基于GaAs PHEMT工艺,设计制作了6-18 GHz驱动放大器单片电路。电路采用三级放大器拓扑结构,＋5 V单电源供电。第一级采用负反馈电路结构,级间采用有耗匹配结构实现工作带宽。为了实现较高的工作效率,对输出级器件进行了负载牵引仿真,确...基于GaAs PHEMT工艺,设计制作了6-18 GHz驱动放大器单片电路。电路采用三级放大器拓扑结构,＋5 V单电源供电。第一级采用负反馈电路结构,级间采用有耗匹配结构实现工作带宽。为了实现较高的工作效率,对输出级器件进行了负载牵引仿真,确定了输出级器件的静态工作点和匹配结构。测试结果表明,在6-18 GHz,增益大于18 d B,输入输出回波损耗小于-10 d B,1 d B压缩点功率输出功率大于21 d Bm,饱和功率大于24 d Bm,功率附加效率大于25%,芯片尺寸为1.35 mm×1.00 mm。该电路具有频带宽、效率高、尺寸小等特点,可用于多种小型封装产品,具有广泛的应用前景。展开更多
文摘基于GaAs PHEMT工艺,设计制作了6-18 GHz驱动放大器单片电路。电路采用三级放大器拓扑结构,＋5 V单电源供电。第一级采用负反馈电路结构,级间采用有耗匹配结构实现工作带宽。为了实现较高的工作效率,对输出级器件进行了负载牵引仿真,确定了输出级器件的静态工作点和匹配结构。测试结果表明,在6-18 GHz,增益大于18 d B,输入输出回波损耗小于-10 d B,1 d B压缩点功率输出功率大于21 d Bm,饱和功率大于24 d Bm,功率附加效率大于25%,芯片尺寸为1.35 mm×1.00 mm。该电路具有频带宽、效率高、尺寸小等特点,可用于多种小型封装产品,具有广泛的应用前景。
