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自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究
1
作者
刘艳美
赵宗彦
+2 位作者
杨坤堂
徐章程
韩家骅
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期862-864,共3页
用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ...
用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜。
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关键词
INAS/GAAS量子点
自组织量子点
x射线双晶衍射法
摇摆曲线
光电性质
子单层沉积
法
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职称材料
(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜
2
作者
刘义族
于福聚
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2001年第3期261-264,共4页
用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δ...
用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .
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关键词
分子束外延
法
异质结
倾斜角
x射线双晶衍射法
HgCdTe/CdTe/GaAs多层膜
失配位错
镉
汞
碲
镓
砷
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职称材料
碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响
被引量：
15
3
作者
吴刚
唐利斌
+4 位作者
马庆华
赵增林
张梅
黄晖
姬荣斌
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期663-667,共5页
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延...
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。
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关键词
x
射线
双晶
回摆
衍射
法
貌相术
CdZnTe衬底
HGCDTE薄膜
液相外延
Te沉淀相
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职称材料
题名
自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究
1
作者
刘艳美
赵宗彦
杨坤堂
徐章程
韩家骅
机构
安徽大学物理系
丹麦技术大学信息光学材料研究中心
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期862-864,共3页
基金
安徽省科技厅年度重点资助项目 (0 1 0 4 1 1 88)
安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2 0 0 0j1 0 0 2)
文摘
用X射线双晶衍射方法测定了自组织生长的InAs GaAs量子点的摇摆曲线 ,根据Takagi Taupin方程对曲线进行了拟合。在考虑量子点层晶格失配的情况下 ,理论曲线和实验曲线符合得很好 ,从而确定了量子点垂直样品表面的失配度 ,约为 4～ 6 % ,这与宏观连续体弹性理论的预测相近。结合电镜。
关键词
INAS/GAAS量子点
自组织量子点
x射线双晶衍射法
摇摆曲线
光电性质
子单层沉积
法
Keywords
quantum dots
self-organized growth
double crystal diffraction
the rocking curve
分类号
O649 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜
2
作者
刘义族
于福聚
机构
天津师范大学物理系
中国科学院上海技术物理研究所
出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2001年第3期261-264,共4页
文摘
用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .
关键词
分子束外延
法
异质结
倾斜角
x射线双晶衍射法
HgCdTe/CdTe/GaAs多层膜
失配位错
镉
汞
碲
镓
砷
Keywords
molecular beam epita
x
y
heterojunctions
tilt angles
分类号
O772 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响
被引量：
15
3
作者
吴刚
唐利斌
马庆华
赵增林
张梅
黄晖
姬荣斌
机构
昆明物理研究所红外材料研发中心
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期663-667,共5页
文摘
采用红外显微镜、X射线双晶回摆衍射法、X射线貌相术对CdZnTe衬底中的沉淀相、亚结构、组分偏析等缺陷进行了研究,并对用此衬底液相外延的HgCdTe薄膜作了测试。结果显示:CdZnTe衬底中亚晶界处聚集的位错在外延生长中呈发散状向薄膜中延伸,造成了薄膜形成亚晶界和更大面积的由位错引起的晶格畸变应力区域,影响了薄膜结构的完整性。
关键词
x
射线
双晶
回摆
衍射
法
貌相术
CdZnTe衬底
HGCDTE薄膜
液相外延
Te沉淀相
Keywords
x
-ray double crystal rocking diffraetion
topography
CdZnTe substrate
HgCdTe thin film
liquid phase epita
x
y
Te precipitate
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
TN204 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
自组织InAs/GaAs量子点的X射线双晶衍射研究
刘艳美
赵宗彦
杨坤堂
徐章程
韩家骅
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜
刘义族
于福聚
《应用科学学报》
CAS
CSCD
2001
0
在线阅读
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职称材料
3
碲锌镉衬底缺陷对液相外延碲镉汞薄膜结构的影响
吴刚
唐利斌
马庆华
赵增林
张梅
黄晖
姬荣斌
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2005
15
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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引证文献
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