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Rattling效应:一种影响微波介质陶瓷谐振频率温度系数的新机制
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作者 唐莹 李洁 +4 位作者 相怀成 方维双 林慧兴 杨俊峰 方亮 《无机材料学报》 北大核心 2025年第6期656-666,共11页
微波介质陶瓷是5G/6G通信技术中关键的基础材料,具有高品质因数(Q×f)、低介电常数(εr)以及近零谐振频率温度系数(τ_(f))的材料逐渐成为研究与开发的重点。然而,绝大多数低εr材料往往具有较负的τ_(f)。本研究首先系统概述了影响... 微波介质陶瓷是5G/6G通信技术中关键的基础材料,具有高品质因数(Q×f)、低介电常数(εr)以及近零谐振频率温度系数(τ_(f))的材料逐渐成为研究与开发的重点。然而,绝大多数低εr材料往往具有较负的τ_(f)。本研究首先系统概述了影响τ_(f)的经典机制,包括离子极化率稀释机制、相变机制、晶胞体积机制、氧多面体畸变度、键能与键性以及键价等结构因素。随后,详细介绍了本团队近期在无相变立方正反石榴石体系中观察到的τ_(f)异常变化现象,提出“Rattling”效应是一种影响微波介质陶瓷τ_(f)的新机制。具有高配位数且弱化学键合的“Rattling”阳离子是影响材料整体微波介电极化和损耗的主要因素,它不仅增大离子极化率和εr,还导致τ_(f)正向偏移,同时降低Q×f。该机制在不同材料体系中得到验证与应用。本研究引入了总离子极化偏差的加权函数新概念,用于评估整个分子“Rattling”和“Compressed”效应对εr的影响,并提出了离子极化率温度系数(ταm)新概念,通过定量化计算从而将影响介电常数温度系数(τε)正负和大小的因素简化为εr、ταm和线膨胀系数αL之间的关系。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 Rattling效应 谐振频率温度系数 离子极化率温度系数 影响机制 总离子极化偏差的加权函数
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微波介质陶瓷的近期研究进展 被引量:11
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作者 肖定全 杜若昕 熊雅玲 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第1期20-23,共4页
本文综合评价了微波陶瓷的近期研究进展,并对研究最多的3个材料系统分别于以概括介绍。这3个系统是:BaO─Ln_2O_3─TiO_2(Ln=La,Nd,Sm)系,BaO─TiO_2系和AO_3(A=Ba,Sr;B’=M... 本文综合评价了微波陶瓷的近期研究进展,并对研究最多的3个材料系统分别于以概括介绍。这3个系统是:BaO─Ln_2O_3─TiO_2(Ln=La,Nd,Sm)系,BaO─TiO_2系和AO_3(A=Ba,Sr;B’=Mg,Zn;B″=Ta,Nb)系,内容包括配比、工艺、性能、应用以及预期的进展。 展开更多
关键词 研究进展 微波陶瓷 介质陶瓷 谱振器 滤波器
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闭式谐振腔法微波介质陶瓷介电常数测量 被引量:15
3
作者 王益 张翠翠 +2 位作者 王建忠 何斌 韩玉强 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期2500-2507,共8页
采用一种封闭式的圆柱形微波谐振腔,实现了微波介质陶瓷材料以及其他中低损耗材料介电常数的准确测量,通过模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场问题的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电性能之间的精确关系,对各类典型介质... 采用一种封闭式的圆柱形微波谐振腔,实现了微波介质陶瓷材料以及其他中低损耗材料介电常数的准确测量,通过模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场问题的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电性能之间的精确关系,对各类典型介质材料的测量结果以及多家比对数据表明,相比于传统方法,该方法的测量准确度更高,可达到0.1%;测量范围更宽,不仅能准确测量高介电常数的微波介质陶瓷,也适用于低介电常数的交联聚苯乙烯、聚四氟乙烯等材料,此外由于闭式腔不存在辐射损耗,金属表面电流损耗也较小,对低损耗材料的Q值测量更加准确,损耗角测量下限达10^(-6)以下。该方法适用于介电常数εr=1~100及以上,损耗角正切tanσ=1×10^(-3)~1×10^(-6)范围内各种材料介电性能的准确测量。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 闭式谐振腔 介电常数测量
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高介电常数微波介质陶瓷材料的研究现状 被引量:16
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作者 王光辉 梁小平 +1 位作者 史奕同 陆青 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期312-317,共6页
综述了微波介质陶瓷材料特性、影响因素及高介电常数微波介质陶瓷材料的发展现状,讨论了提高微波介质材料性能的途径。分别介绍三类高介电常数微波介质陶瓷的研究现状,并探讨了微波介质陶瓷今后的发展趋势。
关键词 微波陶瓷 介电常数 品质因数 谐振频率温度系数
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BaO-Nd_2O_3-Sm_2O_3-TiO_2四元系微波介质陶瓷 被引量:17
5
作者 杨传仁 叶耀红 +2 位作者 杨成韬 何进 游文南 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第2期48-51,共4页
本文研究了Bi2O3、PbO及Sm2O3对BaO-Nd2O3-TiO2(简称BNT)系陶瓷材料微波性能的影响。实验表明,在BNT系材料中掺入Bi2O3或PbO可降低材料的频率温度系数τf,但同时也使材料的tgδ增大。... 本文研究了Bi2O3、PbO及Sm2O3对BaO-Nd2O3-TiO2(简称BNT)系陶瓷材料微波性能的影响。实验表明,在BNT系材料中掺入Bi2O3或PbO可降低材料的频率温度系数τf,但同时也使材料的tgδ增大。采用Sm取代部分Nd,形成BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(简称BNST)四元系陶瓷材料,可有效降低材料的τf,改善频率温度稳定性,而不会降低材料的品质因素Q0。当Sm2O3∶Nd2O3=7∶3(mol比)时,可得到εr=80.80,tgδ=2.92×10-4(27GHz测),τf=23.63ppm/℃的高性能BNST四元系微波介质陶瓷材料。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介质谐振器 钕钛钡 钐钛钡 陶瓷
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高品质因素MgTiO_3-SrTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究 被引量:8
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作者 汪婷 李月明 +2 位作者 王竹梅 沈宗洋 洪燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期336-340,共5页
以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0~0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密... 以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0~0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。 展开更多
关键词 (1-x)MgTiO3-xSrTiO3微波陶瓷 谐振频率温度系数 微波介电性能
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截止波导介质腔介电常数测量理论与方法研究 被引量:7
7
作者 徐江峰 陈秋灵 倪尔瑚 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1322-1325,共4页
本文提出了用截止波导介质谐振腔测量微波材料相对介电常数和微波损耗的方法。利用开波导法给出了腔中TE0ml谐振模的电磁场,导出了利用此模测量介电常数和微波损耗的公式;通过测量频率和谐振曲线,就能算出材料的复介电常数,并对谐振模TE... 本文提出了用截止波导介质谐振腔测量微波材料相对介电常数和微波损耗的方法。利用开波导法给出了腔中TE0ml谐振模的电磁场,导出了利用此模测量介电常数和微波损耗的公式;通过测量频率和谐振曲线,就能算出材料的复介电常数,并对谐振模TE0ml进行了讨论;比较了这种测量方法与原有的短路金属板介质谐振腔法的优劣,结果表明采用截止波导介质谐振腔测量材料的微波损耗时更有优越性。 展开更多
关键词 介电常数 介质谐振腔 截止波导 微波陶瓷材料
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低温共烧陶瓷片式微波谐振器的研究 被引量:2
8
作者 丁士华 姚熹 +1 位作者 张良莹 楼旭东 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1024-1026,共3页
介绍了低温共烧陶瓷片式微波谐振器的工艺过程、结构以及结构对谐振器参数的影响 ,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙在同一层内实现 ,这种新结构既可给制备工艺带来方便 ,又可减少工艺所带来的误差 .用多层陶瓷工艺技术、高介电常数和... 介绍了低温共烧陶瓷片式微波谐振器的工艺过程、结构以及结构对谐振器参数的影响 ,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙在同一层内实现 ,这种新结构既可给制备工艺带来方便 ,又可减少工艺所带来的误差 .用多层陶瓷工艺技术、高介电常数和低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为 1.8GHz、有载品质因数大于 2 0 0的试验单端口多层微波谐振器 .微波谐振器的体积小 ,整个谐振器的尺寸为 5mm× 2mm× 1mm ,适用于表面贴装技术 . 展开更多
关键词 微波谐振器 微波陶瓷 低温烧结 带状线 品质因数
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Al_2O_3陶瓷微波介电性能的研究与进展 被引量:8
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作者 千粉玲 谢志鹏 +1 位作者 孙加林 王峰 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2012年第4期519-527,共9页
近年来随着微波通讯技术与微波集成电路(microwave integratecircuits,MICs)的发展,用于移动通讯、智能运输系统(Intelligent transport system,ITS)、GPS天线的低介电常数低介电损耗的微波介质陶瓷引起了广泛的关注,其中最具代表性的即... 近年来随着微波通讯技术与微波集成电路(microwave integratecircuits,MICs)的发展,用于移动通讯、智能运输系统(Intelligent transport system,ITS)、GPS天线的低介电常数低介电损耗的微波介质陶瓷引起了广泛的关注,其中最具代表性的即为Al2O3陶瓷。本文总结了近几年Al2O3陶瓷微波介电性能的研究情况,系统介绍了Al2O3陶瓷微波介电性能的影响因素和目前研究的Al2O3陶瓷体系,希望对于研究AlO陶瓷的微波介电性能提供有益的参考,使其在微波通讯等方面得到更广泛的应用。 展开更多
关键词 AL2O3陶瓷 微波介电性能 谐振频率温度系数(τf)
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H_3BO_3或SiO_2掺杂对CTLA陶瓷微波介电性能的影响 被引量:3
10
作者 刘林 方有维 +3 位作者 庄文东 唐斌 周晓华 张树人 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期763-767,共5页
研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02%~2.00%)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3... 研究了H3BO3或SiO2掺杂(质量分数为0.02%~2.00%)对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度、晶体结构及微波介电性能的影响。结果表明,微量的H3BO3或SiO2掺杂可使0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的烧结温度从1 380℃降至1 340℃,2.00%以内的H3BO3或SiO2掺杂不会改变陶瓷的物相组成。在H3BO3掺杂质量分数为2.00%时,样品的微观形貌发生了很大的改变,烧成的陶瓷稀疏多孔,密度急剧下降。研究表明,H3BO3或SiO2掺杂对0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的介电常数εr及谐振频率温度系数τf没有很大的影响,但降低了陶瓷的品质因数Q。当质量分数为0.02%时,H3BO3或SiO2掺杂后的0.61CaTiO3-0.39LaAlO3陶瓷的微波介电性能最佳:H3BO3掺杂的陶瓷样品的εr=41.65,品质因数与频率之积Q×f=48 565GHz,τf≈-1μ℃-1;SiO2掺杂的陶瓷样品的εr=41.48,Q×f=39 491GHz,τf≈-1μ℃-1。 展开更多
关键词 腔体滤波器 微波介质陶瓷 频率温度系数 CATIO3 LAALO3
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微波介质陶瓷材料研究进展 被引量:6
11
作者 吴海涛 赵丽萍 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2016年第3期177-183,共7页
综述不同εr微波介质陶瓷的种类,即M2Si O2(M=Mg,Zn)、Al2O3和AB2O4等低εr微波介质陶瓷,Ba O-Ti O2-Nb2O5、(Zr,Sn)Ti O4和MTiO3-Ln Al O3(M=Ba,Ca,Sr;Ln=La,Nd,Sm)等中εr微波介质陶瓷,Ba O-Ln2O3-Ti O2、Ca OLi2O-Ln2O3-Ti O2和铅基... 综述不同εr微波介质陶瓷的种类,即M2Si O2(M=Mg,Zn)、Al2O3和AB2O4等低εr微波介质陶瓷,Ba O-Ti O2-Nb2O5、(Zr,Sn)Ti O4和MTiO3-Ln Al O3(M=Ba,Ca,Sr;Ln=La,Nd,Sm)等中εr微波介质陶瓷,Ba O-Ln2O3-Ti O2、Ca OLi2O-Ln2O3-Ti O2和铅基钙钛矿等高εr微波介质陶瓷。分别介绍微波介质陶瓷的晶体结构、介电性能及其不足与改进情况;概括微波介质陶瓷制备方法,即传统固相法和熔盐法2种固相法,共沉淀法、水热法和溶胶-凝胶法3种湿化学法,分别介绍其特点和发展状况。提出应进一步研究微波介电性能与晶体结构、缺陷、极化、化学键等机理的联系,应采用新的工艺改善材料结构和组成,以提高材料的微波介电性能。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电常数 介电性能 晶体结构
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片式多层陶瓷微波谐振器 被引量:1
12
作者 丁士华 姚熹 +1 位作者 张良莹 楼旭东 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期280-282,共3页
介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,... 介绍了片式陶瓷微波谐振器的工艺过程、谐振器的结构以及结构对谐振器参数的影响,谐振器与外电路的耦合采用耦合间隙的方法与谐振单元在同一层内实现,这种新结构既可给制备工艺带来方便,又可减少工艺所带来的误差。用多层陶瓷工艺技术,用高介电常数、低温烧结微波陶瓷实现了中心频率为1GHz,有载品质因数大于80的试验双端口多层微波谐振器。微波谐振器体积小,整个谐振器的尺寸为7mm×2mm×1mm,适用于表面贴装技术。 展开更多
关键词 低温烧结 微波陶瓷 微波谐振器
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添加TiO_2对Mg_4Nb_2O_9陶瓷的结构与性能的影响 被引量:1
13
作者 苏未安 刘鹏 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期52-57,共6页
Mg4Nb2O9具有与α-Al2O3相同的刚玉型晶体结构,可望成为新一代高Q、低ε基板材料。然而,该材料却具有很大的负谐振频率温度系数(τf=-7.05×10-5/℃),期望通过添加TiO2(τf=4.50×10-4/℃)以达到调整的目的。适量的添加TiO2将Mg... Mg4Nb2O9具有与α-Al2O3相同的刚玉型晶体结构,可望成为新一代高Q、低ε基板材料。然而,该材料却具有很大的负谐振频率温度系数(τf=-7.05×10-5/℃),期望通过添加TiO2(τf=4.50×10-4/℃)以达到调整的目的。适量的添加TiO2将Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度降低了约100℃,并增强了陶瓷的性能,微波介电性能与其密度呈线性关系。由于添加的TiO2与Mg5Nb4O15反应形成了(Ng,Ti)5(Nb,Ti)4O15第二相,使得TiO2对该陶瓷τf值的调整作用不显著。1300℃、5h烧结添加质量分数为2.5%的TiO2的Mg4Nb2O9陶瓷具有最佳的性能:εr=13.61,Q·f=196620GHz,τf=-5.04×10-5/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 Mg4Nb2O9
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介质谐振器材料及其应用 被引量:1
14
作者 倪尔瑚 《材料科学与工程》 CSCD 1993年第2期15-20,共6页
本文简要介绍自1970年以来得到重大发展的微波介质谐振器陶瓷,指出某些基本规律、特性及研究发展动向,也讨论了材料特征电参数间的相互依存关系。最后举例说明介质谐振器在蜂巢式便携电话中的双工器及稳频振荡器方面的应用。
关键词 微波 电介质 谐振器 材料 通信
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高性能1890MHz圆环形介质谐振器设计与制造
15
作者 吴坚强 郭慧锋 +3 位作者 李扬杰 万飞 朱磊 张晓宇 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期73-76,共4页
讨论了TE011谐振模式的圆环状介质谐振器的研究过程。固定MnCO3添加量为质量分数0.4%,考察了NiO改性剂对0.76ZrTi2O6-0.24ZnNb2O6微波陶瓷介电性能的影响,当W(NiO)为0.4%时,可得到Q值大于4400(10 GHz),εr为43,τf小于3×10-6/℃的... 讨论了TE011谐振模式的圆环状介质谐振器的研究过程。固定MnCO3添加量为质量分数0.4%,考察了NiO改性剂对0.76ZrTi2O6-0.24ZnNb2O6微波陶瓷介电性能的影响,当W(NiO)为0.4%时,可得到Q值大于4400(10 GHz),εr为43,τf小于3×10-6/℃的瓷料。以该瓷料为原料制作谐振器,研究了制作工艺和孔径尺寸对谐振器性能的影响。发现适当的干压成型压力有利于提高谐振器Q值。获得了谐振频率为1890 MHz的高功率、高Q值、小体积的圆环形谐振器,能满足设计要求。 展开更多
关键词 圆环形介质谐振器 微波陶瓷 谐振模式 介电性能
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Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.8)Sn_(0.2)]O_(3-δ)-xTiO_2陶瓷的微波介电特性
16
作者 熊钢 周东祥 李忠明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第16期66-67,共2页
研究了Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.8)Sn_(0.2)]O_(3-δ)-xTiO_2(0≤x≤0.2)陶瓷的微观结构及微波介电特性。当0≤x≤10%(摩尔分数,下同)时,体系为单一钙钛矿相。随Ti4+含量的增加,B位1:2有序度下降,品质因素减小,谐振频率温度系数先由-22... 研究了Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.8)Sn_(0.2)]O_(3-δ)-xTiO_2(0≤x≤0.2)陶瓷的微观结构及微波介电特性。当0≤x≤10%(摩尔分数,下同)时,体系为单一钙钛矿相。随Ti4+含量的增加,B位1:2有序度下降,品质因素减小,谐振频率温度系数先由-22.6×10-6/℃增加到-11.1×10-6/℃,然后向负值方向移动。当Ti4+含量为10%时,陶瓷微波介电性能最佳:εr=29.3,Qf=2684GHz,τf=-11.1×10-6/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电常数 品质因素 谐振频率温度系数
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Li2Mg2.95M0.05TiO6(M=Mg,Zn,Co,Ca)型微波介质陶瓷介电性能研究
17
作者 李玉平 郭爱芬 +1 位作者 高应霞 陈功田 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期79-84,共6页
采用一步法制备了Li2Mg2.95M0.05TiO6(M为Mg,Zn,Co,Ca)型微波介质陶瓷,讨论了掺杂离子种类对陶瓷烧结行为、组成、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明:所得陶瓷样品的主晶相为Li2Mg3TiO6,掺加Mg^2+的样品有少量Mg2TiO4杂质相;掺加Ca... 采用一步法制备了Li2Mg2.95M0.05TiO6(M为Mg,Zn,Co,Ca)型微波介质陶瓷,讨论了掺杂离子种类对陶瓷烧结行为、组成、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明:所得陶瓷样品的主晶相为Li2Mg3TiO6,掺加Mg^2+的样品有少量Mg2TiO4杂质相;掺加Ca^2+的样品可形成介电常数(εr)高达170,温度系数(τf)达+800×10^-6/℃且能够与主晶相共存形成稳定复合体系的CaTiO3;掺Ca^2+的样品在1370℃保温6 h,可得到介电常数(εr)为16.7,品质因数(Q×f)为83900 GHz,谐振温度系数(τf)接近于0×10^-6/℃的最佳介电性能的样品. 展开更多
关键词 离子掺杂 微波介质陶瓷 介电常数 品质因素 谐振温度系数
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温度稳定型超低损耗Mg(Zr_(0.05)Ti_(0.95))O_3微波介质陶瓷的研制
18
作者 余洪滔 薛小梅 徐光亮 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2012年第9期12-15,共4页
为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着S... 为了提高具有超低损耗Mg(Zr0.05Ti0.95)O3陶瓷的温度稳定型,采用Sr2+掺杂来对其进行改性研究。采用传统固相法制备了摩尔比Mg∶Sr∶Zr∶Ti∶O=1-x∶x∶0.05∶0.95∶3(x=0、0.03、0.05和0.07)陶瓷,利用XRD和SEM分析其结构和相组成。随着Sr含量的增加,陶瓷中出现了SrTiO3相,起到了补偿Mg(Zr0.05Ti0.95)O3温度系数的作用。当Mg∶Sr=0.95∶0.05,1390℃烧结4小时的陶瓷一个近零的温度系数(2.1ppm/℃),高的品质因子(207000)以及一个高的介电常数(20.9)。该陶瓷有望应用现代微波领域。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 谐振频率温度系数 MGTIO3
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(1-x)(Mg(0.9)Co(0.1))TiO3-x(Ca(0.61)La(0.26))TiO3陶瓷的微波介电性能(英文)
19
作者 刘昊 沈春英 +1 位作者 卢正东 丘泰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期664-668,共5页
研究了(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MCT-CLT)体系陶瓷的微波介电性能.目的是通过(Ca0.61La0.26)TiO3(CLT)协调(Mg0.9Co0.1)TiO3(MCT)陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结... 研究了(1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3(MCT-CLT)体系陶瓷的微波介电性能.目的是通过(Ca0.61La0.26)TiO3(CLT)协调(Mg0.9Co0.1)TiO3(MCT)陶瓷的谐振频率温度系数.实验发现,烧结温度和陶瓷组成对微波介电性能影响显著,当烧结温度为1300℃时,可以获得良好的致密度,当烧结温度超过1300℃时,陶瓷致密度和介电性能下降.此外,随着CLT含量的增加,材料的介电常数增大,品质因数减小.当CLT含量为13%,烧结温度为1300℃,保温2h,(MCCLT)陶瓷具有优良微波介电性能,εr=22.4,Q×f=35000 GHz,τf=-8.7×10-6/℃,从而达到实用要求. 展开更多
关键词 (1-x)(Mg0.9Co0.1)TiO3-x(Ca0.61La0.26)TiO3陶瓷 微波介质陶瓷 介电常数 品质因数 谐振频率温度系数
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Ti^(4+)取代对Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.95)Zr_(0.15-x)Ti_x]O_(3+δ)陶瓷微波介电特性及晶体结构的影响
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作者 熊钢 周东祥 李忠明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期814-817,共4页
研究了B位Ti4+取代对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ(0.0≤x≤0.15,CLNZT)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响。当0≤x≤15mol%时,体系为单一钙钛矿相,随Ti4+含量的增加,谐振频率温度系数由-9.4ppm/℃减小到-15.8ppm/℃,而品质... 研究了B位Ti4+取代对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ(0.0≤x≤0.15,CLNZT)陶瓷的微观结构及微波介电特性的影响。当0≤x≤15mol%时,体系为单一钙钛矿相,随Ti4+含量的增加,谐振频率温度系数由-9.4ppm/℃减小到-15.8ppm/℃,而品质因素先增大,x=0.1时,开始下降。分析了谐振频率温度系数(τf)随容忍因子(t)的变化关系。当Ti4+含量为10mol%时,陶瓷微波介电性能为:εr=32.8,Qf=16570GHz,τf=-13.6ppm/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电常数 品质因素 谐振频率温度系数 容忍因子
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