空洞缺陷的非圆形隧道应力、位移的解析解... 为研究深埋条件下含有空洞缺陷的非圆形隧道开挖引起的围岩应力、变形分布规律,基于保角映射和复变函数理论,将隧道真实断面映射为复平面上的单位圆,并利用柯西积分法求解,得到复杂应力场中含有空洞缺陷的非圆形隧道应力、位移的解析解,分析缺陷深度和宽度、主应力场倾角θ、主应力场应力比λ对围岩应力、位移分布的影响。结果表明,含缺陷隧道与无缺陷隧道在缺陷处的应力和位移均存在较大差异,缺陷深度的增加会加剧缺陷处应力集中现象,引起x方向位移减小,y方向位移增大;缺陷宽度的增大会削弱缺陷处的应力集中现象,对缺陷处位移影响不大。主应力场倾角增大同样会引起缺陷处应力集中现象加剧,隧道环向全范围内x方向位移减小、y方向位移增大。随着主应力场应力比的增大,缺陷处及隧道底部σ_(y)逐渐由压应力转换为拉应力,隧道其他位置的应力集中现象随主应力场应力比的增大而增大,x方向位移随主应力场应力比的增大而增大,y方向位移则随主应力场应力比的增大先减小后增大。 展开更多
关键词 非圆形隧道 复杂应力场 空洞缺陷 复变函数理论 解析解
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考虑初始缺陷的Q235钢细观力学性能分析
8
作者 赵小婉 杨建伟 +2 位作者 李欣 许雅丽 刘鑫 《热加工工艺》 北大核心 2025年第19期206-214,共9页
结构钢是一种应用广泛的工程结构材料,初始缺陷的损伤演化会严重影响结构的安全性能。以Q235钢为例,对单轴拉伸和循环加载制度下材料的力学性能进行试验研究。使用ABAQUS建立了考虑空穴缺陷的二维细观模型,以空穴扩张模型为失效判据,针... 结构钢是一种应用广泛的工程结构材料,初始缺陷的损伤演化会严重影响结构的安全性能。以Q235钢为例,对单轴拉伸和循环加载制度下材料的力学性能进行试验研究。使用ABAQUS建立了考虑空穴缺陷的二维细观模型,以空穴扩张模型为失效判据,针对7种不同空穴体积分数和3种不同空穴直径的细观初始缺陷对材料的力学性能进行仿真分析。结果表明:采用细观力学有限元法建立的多孔随机分布的单胞模型能够较好地与试验结果相吻合;单轴拉伸作用下,试件应力-应变曲线上断裂点的位置随空穴体积分数的增大而提前;而空穴直径对试件断裂点的位置影响不明显。循环加载作用下,初始空穴体积分数对材料的循环硬化现象有较小影响;空穴直径对材料载荷-位移曲线的影响不明显。通过细观力学分析,考察了初始缺陷对Q235钢力学性能的影响,为预测结构钢的力学性能提供了细观力学的分析手段。 展开更多
关键词 结构钢 细观缺陷 空穴体积分数 空穴直径
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改进U-Net的芯片粘接区空洞缺陷检测模型
9
作者 雷佳蕊 于春和 +2 位作者 文弋 刘岗岗 夏自金 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期843-850,共8页
为解决传统方法在陶瓷封装芯片粘接区缺陷检测中特征表达能力不足以及现有深度学习模型对微小缺陷敏感度低的问题,提出了一种基于U型网络架构(U-Net)的改进型VSCMU-Net语义分割模型。该模型以视觉几何组(VGG)网络为骨干,融合空间和通道... 为解决传统方法在陶瓷封装芯片粘接区缺陷检测中特征表达能力不足以及现有深度学习模型对微小缺陷敏感度低的问题,提出了一种基于U型网络架构(U-Net)的改进型VSCMU-Net语义分割模型。该模型以视觉几何组(VGG)网络为骨干,融合空间和通道压缩与激励(SCSE)注意力机制与多阶门控聚合(MOGA)模块,可有效提取缺陷的深层特征,实现了对微小缺陷的精准分割。实验中采用VSCMU-Net模型对粘接区域及空洞进行分割,结果表明,VSCMU-Net模型在键合区域和空隙分割方面表现出色。该模型平均交并比(mIoU)达92.21%,平均精确度均值(mAP)达95.86%,总体准确率(Accuracy)达99.11%,平均F1分数(mF1-score)达95.79%,均优于传统U-Net、DeepLabv3+、PSPNet和YOLOv8-seg模型,为半导体封装领域关键电子组件的品质保障提供了有力的技术支持。 展开更多
关键词 空洞 语义分割 缺陷检测 深度学习 空间和通道压缩与激励(SCSE)注意力机制
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固体绝缘中气隙尺寸对局部放电过程的影响 被引量:50
10
作者 潘浩 殷庆铎 高文胜 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期458-461,共4页
为了分析和评估固体绝缘中气隙缺陷局部放电的危害,提高局部放电检测的工程应用水平,试验研究了固体绝缘单一气隙缺陷模型;测量了不同模型试品的局放起始电压、起始放电量及放电信号波形;分析了固体绝缘内部气隙缺陷的几何尺寸对局放特... 为了分析和评估固体绝缘中气隙缺陷局部放电的危害,提高局部放电检测的工程应用水平,试验研究了固体绝缘单一气隙缺陷模型;测量了不同模型试品的局放起始电压、起始放电量及放电信号波形;分析了固体绝缘内部气隙缺陷的几何尺寸对局放特性的影响;考察了不同几何尺寸缺陷放电的发展过程和脉冲电流波形特征,发现不同尺寸缺陷结构的放电特性有所差异;归纳了不同场强下气隙放电的变化规律。试验结果表明,气隙缺陷尺寸越大,越易产生放电且放电量越大,外施场强增加则放电量增大,而固体绝缘中的局部放电随气隙缺陷尺寸变化表现出有差异的波形特征。 展开更多
关键词 局部放电 固体绝缘 气隙缺陷 放电特征 气隙尺寸 波形
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振荡操作冲击电压下绝缘子气隙缺陷局部放电特性研究 被引量:11
11
作者 张崇兴 任明 +2 位作者 周洁睿 董明 阙波 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第14期3074-3083,共10页
通过搭建操作冲击电压下局部放电现场检测回路,试验探索振荡操作冲击电压下绝缘子气隙缺陷局部放电行为和产生机制,并对振荡操作冲击下局部放电脉冲序列特性进行建模与仿真研究。试验结果表明,振荡操作冲击电压下的局部放电脉冲随外施... 通过搭建操作冲击电压下局部放电现场检测回路,试验探索振荡操作冲击电压下绝缘子气隙缺陷局部放电行为和产生机制,并对振荡操作冲击下局部放电脉冲序列特性进行建模与仿真研究。试验结果表明,振荡操作冲击电压下的局部放电脉冲随外施电压的上升呈现阶段性特征;放电起始和熄灭场强均随着气隙半径的增加而减小;相同半径的气隙在振荡冲击电压下的放电起始场强较工频交流电压下更大;操作冲击下的放电脉冲数和放电量随着外施峰值场强的提高呈现急剧上升趋势。此外,建立考虑电荷记忆效应和蒙特卡洛随机过程的局部放电模型,并通过仿真较好地解释和描述了首次放电时延结果及脉冲统计分布的试验结果。 展开更多
关键词 振荡操作冲击电压 局部放电 气体绝缘开关设备 气隙缺陷 SF6
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钢锭内部孔隙性缺陷锻合过程的数值模拟 被引量:9
12
作者 陈锟 杨弋涛 邵光杰 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期6-10,共5页
通过比较圆柱体试样内部孔洞锻合过程的模拟计算结果和实验结果,确立了钢锭内部孔隙性缺陷锻合过程的模拟法,并对长孔型缺陷和短孔型缺陷的锻合过程进行了计算,得到各类孔洞的闭合规律,且定量给出了不同位置处孔洞闭合时所需的临界压下... 通过比较圆柱体试样内部孔洞锻合过程的模拟计算结果和实验结果,确立了钢锭内部孔隙性缺陷锻合过程的模拟法,并对长孔型缺陷和短孔型缺陷的锻合过程进行了计算,得到各类孔洞的闭合规律,且定量给出了不同位置处孔洞闭合时所需的临界压下率。从孔洞闭合的力学本质角度,对钢锭内部的等效应变分布情况进行了研究。结果表明,孔洞的闭合完全是由于应力集中并达到一定程度的变形所引起的。其中,四面体孔最难闭合,为所有孔洞锻合所需临界压下率的上限值。锻合区域的给出,为制订锻造工艺提供了理论依据。 展开更多
关键词 孔隙性缺陷 锻合区域 模拟法 应力集中
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不同脱空模式下隧道结构安全状态分析 被引量:21
13
作者 叶艺超 彭立敏 +1 位作者 雷明锋 林越翔 《铁道科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2875-2883,共9页
结合范家沟隧道工程,基于荷载-结构法平面计算分析模型,设置不同脱空范围及不同脱空模式,分析衬砌脱空对在役隧道结构安全性的影响规律。研究结果表明:脱空的影响主要集中在空洞范围内及其邻近位置处,脱空的范围越大,影响的范围也越大;... 结合范家沟隧道工程,基于荷载-结构法平面计算分析模型,设置不同脱空范围及不同脱空模式,分析衬砌脱空对在役隧道结构安全性的影响规律。研究结果表明:脱空的影响主要集中在空洞范围内及其邻近位置处,脱空的范围越大,影响的范围也越大;衬砌不同位置对脱空的敏感性表现为:拱腰>拱顶>脱空邻近处,且拱腰邻近处>拱顶邻近处,较之拱顶脱空的情况,拱腰处出现脱空时对结构更为不利;特征位置安全系数与结构最小安全系数随脱空范围的增大均表现为先增大后急剧减小,正弯矩处轻度的脱空可以有效改善隧道结构的受力形态,而重度脱空将使结构承载性能大幅降低。根据计算与统计结果,划分脱空病害等级,并界定相应的处治措施。同时讨论人为在结构正弯矩处设置轻度脱空的可行性,并初步提出设置方案。 展开更多
关键词 隧道工程 衬砌脱空 脱空模式 结构安全性 脱空病害等级 处治措施
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XLPE 电缆水树老化过程中半导电层缺陷的形成机理 被引量:18
14
作者 周凯 陶霰韬 +2 位作者 杨滴 陶文彪 杨明亮 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期124-130,共7页
交联聚乙烯(XLPE)电缆的半导电层缺陷诱发机理尚无定论。为此,在加速水树老化实验的基础上,观测了水树老化后电缆的内、外半导电层中的缺陷,并对这些缺陷的形成原因进行了讨论。采用水针法对长度为70 m的XLPE电缆进行加速老化,电缆的绝... 交联聚乙烯(XLPE)电缆的半导电层缺陷诱发机理尚无定论。为此,在加速水树老化实验的基础上,观测了水树老化后电缆的内、外半导电层中的缺陷,并对这些缺陷的形成原因进行了讨论。采用水针法对长度为70 m的XLPE电缆进行加速老化,电缆的绝缘性能逐渐下降,并在绝缘层中观察到水树缺陷。通过扫描电镜(SEM)观测到,老化样本的半导电层中有大量孔洞缺陷。进一步采用X射线能量色散谱(EDS)对内、外半导电层中的化学元素进行定量分析证明,老化后半导电层中氧(O)元素含量显著减少。因此,在长期老化过程中,半导电层中可能发生了电解质水溶液的电解反应,并生成了氧气(O2)和臭氧(O3),这种气体的生成是半导电层中孔洞缺陷发生及发展的原因。 展开更多
关键词 XLPE电缆 水树 半导电层 电解反应 孔洞缺陷 老化机理
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绝缘材料电树枝发展过程中不同效应的影响 被引量:4
15
作者 殷庆铎 高文胜 叶宽 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期766-771,共6页
为研究局部放电对电树枝发展过程的影响,实验研究了聚乙稀和有机玻璃的放电特性并根据放电在绝缘材料内部形成的破坏痕迹及放电脉冲波形特征的分析结果,将气隙内局部放电的破坏形式分为直接放电破坏和沿面放电破坏2种类型。施压时间对... 为研究局部放电对电树枝发展过程的影响,实验研究了聚乙稀和有机玻璃的放电特性并根据放电在绝缘材料内部形成的破坏痕迹及放电脉冲波形特征的分析结果,将气隙内局部放电的破坏形式分为直接放电破坏和沿面放电破坏2种类型。施压时间对破坏痕迹影响的结果表明,局部放电会在含有气隙缺陷的绝缘材料中形成3种破坏效应,即热效应、化学腐蚀和机械应力作用,而楔形气隙模型试验研究局部放电破坏效应对电树枝生长过程影响的结果显示,局部放电的放电形式会影响材料的破坏状态,放电形成的破坏效应与电树枝生长状态之间具有一定的关系。这些结果意味着局部放电的行为特性与电树枝生长状态之间存在内在联系。 展开更多
关键词 局部放电 电树枝生长 气隙缺陷 放电类型 破坏效应 破坏痕迹
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球栅阵列焊点空洞缺陷的数学形态学分析 被引量:3
16
作者 张俊生 王明泉 +1 位作者 郭晋秦 楼国红 《科学技术与工程》 北大核心 2018年第2期296-299,共4页
球栅阵列(BGA)焊点焊接过程中容易产生气泡,形成空洞缺陷,检测时如何自动分析一直是个难题。提出使用Otsu算法分割焊球,使用数学形态学中的开闭运算、顶帽变换提取空洞缺陷的技术方案,实现每个焊点空洞缺陷的准确提取和自动分析。实验... 球栅阵列(BGA)焊点焊接过程中容易产生气泡,形成空洞缺陷,检测时如何自动分析一直是个难题。提出使用Otsu算法分割焊球,使用数学形态学中的开闭运算、顶帽变换提取空洞缺陷的技术方案,实现每个焊点空洞缺陷的准确提取和自动分析。实验结果表明,提出的技术方案鲁棒性强,可应用于BGA焊点的空洞缺陷检测。 展开更多
关键词 球栅阵列 空洞缺陷 OTSU算法 数学形态学
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非晶态聚合物气隙缺陷局部放电特性研究 被引量:5
17
作者 袁宇春 高文胜 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期28-31,36,共5页
笔者系统研究了非晶态聚合物中气隙缺陷的电老化机理。通过对单气隙缺陷以及悬浮电位局部放电特性的检测,确定了单气隙结构与局部放电特性之间的关系,并分析了局部放电对电老化过程的影响。试验结果表明,局部放电的起始电压、放电量、... 笔者系统研究了非晶态聚合物中气隙缺陷的电老化机理。通过对单气隙缺陷以及悬浮电位局部放电特性的检测,确定了单气隙结构与局部放电特性之间的关系,并分析了局部放电对电老化过程的影响。试验结果表明,局部放电的起始电压、放电量、放电电流波形特征以及多周期统计特性都随着气隙结构的改变发生明显的变化。并且气隙中局部放电产生的"空间电荷"对后续放电过程的发展起到了"加速"作用,说明非晶态聚合物中长气隙缺陷局部放电引发的电老化现象与空间电荷量存在着密切的关系。 展开更多
关键词 局部放电 非晶态聚合物 气隙缺陷 剩余离子
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钛/铝异种合金FSLW接头的成形与组织研究 被引量:4
18
作者 张哲 张利国 +1 位作者 肖增华 吕赞 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2018年第17期190-192,共3页
以Ti-6Al-4V钛合金和7075-T6铝合金为对象,将钛合金作为搭接上板,研究了钛/铝异种合金搅拌摩擦搭接焊接头的成形与显微组织。结果表明,当搅拌头转速较高时,搭接界面处会产生因材料填充不及时而形成的孔洞缺陷;随着转速的降低,孔洞缺陷... 以Ti-6Al-4V钛合金和7075-T6铝合金为对象,将钛合金作为搭接上板,研究了钛/铝异种合金搅拌摩擦搭接焊接头的成形与显微组织。结果表明,当搅拌头转速较高时,搭接界面处会产生因材料填充不及时而形成的孔洞缺陷;随着转速的降低,孔洞缺陷的尺寸逐渐减小,当转速为190 r/min时可获得缺陷极小的接头,连接界面处钛/铝合金结合良好。在本文所使用的焊接工艺中,整个焊接过程在β相变点以下进行。 展开更多
关键词 钛/铝异种合金 搅拌摩擦搭接焊 孔洞缺陷 显微组织
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含孔隙缺陷三维五向编织复合材料偏轴拉伸力学性能分析 被引量:6
19
作者 杨志贤 张明 +1 位作者 李昂 张超 《北京航空航天大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期569-577,共9页
针对孔隙缺陷对材料力学性能的重要影响,在材料细观模型中引入随机分布的孔隙缺陷,研究了含孔隙缺陷三维五向编织复合材料的偏轴拉伸力学性能。基于2种典型编织角试件,讨论了孔隙率对材料正轴力学性能的影响,通过与实验数据对比,确定了... 针对孔隙缺陷对材料力学性能的重要影响,在材料细观模型中引入随机分布的孔隙缺陷,研究了含孔隙缺陷三维五向编织复合材料的偏轴拉伸力学性能。基于2种典型编织角试件,讨论了孔隙率对材料正轴力学性能的影响,通过与实验数据对比,确定了材料的孔隙率。结合周期性边界条件施加偏轴拉伸载荷,获取了不同偏轴角度下材料的应力-应变曲线,并预测了材料的强度性能。模拟了典型偏轴角度下材料的细观损伤起始、演化过程,分析了材料的失效机理,为其他复合材料结构孔隙缺陷问题及偏轴载荷问题数值分析提供了一定的参考。 展开更多
关键词 三维五向 编织复合材料 孔隙缺陷 偏轴拉伸 有限元分析
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CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究 被引量:2
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作者 乔治 刘彩池 +1 位作者 张彦立 史严 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期257-259,共3页
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其... CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。 展开更多
关键词 CZ-SI 流动图形缺陷(FPDs) 空洞型缺陷
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