基于正交实验的自均压真空灭弧室静电场仿真与优化

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作者 董华军 刘世博 +2 位作者 王宁 盛虎 李金金 《广东电力》 北大核心 2025年第6期90-98,共9页

自均压结构能够显著改善真空灭弧室绝缘性能,目前自均压真空灭弧室的研究只集中在均压结构的优化分析,对均压结构与真空灭弧室整体结构的综合优化研究不足。基于一种利用环氧树脂将均压屏蔽罩与均压电容固封集成的24 kV自均压真空灭弧室... 自均压结构能够显著改善真空灭弧室绝缘性能,目前自均压真空灭弧室的研究只集中在均压结构的优化分析,对均压结构与真空灭弧室整体结构的综合优化研究不足。基于一种利用环氧树脂将均压屏蔽罩与均压电容固封集成的24 kV自均压真空灭弧室,采用COMSOL软件分析其静电场特性,并结合SPSS软件进行正交实验。选取9个设计参数进行自均压真空灭弧室静电场特性的综合优化研究:均压屏蔽罩与外侧环氧树脂连接处圆弧半径、均压屏蔽罩边缘圆弧半径、内外侧环氧树脂厚度、触头圆角、触头开距、主屏蔽罩半径、卷边角度和坡度。通过分析各参数之间的回归方程,得出不同设计参数对灭弧室不同部位的最大电场强度是否存在极显著或显著的影响。研究结果可为自均压真空灭弧室静电场特性的进一步优化设计提供理论依据。 展开更多

关键词 自均压真空灭弧室 均压 静电场 正交实验 综合优化设计

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应用于500kV故障限流器的罐式快速开关研制

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作者 王开白 付俊波 +3 位作者 王震宇 吕玮 范凯 孙正伟 《高压电器》 北大核心 2025年第8期54-60,共7页

随着500kV主网不断扩容,局部区域出现短路容量超标问题,在线路中串入由快速开关和限流电抗器并联组成的故障限流器是解决短路容量超标的有效手段,有必要研制一种应用于500kV故障限流器的快速开关。快速开关采用罐式、多断口串联结构,依... 随着500kV主网不断扩容,局部区域出现短路容量超标问题,在线路中串入由快速开关和限流电抗器并联组成的故障限流器是解决短路容量超标的有效手段,有必要研制一种应用于500kV故障限流器的快速开关。快速开关采用罐式、多断口串联结构,依托电磁斥力机构实现断口快速分合闸;开展了斥力机构、屏蔽结构、均压、温升的仿真设计;通过单断口机械寿命、对地绝缘、端间绝缘、温升等试验,对设计进行了验证。结果表明:斥力机构方面,真空灭弧室触头分闸时间小于1ms,最大分闸速度为7.6m/s,连接杆上最大受力为120kN,脉冲电流峰值在9688A,3000次机械寿命试验通过;屏蔽结构方面,通过调节屏蔽罩边缘的3个半径,使屏蔽罩的边缘向内弯曲,有利于场强的降低,优化后的场强为16kV/mm,对地绝缘试验通过;均压方面,6个真空灭弧室并联的均压电容均选择6000pF,此时雷电下不均压系数为1.21,端间绝缘试验通过;温升方面,温度最高点在真空灭弧室触头位置,温升为52.5K,除真空灭弧室外,最高温度处于灭弧室顶部的静触头端面附近,温升为34K,温升试验值与仿真值接近。研制的罐式快速开关满足有关标准和现场运行要求。 展开更多

关键词 快速开关 真空灭弧室 斥力机构 电场 屏蔽 均压 温升

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基于ELM与MOGWO的真空灭弧室结构优化设计

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作者 丁璨 王周琳 +2 位作者 袁召 刘学良 白耀龙 《高压电器》 北大核心 2025年第9期8-17,共10页

灭弧室作为真空断路器的核心,其电场分布与内部结构设计紧密相关。文中首先研究均压屏蔽罩、悬浮屏蔽罩结构、屏蔽罩与触头的间距以及触头形状变化对灭弧室电场分布的影响,发现场强在悬浮屏蔽罩端部、触头端部及悬浮屏蔽罩与触头之间的... 灭弧室作为真空断路器的核心,其电场分布与内部结构设计紧密相关。文中首先研究均压屏蔽罩、悬浮屏蔽罩结构、屏蔽罩与触头的间距以及触头形状变化对灭弧室电场分布的影响,发现场强在悬浮屏蔽罩端部、触头端部及悬浮屏蔽罩与触头之间的区域出现集中现象。为进一步改善灭弧室电场分布情况,文中提出了一种基于极限学习机(ELM)与灰狼算法(MOGWO)相结合的方法对灭弧室重要结构参数进行优化设计,建立了以悬浮屏蔽罩的斜坡上方长度L_(1)、端部卷边半径R、卷边角度θ、屏蔽罩与触头表面距离L_(2)和触头端部曲率半径r为输入,电场强度最大值、动静触头两侧子区域电场均匀度分别为输出的ELM模型,通过MOGWO算法对真空灭弧室进行结构优化。优化结果表明:真空灭弧室的结构参数L_(1)为79.9 mm、R为3.5 mm、θ为220.0°、L_(2)为11.13 mm和r为3.0 mm时,灭弧室电场分布情况明显改善。 展开更多

关键词 真空灭弧室 电场分布 MOGWO 极限学习机

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金属罐体对真空灭弧室内部电场分布的影响 被引量：3

4

作者 李烁 修士新 +3 位作者 贾申利 罗海洋 田志强 陈军平 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期570-578,共9页

利用真空开断技术以及环保气体绝缘技术开发罐式真空断路器是高压真空断路器的一个重要发展方向。为此,建立了126 kV单断口真空灭弧室以及罐式断路器的电场仿真模型,分别从触头表面电场分布、触头间隙有效击穿面积以及内部电场分布对称... 利用真空开断技术以及环保气体绝缘技术开发罐式真空断路器是高压真空断路器的一个重要发展方向。为此,建立了126 kV单断口真空灭弧室以及罐式断路器的电场仿真模型,分别从触头表面电场分布、触头间隙有效击穿面积以及内部电场分布对称性三个方面,探究了布置在金属罐中的真空灭弧室内部电场的变化。结果表明,金属罐体引起真空灭弧室内部动、静两侧的电场分布不对称,出现高电位侧电场强度增大,而低电位侧电场强度减小的情况。针对这一情况,建立等效电路模型,从电路层面分析。结果表明,对地杂散电容增大引起了主屏蔽罩的电位降低。进一步地,通过将主屏蔽罩电位设置为一系列的固定值,研究了主屏蔽罩电位对于真空灭弧室内部电场分布的影响。当控制主屏蔽罩电位相同时,布置在金属罐中的真空灭弧室与单个真空灭弧室相比,两者内部电场分布基本一致,这为罐式断路器中的真空灭弧室内部电场的优化提供了参考。 展开更多

关键词 高压真空灭弧室 气体绝缘开关设备 电场仿真 等效电路 主屏蔽罩电位

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252 kV环保型GIS双断口真空断路器并联电容的电场分析计算 被引量：3

5

作者 吴文海 吴晟玮 +4 位作者 沈丰慧 刘波 高洋 王瑶 赵俊卿 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期114-125,共12页

文中设计了两种新型252 kV环保型GIS双断口真空断路器均压结构形式,采用双断口真空灭弧室每断口并联一根电容或两根电容两种不同的均压方式,通过对不同均压方式计算电场值对比分析,得出了双断口真空断路器不同的均压方式对主要部件电场... 文中设计了两种新型252 kV环保型GIS双断口真空断路器均压结构形式,采用双断口真空灭弧室每断口并联一根电容或两根电容两种不同的均压方式,通过对不同均压方式计算电场值对比分析,得出了双断口真空断路器不同的均压方式对主要部件电场的影响规律。计算结果表明:真空灭弧室并联单根电容的均压方式只会减小断口间的不均匀系数,但是对屏蔽罩和触头的电场强度降低不明显,而两根单电容串联的均压方式不仅减小断口不均匀系数且降低了真空灭弧室内悬浮屏蔽罩之间的电位差值,使电位分布更均匀,降低屏蔽罩及触头场强值,相对于并联单电容的均压方式触头最大场强值降低了25.78%。 展开更多

关键词 真空灭弧室 悬浮电位 均压电容 电场强度

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12 kV真空灭弧室绝缘结构电场分析及优化设计 被引量：3

6

作者 戴冬云 刘书泉 +2 位作者 游一民 彭振搏 习环宇 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期50-56,共7页

由于12 kV真空灭弧室工频电压老炼试验时,瓷壳内部出现局部击穿现象,需要对其内部结构进行研究,寻找一种改善灭弧室内部电位分布的绝缘优化方案。文中根据真空灭弧室的实际尺寸建立了三维电场计算模型,采用有限元计算得到了各部分的电... 由于12 kV真空灭弧室工频电压老炼试验时,瓷壳内部出现局部击穿现象,需要对其内部结构进行研究,寻找一种改善灭弧室内部电位分布的绝缘优化方案。文中根据真空灭弧室的实际尺寸建立了三维电场计算模型,采用有限元计算得到了各部分的电场分布。对真空灭弧室的动静触头和屏蔽罩的绝缘强度进行了分析,根据其计算结果,对触头片边缘圆角、半径及其开槽宽度进行了优化,并对屏蔽罩的构造进行了改进,基于该优化方案进行电场分析,最后优化后的样机通过了工频电压老炼试验验证。 展开更多

关键词 12 kV真空灭弧室 电压老炼 电场仿真 绝缘试验

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高压真空灭弧室的电场设计的新方法 被引量：23

7

作者 赵智忠 邹积岩 +1 位作者 文化宾 王政 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第6期109-112,共4页

高压真空灭弧室设计的关键是电场的设计。提出一种高压真空灭弧室电场设计的新方法。根据击穿弱点理论,确定有均压屏蔽罩的高压真空灭弧室结构,然后应用有限元法和最优化理论,推导出真空灭弧室的电场数学模型进行优化。通过求解灭弧室... 高压真空灭弧室设计的关键是电场的设计。提出一种高压真空灭弧室电场设计的新方法。根据击穿弱点理论,确定有均压屏蔽罩的高压真空灭弧室结构,然后应用有限元法和最优化理论,推导出真空灭弧室的电场数学模型进行优化。通过求解灭弧室内部的静电场定解问题,优化其内部几何参数,使灭弧室内部电场较均匀,电场强度的峰值出现在“第二辅助间隙”中。优化的参数结构提高了灭弧室的耐压能力。 展开更多

关键词 高压真空灭弧室 设计 最优化理论 有限元法 数学模型 定解问题 几何参数 内部电场 电场强度 耐压能力 参数结构 屏蔽罩 静电场 峰值

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模块化多断口真空断路器电位和电场分布研究 被引量：34

8

作者 黄道春 阮江军 +3 位作者 吴高波 徐菁 舒胜文 张坤 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期124-130,共7页

为分析基于光控模块的三断口真空断路器的静态电位分布和真空灭弧室的电场分布,建立了模块化真空断路器的三维有限元分析模型。计算了竖直型和U型布置时的三断口真空断路器电位分布,采用子模型法分析了真空灭弧室内部的电场分布,同时进... 为分析基于光控模块的三断口真空断路器的静态电位分布和真空灭弧室的电场分布,建立了模块化真空断路器的三维有限元分析模型。计算了竖直型和U型布置时的三断口真空断路器电位分布,采用子模型法分析了真空灭弧室内部的电场分布,同时进行了三断口真空断路器工频分压特性试验。计算与试验结果对比表明:两种布置方式下,高压端断口的试验与计算结果的相对误差<4.5%,三断口真空断路器的电压分布不均匀,高压端断口的分压超过60%,需配置合适的均压措施。计算和试验结果可为模块化多断口真空断路器的静态、动态绝缘特性设计,真空灭弧室的优化设计,多断口布置方式提供参考。 展开更多

关键词 模块化真空断路器 真空灭弧室 有限元法(FEM) 电位分布 电场分布 工频分压特性试验

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具有串并联结构的模块化多断口真空断路器静动态电压分布特性 被引量：20

9

作者 黄道春 阮江军 +5 位作者 吴高波 廖才波 舒胜文 张坤 普子恒 涂其华 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2011年第7期181-186,共6页

为向基于光控模块的多断口真空断路器的静态、动态绝缘特性设计提供参考,建立三维有限元分析模型,计算126 kV U型布置的三断口真空断路器的静态电位分布和真空灭弧室内部的电场分布。利用110 kV振荡型合成试验回路,进行低电压、小电流... 为向基于光控模块的多断口真空断路器的静态、动态绝缘特性设计提供参考,建立三维有限元分析模型,计算126 kV U型布置的三断口真空断路器的静态电位分布和真空灭弧室内部的电场分布。利用110 kV振荡型合成试验回路,进行低电压、小电流三断口串联断路器样机的开断试验,测量三断口的瞬态恢复电压分布。计算和试验结果表明:三断口真空断路器的静态和动态电压分布不均匀,高压端断口的静态分压超过65%,串联样机进行试验时底部可以不安装支架;高压端断口的动态分压(瞬态恢复电压峰值)超过60%,1 000 pF均压电容可以满足低电压、小电流开断均压要求,高电压、大电流开断情况需进一步验证。 展开更多

关键词 模块化真空断路器 多断口 真空灭弧室 有限元法 电位分布 电场分布 瞬态恢复电压

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采用响应面法-几何特征模拟电荷法的电场数值求解及精度验证 被引量：12

10

作者 吴其 刘晓明 +1 位作者 邹积岩 杨田 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期2060-2066,共7页

为解决模拟电荷法（charge simulation method,CSM）前处理调整工作烦冗的不足,提升高压电器电场数值计算的精度和效率,提出采用响应面法（response surface methodology,RSM）和几何特征模拟电荷法（geometric feature charge simulati... 为解决模拟电荷法（charge simulation method,CSM）前处理调整工作烦冗的不足,提升高压电器电场数值计算的精度和效率,提出采用响应面法（response surface methodology,RSM）和几何特征模拟电荷法（geometric feature charge simulation method,GFCSM）相结合的方法对高压电器进行电场数值计算。以典型电极、40.5 kV真空断路器灭弧室（vacuum interrupter,VI）和550 kV SF6断路器灭弧室作为研究对象,应用RSM-GFCSM方法求出整个场域的电场分布,研究结果表明：对球/球典型电极进行电场数值求解时,采用RSM-GFCSM方法计算所得的电场强度最大值为4.32 V/cm,同CSM相比更接近理论值;采用CSM和RSM-GFCSM方法对真空和六氟化硫断路器灭弧室分别进行电场数值求解时,通过比对电场计算误差值可以看出,RSM-GFCSM计算精度高,计算工作量小,为多重介质、复杂电器结构开域电场数值仿真模拟提供了新方法。 展开更多

关键词 几何特征模拟电荷法 真空灭弧室 SF6断路器灭弧室 电场 响应面法

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72.5kV真空灭弧室电位和电场分布研究 被引量：16

11

作者 邱志斌 黄道春 阮江军 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期36-42,共7页

为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:... 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,可以改善内部电场分布。计算结果可为高电压等级真空灭弧室的优化设计提供参考。 展开更多

关键词 真空灭弧室 电位分布 电场分布 面积效应 屏蔽罩

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两种40.5kV真空灭弧室电场和电势分布的对比研究 被引量：5

12

作者 董华军 康凯 +2 位作者 郭英杰 段文宇 郭方准 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期801-806,共6页

建立了相同型号,不同结构的两种40.5 k V真空灭弧室的轴对称模型。计算并分析了两种真空灭弧室的主屏蔽罩对换前和对换后的电场分布和电势分布,对比了不同主屏蔽罩结构下的触头表面的有效面积,并分析了主屏蔽罩内表面的电场分布曲线。... 建立了相同型号,不同结构的两种40.5 k V真空灭弧室的轴对称模型。计算并分析了两种真空灭弧室的主屏蔽罩对换前和对换后的电场分布和电势分布,对比了不同主屏蔽罩结构下的触头表面的有效面积,并分析了主屏蔽罩内表面的电场分布曲线。结果表明:型号相同的两个真空灭弧室内部电场分布及电势分布主要受到主屏蔽罩结构的影响,选择合适的主屏蔽罩结构可有效降低最大电场强度并改电场和电势分布。 展开更多

关键词 真空灭弧室 ANSYS 电场计算 电势分布 主屏蔽罩

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高压真空灭弧室内部电场分布的影响因素 被引量：19

13

作者 刘韬 马志瀛 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期136-139,共4页

为了解高电压真空灭弧室内部的电场分布情况,建立了真空灭弧室的电场数学模型。应用电场数值分析方法和有限元软件详细计算不同屏蔽罩与触头尺寸对真空灭弧室内部电场分布影响的结果表明,因高电压真空灭弧室开距较大,触头间隙不再是场... 为了解高电压真空灭弧室内部的电场分布情况,建立了真空灭弧室的电场数学模型。应用电场数值分析方法和有限元软件详细计算不同屏蔽罩与触头尺寸对真空灭弧室内部电场分布影响的结果表明,因高电压真空灭弧室开距较大,触头间隙不再是场强集中的区域,在高压真空灭弧室小型化设计过程中,除考虑电极间的绝缘外,更需考虑电极与屏蔽罩之间的绝缘。合理设计屏蔽罩的尺寸、位置和触头的形状可有效改善灭弧室内部的电场分布,提高真空灭弧室的耐压能力,从而为国内72.5kV以上电压等级真空灭弧室的研制提供了理论依据。 展开更多

关键词 真空灭弧室 高电压 模型 屏蔽罩 触头 电场分布

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基于改进模拟退火法的电器优化设计 被引量：5

14

作者 刘晓明 闻福岳 朱冬梅 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2007年第6期610-612,622,共4页

提出了一种改进的模拟退火方法.在传统模拟退火方法的基础上,通过改进随机扰动过程和温度下降过程,提高了算法的寻优效率和寻优精度.通过典型测试函数的寻优,改进模拟退火方法的有效性得到了证实.针对实际工程需要,对真空断路器灭弧室... 提出了一种改进的模拟退火方法.在传统模拟退火方法的基础上,通过改进随机扰动过程和温度下降过程,提高了算法的寻优效率和寻优精度.通过典型测试函数的寻优,改进模拟退火方法的有效性得到了证实.针对实际工程需要,对真空断路器灭弧室触头结构进行优化设计及优化结果的可视化处理,证明了改进算法的可行性和实用性.真空灭弧室的结构优化,降低了灭弧室内部最大场强值,使产品结构在工程可实现基础上得到优化. 展开更多

关键词 模拟退火法 优化 电场 真空灭弧室 逆问题

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真空中典型沿面绝缘结构的电场分析 被引量：5

15

作者 马奎 张冠军 +2 位作者 于开坤 郑楠 严璋 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期15-19,共5页

在高电压作用下,由复合绝缘介质构成的沿面绝缘结构的耐电强度远低于其绝缘材料自身的击穿场强,这一现象与其电场的分布特点密切相关。笔者针对真空中平行平板、平面和棒-板电极系统等多种典型沿面绝缘结构的电场分布进行了仿真计算,探... 在高电压作用下,由复合绝缘介质构成的沿面绝缘结构的耐电强度远低于其绝缘材料自身的击穿场强,这一现象与其电场的分布特点密切相关。笔者针对真空中平行平板、平面和棒-板电极系统等多种典型沿面绝缘结构的电场分布进行了仿真计算,探讨了电极-介质结合处的间隙、圆台形绝缘子的圆锥角角度、平面电极的高度以及绝缘子介电常数等因素对电场分布的影响。仿真结果表明,接触间隙的存在导致局部电场的加强和电场方向的变化,间隙宽度越大、高度越小,间隙处电场畸变越大;圆锥角越大,绝缘子的介电常数越大,场强畸变也越大。该分析结果有利于真空中沿面绝缘结构的设计。 展开更多

关键词 真空 沿面绝缘 电场分析 沿面闪络

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72.5kV高压真空灭弧室内部电场的优化设计 被引量：5

16

作者 王丽娜 赵智忠 +1 位作者 郭雪 毕海岩 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期19-23,共5页

高压真空灭弧室绝缘设计的关键是其内部电场分布的设计。为优化高压真空灭弧室内部的电场分布,使其内部电场强度分布均匀,建立了真空灭弧室的参数化模型。针对真空灭弧室设计工艺参数是变量的问题,利用ANSYS的有限元分析及其参数化语言... 高压真空灭弧室绝缘设计的关键是其内部电场分布的设计。为优化高压真空灭弧室内部的电场分布,使其内部电场强度分布均匀,建立了真空灭弧室的参数化模型。针对真空灭弧室设计工艺参数是变量的问题,利用ANSYS的有限元分析及其参数化语言对真空灭弧室轴向尺寸进行优化设计,通过一阶迭代方法,得到了真空灭弧室相关尺寸的优化序列及变化曲线。优化后与初始参数值相比,电场强度分布更加均匀。 展开更多

关键词 真空灭弧室 电场强度 参数化模型 有限元分析 优化设计

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基于比例差分探头的真空灭弧室真空度在线监测 被引量：10

17

作者 陈昌龙 邹积岩 《高压电器》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期124-127,共4页

采用了新型的比例差分双通道电场探头,通过监测真空灭弧室屏蔽罩电位和周期性高频脉冲电压,并将这两个测量值与实际电压值取比率,经过标定后,将该比率作为监测参数,来分析真空灭弧室真空度的变化趋势。现场试验表明,使用该探头可有效消... 采用了新型的比例差分双通道电场探头,通过监测真空灭弧室屏蔽罩电位和周期性高频脉冲电压,并将这两个测量值与实际电压值取比率,经过标定后,将该比率作为监测参数,来分析真空灭弧室真空度的变化趋势。现场试验表明,使用该探头可有效消除各相系统电压波动和灭弧室外围空间电场对测量精度的影响,实现有效测量,使用该方法的测量系统具有实际应用的价值,可完成真空灭弧室真空度在线监测任务。 展开更多

关键词 真空灭弧室 真空度 在线监测 电场探头 比例差分

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基于改进神经网络和遗传算法的真空灭弧室优化设计 被引量：13

18

作者 刘晓明 刘威 +2 位作者 李龙女 朱高嘉 姜文涛 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期359-364,共6页

提出一种基于人工神经网络和遗传算法相结合的电器电场均匀度优化设计方法,以12 kV真空灭弧室为研究对象,对其内部电场进行场影响因素分析与电极型面优化,以实现均匀场设计。建立了以悬浮屏蔽电极长度和端部型面曲率、动静触头电极端部... 提出一种基于人工神经网络和遗传算法相结合的电器电场均匀度优化设计方法,以12 kV真空灭弧室为研究对象,对其内部电场进行场影响因素分析与电极型面优化,以实现均匀场设计。建立了以悬浮屏蔽电极长度和端部型面曲率、动静触头电极端部曲率为输入变量,灭弧室内部电场均匀度为输出变量的改进神经网络模型结构;并以灭弧室内部电场均匀度为优化目标,采用遗传算法对灭弧室结构参数进行寻优,以提高灭弧室静态绝缘性能。 展开更多

关键词 真空灭弧室 电场强度 神经网络 遗传算法 优化设计

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基于电场影响域的真空灭弧室复杂网络拓扑结构研究 被引量：6

19

作者 吴其 刘晓明 杨田 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1131-1135,共5页

随着新能源技术的发展,开关电器正向高技术参数、高电压等级、大容量方向发展。真空灭弧室作为真空开关的核心,其绝缘设计分析至关重要。采用蒙特卡罗方法模拟金属蒸气和带电粒子在真空灭弧室内分布,采用电场影响域方法对含金属蒸气和... 随着新能源技术的发展,开关电器正向高技术参数、高电压等级、大容量方向发展。真空灭弧室作为真空开关的核心,其绝缘设计分析至关重要。采用蒙特卡罗方法模拟金属蒸气和带电粒子在真空灭弧室内分布,采用电场影响域方法对含金属蒸气和带电粒子的真空灭弧室本体构建复杂网络拓扑模型,计算分析网络统计特征,找到绝缘薄弱关键点。 展开更多

关键词 复杂网络 真空灭弧室 电场影响域 蒙特卡罗方法

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基于多变量优化的真空灭弧室绝缘设计 被引量：2

20

作者 刘晓明 石玉侠 黄丹宇 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2006年第3期265-268,共4页

采用ANSYS软件包对真空灭弧室内部电场进行数值计算与模拟,并对不同主屏蔽罩结构灭弧室内部电场、动静触头表面及主屏蔽罩表面电场分布进行对比分析,研究了主屏蔽罩及动静触结构对真空灭弧室电场的影响.结果表明:主屏蔽罩端部和动静触... 采用ANSYS软件包对真空灭弧室内部电场进行数值计算与模拟,并对不同主屏蔽罩结构灭弧室内部电场、动静触头表面及主屏蔽罩表面电场分布进行对比分析,研究了主屏蔽罩及动静触结构对真空灭弧室电场的影响.结果表明:主屏蔽罩端部和动静触头端部及背部是场强最大值集中处,易产生电击穿,是真空灭弧室绝缘结构优化设计的关键.通过灭弧室内部电场逆问题求解,实现了对主屏蔽罩端部和动静触头型面优化设计. 展开更多

关键词 真空灭弧室 绝缘 有限元 电场 优化

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