ZnS／ZnSe多量子阱的光调制测试

1

作者 刘大力 李公羽 +3 位作者 杜国同 张景林 张源涛 李万成 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期40-42,共3页

以DMZn、H2Se和H2S为源，用Ap-MOCVD法在GaAs(100)衬底上生长出了ZnS／ZnSe超晶格量子阱，并用X射线衍射等方法鉴定了超晶格量子阱结构，在带蚀孔的衬底的ZnS／ZnSe超晶格量子阱上，首次观测到皮秒量级的光光调制现象。

关键词 zns/znse多量子阱 光调制 测试 Ap-MOCVD法 超晶格 硫化锌 硒化锌 X射线衍射 非线性光学 半导体材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnS／ZnSe多量子阱研制

2

作者 刘大力 杜国同 +2 位作者 何晓东 王一丁 王金忠 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期197-200,共4页

采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统，以电子级二甲基锌（DMZn）和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料，二次钯管净化的氢气为载气，衬底选用（100）GaAs和（111）CaF2，以微机程序控制电气线路的开关，交替生长ZnS和ZnSe薄层... 采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统，以电子级二甲基锌（DMZn）和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料，二次钯管净化的氢气为载气，衬底选用（100）GaAs和（111）CaF2，以微机程序控制电气线路的开关，交替生长ZnS和ZnSe薄层，制备出了垒宽和阱宽都为10nm，周期为100的ZnS—ZnSe超晶格多量子阱结构。 展开更多

关键词 zns/znse多量子阱 AP-MOCVD系统 垒宽 阱宽 超晶格 半导体材料 硫化锌 硒化锌 金属有机化学气相外延 薄膜生长

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱中的光学特性研究 被引量：5

3

作者 范希武 于广友 +2 位作者 张吉英 杨宝均 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期293-298,共6页

用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一... 用LP MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了ZnCdSe/ZnSe非对称双量子阱 (ADQW )结构。通过 ps时间分辨光谱、吸收光谱、发射光谱等的研究得到了如下的结果 :在弱激发下 ,观测到ADQW结构中的激子隧穿现象 ;在强激发下 ,在ADQW结构中发现了一个内建电场 ,它将影响激子隧穿 ;首次观测到由激子隧穿引起的在一定温度范围内宽阱的发光强度随温度上升而增加的现象 ; 展开更多

关键词 znCdSe/znse非对称双量子阱 激子隧穿 受激发射

在线阅读 下载PDF 职称材料

静压下Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe窄量子阱的激子和光跃迁 被引量：1

4

作者 郭子政 梁希侠 班士良 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期946-950,共5页

利用波恩公式近似建立了应变与介电常量的定量关系 考虑应变对介电常量、有效质量、晶格常量 (体积 )等诸多物理量的影响 ,用变分法计算了静压下Zn1 -xCdxSe/ZnSe窄量子阱中激子结合能和光跃迁能量随压力的变化

关键词 zn1-xCdxSe/znse 窄量子阱 静压 介电常量 有效质量 激子 光跃迁 应变 半导体 超晶格 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnSeTe/ZnSe量子阱中Te等电子陷阱的静压光子发光谱研究

5

作者 方再利 李国华 +4 位作者 韩和相 丁琨 陈晔 彭中灵 袁诗鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期28-32,共5页

测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激... 测量了ZnSe0 .92 Te0 .0 8 ZnSe超晶格量子阱材料在 77K时 0～ 7.8GPa静压下的光致发光谱 .观察到ZnSe0 .92Te0 .0 8阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光 ,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约 5 0 % ,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的 .还观察到了激子在ZnSe0 .92 Te0 .0 8阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻 (CdSe) 1 (ZnSe) 3 展开更多

关键词 TE 等电子陷阱 光致发光谱 锌硒碲三元化合物 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 静压 znseTe/znse znse 硒化锌 量子阱

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究

6

作者 张希清 梅增霞 +1 位作者 段宁 Tang ZK 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期152-155,共4页

用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率... 用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 . 展开更多

关键词 激子 分子束外延 znCdSe/znse多量子阱 自由激子发光 变温PL光谱 X射线衍射 XRD

在线阅读 下载PDF 职称材料

非对称耦合量子阱ZnCdSe/ZnSe的喇曼散射谱与非线性光学特性

7

作者 王文军 张山彪 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期36-37,共2页

采用荧光光谱和喇曼散射谱对非对称Ⅱ—Ⅵ族耦合多量子阱Zn1 -xCdxSe/ZnSe的结构进行了表征 ,并对它的非线性光学特性进行了研究。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰 :在喇曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限... 采用荧光光谱和喇曼散射谱对非对称Ⅱ—Ⅵ族耦合多量子阱Zn1 -xCdxSe/ZnSe的结构进行了表征 ,并对它的非线性光学特性进行了研究。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰 :在喇曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限制光学模LO1 (LowWell)和LO1 (WideWell) ,及对应于ZnSe/GaAs界面的声子和等离子体的耦合模。实验发现二次谐波信号的强度随着阱间耦合的增强而增强 ,说明非对称量子阱 (AQW)的耦合效应存在一阈值 。 展开更多

关键词 非对称量子阱 阱间耦合 喇曼散射谱 二次谐波产生 znCdSe/znse 非线性光学特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnSe-ZnS多层量子阱光学双稳态器件

8

作者 王海龙 徐梁 +8 位作者 沈爱东 陈云良 崔捷 邱佩华 立群 庄大奎 张拯 杨少辰 王文耀 《高速摄影与光子学》 CSCD 1990年第2期195-198,共4页

本文报道了以YAG三倍频激光为光源时,在用MBE生长的ZnSe-ZnS多量子阱材料制成的F—P标准具光双稳器件上观察到的脉冲压缩效应。

关键词 量子阱 znse zns 光学器件 光双稳

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnSe多量子阱光开关的优化设计

9

作者 刘玉东 于海鹏 +1 位作者 刘洁 赵铁铮 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期28-31,共4页

本文提出了一个ZnSe/ZnS多量子阱光开关的综合优化方案。根据Kronig-Penney模型,对多量子阱结构进行优化。又根据实验结果对多量子阱构成的非线性F-P进行了优化设计。

关键词 光开关 优化设计 多量子阱 znse

在线阅读 下载PDF 职称材料

CdSe/ZnSe/ZnS多壳层结构量子点的制备与表征 被引量：8

10

作者 张庆彬 曾庆辉 +3 位作者 郑金桔 孔祥贵 曲玉秋 宋凯 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期842-846,共5页

展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于... 展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于以往报道的多壳层结构量子点的制备方法,该方法通过减少壳层的生长步骤有效地简化了实验操作,缩短了实验周期,同时减少对原料的损耗。对量子点进行高温退火处理,能够大幅提高CdSe/ZnSe/ZnS量子点的发光量子产率。透射电镜、XRD以及光谱研究表明:所制备的量子点接近球形,核与壳层纳米晶均为闪锌矿结构,最终获得的CdSe/ZnSe/ZnS量子点的光致发光量子产率达到53%。为了实现量子点的表面生物功能化,通过巯基酸进行了表面配体交换修饰,使量子点表面具有水溶性的羧基功能团,并且能够维持较高的光致发光量子产率。 展开更多

关键词 CdSe/znse/zns量子点 外延生长 配体交换

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点发光光谱特性的研究 被引量：3

11

作者 林以军 刘文闫 +4 位作者 张宇 毕克 张铁强 冯毅 王一丁 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期20-22,共3页

ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰... ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510,611(3.3nm),483,583(2.7nm)以及447,545nm(2.3nm)。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398meV(3.3nm),436meV(2.7nm)以及498meV(2.3nm),这样大的斯托克斯位移证明,ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。同时,对直径为3.3nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量,当温度为15～90℃时,该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移,发光强度随温度的升高而降低,说明ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。 展开更多

关键词 znCuIns znse zns 量子点 温度依赖 尺寸依赖 光致发光光谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

N型掺杂ZnSe/BeTeⅡ型量子阱中空间间接带电激子跃迁发光的直接证据

12

作者 屈尚达 冀子武 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第2期290-295,共6页

本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明,其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场,并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发... 本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明,其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场,并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发光谱具有反玻耳兹曼(inverse-Boltzmann)分布,并且线型和线性偏振度在整个栅极电压变化范围内没有显示明显改变。然而,其光谱积分强度却显著地依赖栅极电压的极性变化:在正栅极电压范围内(7~0 V)其光谱积分强度几乎是一个常数,但随着负栅极电压的增加(-1~-7 V),其光谱积分强度却显著降低。这些行为显示了该样品的空间间接发光谱具有负的带电激子的特征。这个常数的光谱积分强度被解释为掺杂层对外加电场的屏蔽,而这个显著降低的光谱积分强度则被归因于外加电场对掺杂电子的排斥(致使激光激发区域内的电子浓度降低),从而导致了负带电激子数量的减少。此外,本文也初步探讨了该空间间接带电激子的可能构成模型。 展开更多

关键词 光致发光 带电激子 量子阱 电场 N型掺杂znse/BeTe 线性偏振度

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱的荧光衰减 被引量：4

13

作者 曹立新 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期81-84,共4页

采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱 ,并对其光谱性质进行了研究。结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀 ,平均粒径为 4 5nm ,发光峰位于 5 1 5nm左右 ,归属于CdS体内的施主 受主对复合。ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS... 采用反胶束方法制备了ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱 ,并对其光谱性质进行了研究。结果表明所制得的量子点量子阱尺寸分布均匀 ,平均粒径为 4 5nm ,发光峰位于 5 1 5nm左右 ,归属于CdS体内的施主 受主对复合。ZnS/CdS/ZnS量子点量子阱中CdS的发光比核 壳结构的ZnS/CdS量子点增强了近四倍 。 展开更多

关键词 量子点 量子阱 zns CdS 发光 半导体 荧光衰减 硫化锌 硫化镉 光谱性质

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnSe/ZnS核壳结构量子点的制备与表征 被引量：7

14

作者 陈秀秀 刘福田 +3 位作者 姜庆辉 王群 孙莉 王冬至 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期170-175,共6页

采用外延生长法在低于ZnS晶体成核温度(120℃)的条件下,通过在ZnSe量子点表面生长ZnS,制备出结晶良好的ZnSe/ZnS核壳型量子点。通过X射线衍射(XRD),透射电镜分析(TEM)证实了核壳结构的生成。通过荧光光谱和紫外-可见光吸收光谱分析证实... 采用外延生长法在低于ZnS晶体成核温度(120℃)的条件下,通过在ZnSe量子点表面生长ZnS,制备出结晶良好的ZnSe/ZnS核壳型量子点。通过X射线衍射(XRD),透射电镜分析(TEM)证实了核壳结构的生成。通过荧光光谱和紫外-可见光吸收光谱分析证实,核壳结构的形成改善了ZnSe量子点的荧光特性。通过改变反应温度、反应时间、反应物的用量等实验参数,可得到不同厚度ZnS壳层包覆的核壳型量子点。所制备的ZnSe/ZnS量子点具有良好的水溶性,可以分散形成稳定、澄清的水溶液。在紫外灯的照射下,溶液呈现明亮的蓝绿色荧光。 展开更多

关键词 znse/zns 核壳型结构 量子点 外延生长法

在线阅读 下载PDF 职称材料

硫脲修饰ZnSe:Cu量子点的水相合成及荧光特性 被引量：3

15

作者 汤子龙 李冬梅 +1 位作者 程经纬 蒋洁如 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第3期653-659,共7页

以3-巯基丙酸为稳定剂在水相中合成了Cu掺杂的ZnSe量子点(QDs),并利用硫脲(CH4N2S)对其进行表面修饰,制备出核壳结构的ZnSe:Cu/ZnS量子点.制得的量子点呈闪锌矿结构,尺寸约为5nm,有较好的分散性。其荧光发射峰在460nm左右.经CH4N2S修饰... 以3-巯基丙酸为稳定剂在水相中合成了Cu掺杂的ZnSe量子点(QDs),并利用硫脲(CH4N2S)对其进行表面修饰,制备出核壳结构的ZnSe:Cu/ZnS量子点.制得的量子点呈闪锌矿结构,尺寸约为5nm,有较好的分散性。其荧光发射峰在460nm左右.经CH4N2S修饰后,量子点表面形成了宽禁带的ZnS包覆层,将电子和空穴限域在了ZnSe:Cu核内,减少了表面发生非辐射复合的载流子,显著提高了量子点的荧光强度.与Na2S、硫代乙酰胺(TAA)等常用硫源相比,以CH4N2S为硫源制得的ZnSe:Cu/ZnS量子点壳层厚度可控,表面钝化效果更好,显示出更佳的荧光效率和稳定性.ZnSe:Cu/ZnS量子点经过紫外线照射后消除了表面的悬空键,进一步提高了其量子产率,最终获到了具有较好荧光性质的ZnSe:Cu/ZnS量子点. 展开更多

关键词 量子点 znse Cu zns 水相合成 硫脲修饰 低毒性 紫外光照

在线阅读 下载PDF 职称材料

CdSe/ZnSe/ZnS量子点在单晶太阳能电池中的应用 被引量：4

16

作者 严兴茂 王庆康 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1358-1361,共4页

将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观... 将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量子点在太阳能电池中应用的可能性进行了分析,并根据本实验中测得电池的EQE数据,计算了该电池获得提升所需量子点最低的整体荧光量子效率值为87.8%。 展开更多

关键词 太阳能电池 光谱下转移层 CdSe/znse/zns量子点 外量子效率 荧光量子效率

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnSe、ZnS量子点的可控合成与表征 被引量：8

17

作者 王香 马旭梁 +1 位作者 封雪 郑玉峰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期818-823,共6页

采用改进后的合成方法,以Se和ZnO粉末为原料,在十六胺(HDA)、月桂酸(LA)和三辛基膦(TOP)有机溶剂体系中合成了胶体ZnSe和ZnS量子点。主要研究了溶剂配比、反应温度及生长时间对ZnSe量子点粒径和光学性质的影响。结果表明:制得的ZnSe和Zn... 采用改进后的合成方法,以Se和ZnO粉末为原料,在十六胺(HDA)、月桂酸(LA)和三辛基膦(TOP)有机溶剂体系中合成了胶体ZnSe和ZnS量子点。主要研究了溶剂配比、反应温度及生长时间对ZnSe量子点粒径和光学性质的影响。结果表明:制得的ZnSe和ZnS量子点均是纤锌矿型结构,且具有较好的尺寸均匀性、分散性及荧光特性。粒子直径可控制在4.5～8nm范围内。采用参数n(ZnO)∶n(HDA)∶n(LA)=1∶2.1∶5.2,c(TOPSe)=1mol/L,在280℃成核,240℃生长条件下合成的ZnSe量子点具有最佳的尺寸范围,并且随着生长时间的延长,粒径变大,荧光发射峰明显红移。 展开更多

关键词 znse zns 量子点 合成 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnSe—ZnS应变层超晶格的激子发光和强激发效应

18

作者 娄淑云 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期15-18,共4页

利用光致发光和吸收光谱测量研究了ZnSe—ZnS 多量子阱(MQW)应变层超晶格(SLS)的激子特性,这种 MQW SLS 是用低压有机金属化学汽相沉积技术在(100)ZnS 和 GaAs 衬底上制备的。用氮分子脉冲激光器增加激发强度,发现主要的激子带向更高光... 利用光致发光和吸收光谱测量研究了ZnSe—ZnS 多量子阱(MQW)应变层超晶格(SLS)的激子特性,这种 MQW SLS 是用低压有机金属化学汽相沉积技术在(100)ZnS 和 GaAs 衬底上制备的。用氮分子脉冲激光器增加激发强度,发现主要的激子带向更高光子能量的方向偏移。为了了解激子的分离机制,测量了温度与线宽及强激发下发射强度的关系。根据激子散射所起的作用,从三个方面分析了线宽与温度的关系;这三种激子散射分别与 LO、声预声子和施主杂质有关。激子热释放的激活能量约为71meV,该值非常接近于4E_B,D(块状 ZnSe的结合能 E_B,D=19meV)。 展开更多

关键词 znse 激子 应变层 施主杂质 多量子阱 有机金属化学 激发效应 超晶格 氮分子 线宽

在线阅读 下载PDF 职称材料

量子点量子阱中束缚态的能级结构(英文) 被引量：5

19

作者 张立 谢洪鲸 +1 位作者 陈传誉 龚映清 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期338-344,共7页

在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量... 在有效质量近似下,考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构,以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示,束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点,这一结果与均匀量子点体系明显不同;对某个固定的量子点量子阱结构,随量子数n的增加,CdS/HgS量子点量子阱体系中的束缚电子态的能级间隔不是单调增加的,在某些量子数n处存在峰值,而ZnS/CdSe量子点量子阱体系中的空穴束缚态的能级间隔则是单调增加的,这是由构成量子点量子阱的材料的有效质量比率不同造成的。 展开更多

关键词 能级结构 量子点量子阱 束缚态 电子 数值计算 zns/CdSe 硫化锌 碲化镉

在线阅读 下载PDF 职称材料

分离式阴极光电化学检测致病菌的新方法研究

20

作者 杨高霞 董玉明 王光丽 《分析测试学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第8期897-904,共8页

利用液相法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硒化铅(PbSe)量子点(QDs),并将其修饰至氧化铟锡(ITO)电极,制备了ITO/PbSe电极。Zn2+可与电极上修饰的PbSeQDs进行离子交换形成ZnSe/PbSe/ZnSe量子阱(QW),促进电子-空穴分离,提高ITO/PbSe电极的... 利用液相法合成了水溶性的巯基乙酸修饰的硒化铅(PbSe)量子点(QDs),并将其修饰至氧化铟锡(ITO)电极,制备了ITO/PbSe电极。Zn2+可与电极上修饰的PbSeQDs进行离子交换形成ZnSe/PbSe/ZnSe量子阱(QW),促进电子-空穴分离,提高ITO/PbSe电极的阴极光电流。以抗菌肽为识别探针,开发出一种分离式光电化学(PEC)检测大肠杆菌O157∶H7(E.coliO157∶H7)的方法。该方法避免了生物分子固定在电极上所导致的PEC信号传输的延误,具有更好的检测效果。E.coliO157∶H7的检测范围为10.0~5.0×106CFU/mL,检出限为4.0CFU/mL,回收率为94.7%~104%,相对标准偏差为1.9%~2.8%。 展开更多

关键词 光电化学分析 znse/PbSe/znse量子阱 大肠杆菌O157∶H7

在线阅读 下载PDF 职称材料