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热压烧结增强Ca_3Co_4O_9多晶的c轴择优织构和电输运性质的研究 被引量:3
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作者 宋世金 虞澜 +3 位作者 傅佳 陈琪 邱兴煌 钟毅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期5-8,共4页
分别采用常压固相反应和进一步的真空热压烧结法制备了Ca_3Co_4O_9多晶块材,通过XRD、SEM、致密度、电阻率-温度曲线、霍尔效应测试,对比研究了热压烧结对多晶织构和电输运性质的影响。结果表明两种方法制备的多晶样品均为c轴择优,经热... 分别采用常压固相反应和进一步的真空热压烧结法制备了Ca_3Co_4O_9多晶块材,通过XRD、SEM、致密度、电阻率-温度曲线、霍尔效应测试,对比研究了热压烧结对多晶织构和电输运性质的影响。结果表明两种方法制备的多晶样品均为c轴择优,经热压烧结后多晶的择优织构显著增强,致密度增大,但真空烧结使样品中氧的化学计量比不足,结晶质量略有下降。热压烧结后多晶的面内电阻率显著下降,其室温电阻率约为常压烧结样品的1/7,且电阻率随温度的降低而增大,这主要是由于热压样品晶粒沿(00l)择优排列显著增强,使沿材料ab面内的电输运占优,且晶界和缺陷散射减弱使Co^(4+)载流子迁移率增大。 展开更多
关键词 ca3co4O9多晶 热压烧结 c轴择优 电输运
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退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响 被引量:1
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作者 谢学武 廖源 +2 位作者 张五堂 余庆选 傅竹西 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期221-226,共6页
利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退... 利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响。实验发现采用此种方法在650℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375℃左右从非晶转向结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量。 展开更多
关键词 材料 溶胶凝胶法 ZNO薄膜 c轴择优取向 退火
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Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷的电传导及各向异性 被引量:1
3
作者 孟佳源 李毅 +4 位作者 赵裕春 武浩荣 汪雪松 骆婉君 虞澜 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期163-169,共7页
采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,... 采用固相反应法制备了具有c轴择优的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)(x=0、0.005、0.010、0.020、0.030、0.040、0.050)系列多晶,分别从垂直和平行于压力的宏观面内方向和厚度方向研究Mg掺杂对CuCrO_(2)多晶微结构取向和电性能及各向异性的影响,探讨了Mg掺杂增强CuCrO_(2)陶瓷电导率各向异性的机制。当x≤0.030时,多晶为菱方R3m单相结构,随着掺杂量的增加,晶粒在面内充分长大,气孔和晶界减少,致密度逐渐提高,多晶呈现热激活半导体电输运行为;当x=0.030时,面内取向因子F((00l))达到最高值0.912,面内c轴择优取向远优于厚度方向,面内和厚度方向的CuCr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶室温电阻率分别显著下降至1.80×10^(-3)和3.16×10^(-3)Ω·m,这是由于其结构各向异性的差异,热激活能均减小至0.03 eV,c轴择优取向对热激活能影响并不明显,最大载流子浓度比母相均增加3个量级,晶界缺陷更少,平均自由程增大,输运能力更强,电导率更高。实验表明最优掺杂量为x=0.030,当掺杂量x高于0.030时,出现MgCr_(2)O_(4)尖晶石杂相,样品的微观结构和电输运性能变差。 展开更多
关键词 c轴择优 cucr_(1-x)Mg_(x)O_(2)多晶 各向异性 电阻率 晶界缺陷 电输运
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溶胶-凝胶法生长(002)高度择优取向的ZnO∶Al薄膜 被引量:6
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作者 尹玉刚 沈鸿烈 +2 位作者 楼晓波 李斌斌 高超 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1122-1124,1127,共4页
采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO∶Al薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分别对薄膜结构和形貌进行了表征,用紫外-可见透射光谱和四探针研究了薄膜的光电性能。结果表明:制备的ZnO∶Al薄膜为六角纤... 采用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了高度择优取向的ZnO∶Al薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分别对薄膜结构和形貌进行了表征,用紫外-可见透射光谱和四探针研究了薄膜的光电性能。结果表明:制备的ZnO∶Al薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的c轴择优取向;Al离子的掺杂浓度和退火温度对薄膜的结构、光电性能有一定的影响,薄膜在可见光区的光透过率为80%~95%;Al的掺杂浓度为1%样品在600℃下空气中退火1h后,薄膜最低的电阻率为7.5×10-2Ω.cm。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 c轴择优取向 溶胶-凝胶法 光透过率
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AlN薄膜体声波谐振器的制备与性能分析 被引量:6
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作者 张凯 顾豪爽 +2 位作者 李位勇 胡光 胡明哲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第1期4-5,共2页
采用直流磁控反应溅射,在Pt电极上沉积了AlN压电薄膜,并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试表明,制备出的AlN薄膜具有高c轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面;用... 采用直流磁控反应溅射,在Pt电极上沉积了AlN压电薄膜,并制备了以SiO2为声反射层的体声波谐振器。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微镜(AFM)测试表明,制备出的AlN薄膜具有高c轴择优取向、良好的柱状晶结构以及平滑的表面;用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为1.22 GHz1、.254 GHz,机电耦合系数为6.68%,带宽20 MHz。 展开更多
关键词 磁控溅射 氮化铝薄膜 c轴择优取向 薄膜体声波谐振器
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溶胶-凝胶法制备掺铝氧化锌薄膜 被引量:10
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作者 韦美琴 张光胜 姚文杰 《表面技术》 EI CAS CSCD 2007年第4期34-36,共3页
采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密。... 采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了掺铝氧化锌薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的组织结构和形貌进行了表征,结果表明:用溶胶-凝胶法制得的掺铝氧化锌薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长,表面均匀、致密。通过紫外-可见透射光谱(UV)和标准四探针法对薄膜的光电性能进行了研究。试验发现,当铝离子掺杂浓度为4%(摩尔分数)、溶胶物质的量浓度为0.6mol/L、前处理温度为300℃时,薄膜在可见光区的透过率超过80%,且具有较好的导电性,电阻率为8.0×10-4Ω.cm。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 铝离子掺杂 c轴择优取向 光电性能 氧化锌薄膜
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中频直流磁控反应溅射法制备掺铝氧化锌薄膜的研究 被引量:5
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作者 林清耿 郜小勇 +1 位作者 刘玉芬 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期566-569,共4页
利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(0... 利用中频直流磁控反应溅射法(MF-DC-MS)在玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、四探针法和分光光度计深入研究了衬底温度对AZO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。研究结果表明3h的沉积使AZO薄膜丧失了(002)c轴择优取向。随着衬底温度由210℃升高到270℃,AZO薄膜的电阻率从7.5×10-3Ω.cm降低到2.5×10-3Ω.cm。高于270℃后,电阻率又略有升高。电阻率的变化趋势可从薄膜微观结构的角度得到合理解释。随着衬底温度的升高,AZO薄膜的吸收边先发生了蓝移。高于270℃后,又发生了红移。利用Burstein-Moss效应分析了AZO薄膜吸收边的蓝移和红移。该结果和电阻率的结果相印证。 展开更多
关键词 中频直流反应磁控溅射 掺铝氧化锌薄膜 c轴择优取向 吸收边
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金刚石高频SAW器件中关键材料的制备研究 被引量:1
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作者 刘健敏 夏义本 +3 位作者 王林军 阮建锋 苏青峰 史伟民 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第6期627-629,共3页
采用热丝化学气相沉积(CVD)法制备了自支撑金刚石膜,再通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜上。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)测试自支撑金刚石膜的表面形貌,结果表明,自支撑金刚石膜的成核面非常... 采用热丝化学气相沉积(CVD)法制备了自支撑金刚石膜,再通过射频磁控溅射法沉积氧化锌薄膜在自支撑金刚石膜上。通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)测试自支撑金刚石膜的表面形貌,结果表明,自支撑金刚石膜的成核面非常光滑,粗糙度约为10 nm;拉曼光谱显示成核面在1 333 cm-1附近有尖锐的散射峰,与金刚石的sp3键相对应,非金刚石相含量很少;X-射线衍射分析(XRD)显示,沉积在自支撑金刚石膜上的氧化锌薄膜为高度的c轴择优取向生长。 展开更多
关键词 自支撑金刚石膜 表面粗糙度 氧化锌薄膜 c轴择优取向
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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其性能研究 被引量:1
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作者 赵海丽 许启明 窦卫红 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期50-51,共2页
使用溶胶-凝胶法在P型Si(100)衬底上成功地制备了具有c轴择优取向性和高可见光透射率的多晶ZnO薄膜。通过XRD、SEM以及PL光谱等分析,表明:所制备的是结晶良好的ZnO薄膜,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在15~60nm,颗粒平均直径大约为3... 使用溶胶-凝胶法在P型Si(100)衬底上成功地制备了具有c轴择优取向性和高可见光透射率的多晶ZnO薄膜。通过XRD、SEM以及PL光谱等分析,表明:所制备的是结晶良好的ZnO薄膜,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在15~60nm,颗粒平均直径大约为38nm。由透射谱可知,制备的ZnO薄膜在可见光区域内薄膜的平均透射率在85%以上;由光致发光谱可知,室温下可观察到显著的紫外光发射,说明具有较好的光学性质。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 溶胶-凝胶法 c轴择优取向性 光致发光
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溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜 被引量:2
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作者 周英 邓宏 +1 位作者 李燕 程珍娟 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期823-825,828,共4页
采用了溶胶-凝胶工艺在普通的玻璃载玻片上成功地制备出具有c轴择优取向性、高的可见光透光率、平整均匀的氧化锌薄膜。通过XRD、AFM以及UV光谱仪等分析,其结果表明:所制备的氧化锌薄膜具有纤锌矿型结构,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约... 采用了溶胶-凝胶工艺在普通的玻璃载玻片上成功地制备出具有c轴择优取向性、高的可见光透光率、平整均匀的氧化锌薄膜。通过XRD、AFM以及UV光谱仪等分析,其结果表明:所制备的氧化锌薄膜具有纤锌矿型结构,表面均匀致密,薄膜晶粒尺寸大约在40~90nm,溶胶浓度增大时,其晶粒大小呈增大的趋势。随着涂膜层数的增加,薄膜的(002)方向的取向度增加。薄膜在可见光区的光透过率>85%,在近紫外光波段透射率急剧减小,对应的禁带宽度为3.34eV。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 ZNO薄膜 c轴择优取向性 禁带宽度
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氮氩流量比对ErAlN薄膜及SAW滤波器的影响
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作者 孙贤 谢易微 +1 位作者 许绍俊 杨成韬 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第3期345-347,共3页
该文采用射频反应磁控溅射方法在蓝宝石(0001)基底上沉积了不同氮氩流量比下的ErAlN薄膜,并基于ErAlN薄膜制备了声表面波(SAW)滤波器。结果表明,随着氮氩流量比的增加,薄膜结晶质量和c轴取向先变好再变差,表面粗糙度先减小后增加,当V(N2... 该文采用射频反应磁控溅射方法在蓝宝石(0001)基底上沉积了不同氮氩流量比下的ErAlN薄膜,并基于ErAlN薄膜制备了声表面波(SAW)滤波器。结果表明,随着氮氩流量比的增加,薄膜结晶质量和c轴取向先变好再变差,表面粗糙度先减小后增加,当V(N2)∶V(Ar)=12∶17时,ErAlN薄膜具有最好的结晶质量和最小的表面粗糙度。基于ErAlN薄膜制备的SAW滤波器在273~288 MHz均有谐振效应,当V(N2)∶V(Ar)=12∶17时,SAW滤波器具有最小的插入损耗和最大的传输系数。 展开更多
关键词 磁控溅射 氮氩比 Er掺杂AlN薄膜 c轴择优取向 SAW滤波器
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Ti含量对溶胶-凝胶法制备Ti、Ga共掺ZnO薄膜性能的影响
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作者 王瑞 孙宜华 +3 位作者 黄龙 敖来远 方亮 骆秋子 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1800-1806,1813,共8页
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO,Ga掺杂量为1.0%(原子分数,下同)),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪、霍尔效应测试仪研究了Ti含量对TGZO薄膜的物相组... 采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上沉积纳米结构Ti、Ga共掺ZnO薄膜(TGZO,Ga掺杂量为1.0%(原子分数,下同)),用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪、霍尔效应测试仪研究了Ti含量对TGZO薄膜的物相组成、表面形貌、电学和光学性能的影响。结果表明:所有TGZO薄膜均表现出六方纤锌矿的多晶结构,并具有(002)择优取向生长,在380~780 nm波长范围内具有良好的透射率(>86%);随着Ti含量的增加,TGZO薄膜的晶粒尺寸和可见光平均透射率均先增加后减小,而光学带隙和电阻率先减小后增加;Ti掺杂量为1.0%时,具有最高的可见光透射率92.82%,最窄的光学带隙3.249 eV,以及最低电阻率2.544×10-3Ω·cm。 展开更多
关键词 TGZO薄膜 溶胶凝胶法 光电性能 c轴择优取向 高透过率
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