模压成型压力对氧化铟锡(ITO)靶材性能影响研究

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作者 姜峰 谭泽旦 +5 位作者 黄誓成 方志杰 陆映东 覃立仁 王永清 曾纪术 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2024年第1期134-137,142,共5页

以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对... 以化学共沉淀-煅烧法制备的纳米ITO粉体为原料,通过模压、冷等静压成型,采用常压烧结法制备了ITO靶材,研究了模压成型压力对ITO靶材相对密度、电阻率和晶粒尺寸的影响。结果表明,模压成型压力60 MPa且烧结条件适宜时,制得的ITO靶材相对密度为99.81%、电阻率为1.707×10^(-4)Ω·cm、平均晶粒尺寸为7.62μm。研究结果可为ITO靶材的致密化与大型化生产提供借鉴。 展开更多

关键词 模压成型 氧化铟锡 导电薄膜 靶材 常压烧结 电阻率 致密化

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ITO薄膜微结构对其光电性质的影响 被引量：8

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作者 曾明刚 陈松岩 +3 位作者 陈谋智 王水菊 林爱清 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页

采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因,为研制新型光电器件的透明电极提供了参考. 展开更多

关键词 ito薄膜 微结构 光电性质 磁控溅射 掺锡氧化铟薄膜 电导率 透射率

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柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究 被引量：12

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作者 郝雷 刁训刚 +3 位作者 胡小草 张鲁豫 郝维昌 王天民 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期256-260,共5页

在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨... 在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PET)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PET表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。 展开更多

关键词 ito膜 直流磁控溅射 光电性能 红外发射率

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室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究 被引量：8

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作者 纪安妮 孙书农 +1 位作者 柳兆洪 刘瑞堂 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期221-224,共4页

报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．

关键词 磁控溅射 ito薄膜 晶体结构 结晶形貌 扫描电镜

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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究 被引量：15

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作者 陶海华 姚宁 +2 位作者 辛荣生 边超 张兵临 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 2003年第4期37-40,共4页

论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的... 论述了高温直流磁控反应溅射法制备ITO透明导电薄膜时氧分压、溅射气压和溅射电流等参数对其光电特性的影响 .当氧分压、溅射气压和溅射电流过高或过低时 ,会导致金属In ,InO ,SnO和Sn3 O4等物质以及晶体缺陷的生成 ,从而降低ITO薄膜的导电性或可见光透过率 ,甚至同时降低其光电性能 .实验结果表明 ,当Ar流量为 4 0 2cm3 ·min-1、温度为 36 0℃和旋转溅射时间为 90min等参数保持不变时 ,ITO薄膜光电特性最佳溅射参数的氧流量为 0 4 2cm3 ·min-1,溅射气压为 0 5Pa ,溅射电流 0 3A(溅射电压约为 2 4 5V ) ,所得薄膜的方块电阻为 5 7Ω、波长为 5 5 0nm的绿光透过率达到 88 6 % (洁净玻璃基底的绿光透光率为 91 6 % ) . 展开更多

关键词 ito透明导电薄膜 制备 光电特性 直流磁控反应溅射法 透过率 氧化铟锡

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磁控溅射低阻ITO薄膜的气体参数优化 被引量：9

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作者 王军 成建波 +2 位作者 饶海波 蒋亚东 杨刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期115-117,共3页

用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随... 用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比(V(Ar):V(O2),体积比)下制备铟锡氧化物(ITO)薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率,得到不同沉积气压和V(Ar):V(O2)对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射(XRD)测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大,随氧气比例增加薄膜(400)晶向消失。优化参数为气压266.664 mPa,V(Ar):V(O2)=15:0,制备的ITO薄膜方阻为22Ω/□,在可见光区域平均透过率为85%。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 直流磁控溅射 沉积气压 流量比

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膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响 被引量：6

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作者 罗远晟 陈松林 +4 位作者 马平 蒲云体 朱基亮 朱建国 肖定全 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1024-1026,共3页

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表... 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响。试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 磁控溅射 薄膜厚度

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磁控溅射ITO薄膜的退火处理 被引量：4

8

作者 王军 成建波 +4 位作者 陈文彬 杨刚 蒋亚东 蒋泉 杨健君 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期264-266,共3页

采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退... 采用直流磁控溅射方法在室温下玻璃基板上制备ITO（Indium tin oxide）薄膜，并在真空中不同温度（100℃-400℃）下退火处理。研究了退火对薄膜表面形貌、电光特性的影响。XRD测试发现薄膜在200℃退火后结晶，优选晶向为（222）。随退火温度升高，方块电阻迅速下降，表面更加平整，薄膜在可见光范围平均透过率提高到85％。 展开更多

关键词 薄膜 氧化铟锡(ito) 退火 直流磁控溅射 方阻

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ITO导电薄膜表面缺陷的图像特征分析 被引量：3

9

作者 胡海兵 薛源 +1 位作者 徐挺 金施群 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2017年第A01期198-200,210,共4页

针对ITO导电薄膜缺陷人工分类效率较低的问题,提出了一种基于灰度差分统计法、灰度共生矩阵法和矩描述法的缺陷特征分析方法。首先,通过灰度差分统计对比得出各缺陷的熵值,利用熵值进行一次分类;其次,通过灰度共生矩阵,提取了二阶矩、... 针对ITO导电薄膜缺陷人工分类效率较低的问题,提出了一种基于灰度差分统计法、灰度共生矩阵法和矩描述法的缺陷特征分析方法。首先,通过灰度差分统计对比得出各缺陷的熵值,利用熵值进行一次分类;其次,通过灰度共生矩阵,提取了二阶矩、对比度和相关性的数值,通过这三个数值分别设置阈值并对图表进行分析完成对5种缺陷的分类;最后,根据矩描述的特性并通过实验对矩方法的可行性进行了分析。实验中,取熵值的阈值为0.5,二阶矩的阈值为230,对比度的阈值为140,相关性的阈值为22,通过这四个参数的阈值可以达到将5种缺陷分类的效果。实验结果表明,基于灰度差分统计法和灰度共生矩阵法的分类方法可以更有效地完成缺陷分类。 展开更多

关键词 ito导电薄膜 灰度差分统计 灰度共生矩阵 矩 阈值

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氧分压与沉积速率对ITO薄膜性能的影响 被引量：1

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作者 郭战营 许安涛 +1 位作者 张庆丰 郜小勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期226-230,共5页

本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响。研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势... 本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响。研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势。对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善。 展开更多

关键词 ito薄膜 电子束蒸发 性能 禁带宽度

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空间太阳电池玻璃盖板表面超薄ITO防静电层的设计及制备工艺

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作者 金鹤 周灵平 +3 位作者 朱家俊 符立才 杨武霖 李德意 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第17期158-162,共5页

ITO/MgF2复合薄膜既具有较好的表面导电性能又具有较高的透过率,可应用于空间太阳电池玻璃盖板表面。文章主要对ITO/MgF2复合薄膜中表层的超薄ITO薄膜进行了研究。利用TFCalc软件模拟了ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光学性能的影响,根... ITO/MgF2复合薄膜既具有较好的表面导电性能又具有较高的透过率,可应用于空间太阳电池玻璃盖板表面。文章主要对ITO/MgF2复合薄膜中表层的超薄ITO薄膜进行了研究。利用TFCalc软件模拟了ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光学性能的影响,根据模拟结果采用电子束蒸发法在衬底上依次沉积MgF2薄膜和氧化铟锡(ITO)薄膜,研究了ITO薄膜工艺参数(沉积速率、沉积温度和工作气压)和ITO薄膜厚度对ITO/MgF2复合薄膜光电性能及微观结构的影响。当ITO薄膜沉积速率为0.05nm/s、沉积温度为400℃、工作气压为2.3×10^(-2) Pa、厚度为10nm时,表层ITO薄膜基本连续,其方块电阻(1.94kΩ/)已符合设计需求,ITO/MgF2复合薄膜在可见光区间(400~800nm)的平均透过率达到89.00%。 展开更多

关键词 氧化铟锡(ito)薄膜 防静电 空间太阳电池 MgF2薄膜 电子束蒸发 玻璃盖板

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p-GaN与ITO欧姆接触的研究

12

作者 甄珍珍 杨瑞霞 王静辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期371-374,389,共5页

针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电... 针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件。将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度。将ITO薄膜应用于218μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW。 展开更多

关键词 氧化铟锡 透明导电薄膜 p型氮化镓 欧姆接触 发光二极管

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ITO/Al复合透明导电薄膜对紫外LED光电性能的提升 被引量：2

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作者 王雪 崔志勇 +5 位作者 王兵 薛建凯 张向鹏 段瑞飞 曾一平 李晋闽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第9期680-684,共5页

通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜... 通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率。结果表明,在ITO薄膜上蒸镀2 nm厚的Al层,经550℃退火后,金属Al在ITO薄膜上形成粒径约为10 nm的颗粒,增加了薄膜表面的粗糙度,得到的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段透过率的综合性能最佳,在360~410 nm波长的平均透过率大于95%,且方块电阻为22.8Ω/□。采用ITO/Al(100 nm/2 nm)复合透明导电薄膜制备了390 nm紫外发光二极管(LED)芯片(尺寸为325μm×275μm),与用ITO薄膜制备的LED芯片相比,其光电转换效率提升了约3%,饱和电流提升了15.00%,饱和光功率提升了15.04%。研究结果表明,采用ITO/Al复合透明导电薄膜可有效提升紫外LED的光电性能。 展开更多

关键词 氧化铟锡(ito) ito/Al 透明导电膜 紫外发光二极管(LED) 光电性能

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氮气体积分数对ITO上制备InN薄膜物理特性的影响

14

作者 张子旭 王婉君 +4 位作者 樊义棒 高薇 耿柏琳 王辉 赵洋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期764-769,共6页

采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)... 采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)面择优生长逐渐变为沿(002)面择优生长。原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,InN薄膜表面粗糙度逐渐减小。此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100%时制备的InN薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV。霍尔测试结果表明,InN薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm2·V-1·s-1增加至12.2 cm2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498×1021 cm-3减小至2.041×1021 cm-3,电阻率由16.08×10-4Ω·cm减小至2.118×10-4Ω·cm。该研究为InN在高效太阳电池及发光器件领域的应用提供有益的参考。 展开更多

关键词 磁控溅射 INN薄膜 氮气体积分数 氧化铟锡(ito) 物理特性

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乙酰丙酮铟的制备及影响因素 被引量：2

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作者 周健 李新华 王智文 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期76-77,85,共3页

介绍了ITO薄膜重要原料乙酰丙酮铟的制备方法,乙酰丙酮铟一次合成产率99·8%,产品纯度99·95%。

关键词 ito薄膜 乙酰丙酮铟 制备

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乙酰丙酮铟的制备 被引量：1

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作者 周健 赖君荣 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第6期84-86,共3页

介绍ITO薄膜重要原料乙酰丙酮铟的制备方法,制备条件:有机多元酸浓度8.2×10-2mol/L,乙酰丙酮0.5mol/L,pH值为9.1,制得的乙酰丙酮铟一次合成产率99.8%,产品纯度99.95%.实验添加有机多元酸与锢络合物作为合成反应的中间体,解决了铟... 介绍ITO薄膜重要原料乙酰丙酮铟的制备方法,制备条件:有机多元酸浓度8.2×10-2mol/L,乙酰丙酮0.5mol/L,pH值为9.1,制得的乙酰丙酮铟一次合成产率99.8%,产品纯度99.95%.实验添加有机多元酸与锢络合物作为合成反应的中间体,解决了铟盐水解对合成反应的有害影响. 展开更多

关键词 ito薄膜 乙酰丙酮铟 制备

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