以浙春3号为实验材料,利用透射电镜(TEM:Transmission Electron Microscope)-X-射线能谱(EDS:Energy Dispersive X-ray),调查铝胁迫下大豆根尖铝的微区分布及耐铝性。结果表明,Al3+胁迫导致根尖细胞细胞壁不规则加厚,线粒体数量增多,核...以浙春3号为实验材料,利用透射电镜(TEM:Transmission Electron Microscope)-X-射线能谱(EDS:Energy Dispersive X-ray),调查铝胁迫下大豆根尖铝的微区分布及耐铝性。结果表明,Al3+胁迫导致根尖细胞细胞壁不规则加厚,线粒体数量增多,核膜膨胀,液泡中存在较多的电子致密沉淀物。90mgL-1Al3+处理的根尖细胞内含物完全降解消失,仅剩细胞壁。10mgL-1Al3+处理的线粒体、细胞壁和液泡电子致密沉淀物中均检测到Al;随着Al3+处理浓度的增大,各细胞器中Al的质量和原子数百分比逐渐增大。线粒体在60mgL-1和90mgL-1Al3+处理下,液泡电子致密沉淀物在90mgL-1Al3+处理下,均未被检测出Al。在60mgL-1Al3+处理下唯一一次在细胞核中检测到Al。Al3+抑制了根系生长,根系细胞中细胞壁的Al3+含量受影响最明显。P/Al在细胞壁和线粒体中的相对原子数随Al3+浓度的增大而下降。研究结果表明X-射线能谱对铝在亚显微结构上的定位是一种快速、有效的方法。铝最先积累在细胞壁上,随Al3+处理浓度增大逐渐积累于部分细胞器和细胞核中,且含量在细胞中的分布亦由外向里呈递减趋势。展开更多
文摘以浙春3号为实验材料,利用透射电镜(TEM:Transmission Electron Microscope)-X-射线能谱(EDS:Energy Dispersive X-ray),调查铝胁迫下大豆根尖铝的微区分布及耐铝性。结果表明,Al3+胁迫导致根尖细胞细胞壁不规则加厚,线粒体数量增多,核膜膨胀,液泡中存在较多的电子致密沉淀物。90mgL-1Al3+处理的根尖细胞内含物完全降解消失,仅剩细胞壁。10mgL-1Al3+处理的线粒体、细胞壁和液泡电子致密沉淀物中均检测到Al;随着Al3+处理浓度的增大,各细胞器中Al的质量和原子数百分比逐渐增大。线粒体在60mgL-1和90mgL-1Al3+处理下,液泡电子致密沉淀物在90mgL-1Al3+处理下,均未被检测出Al。在60mgL-1Al3+处理下唯一一次在细胞核中检测到Al。Al3+抑制了根系生长,根系细胞中细胞壁的Al3+含量受影响最明显。P/Al在细胞壁和线粒体中的相对原子数随Al3+浓度的增大而下降。研究结果表明X-射线能谱对铝在亚显微结构上的定位是一种快速、有效的方法。铝最先积累在细胞壁上,随Al3+处理浓度增大逐渐积累于部分细胞器和细胞核中,且含量在细胞中的分布亦由外向里呈递减趋势。
