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TFT基板创新遮光维修及参数优化分析
1
作者 谈思云 何彬 +4 位作者 胡延雨 蒋腾腾 张小松 李登涛 刘浩然 《液晶与显示》 北大核心 2025年第10期1450-1457,共8页
针对TFT基板上发生率约为0.23%的某些特定亮点型不良无法维修的情况,提出一种使用UV固化型黑色遮光材料对亮点像素进行遮盖涂覆的方法。本方法可用于维修所有的亮点型不良,充分提升了基板暗点化维修的能力。首先通过点灯检测、显微镜观... 针对TFT基板上发生率约为0.23%的某些特定亮点型不良无法维修的情况,提出一种使用UV固化型黑色遮光材料对亮点像素进行遮盖涂覆的方法。本方法可用于维修所有的亮点型不良,充分提升了基板暗点化维修的能力。首先通过点灯检测、显微镜观察、聚焦离子束分析等系列实验,验证了遮光材料涂覆亮点像素暗点化维修的可行性;然后利用对比实验探究得到实现暗点化的重要控制参数为遮光率和涂覆高度,分别探究了红外强度、红外作用时间以及吐出压力3个因素对二者的影响;最后引入响应面分析法,构建了遮光率和涂覆高度对应的响应预测模型并与实验数据进行对比验证,解析得到最优工艺参数为红外强度87.9%、红外作用时间2 488 ms、吐出压力0.015 8 MPa。根据实验结果投入量产测试,TFT基板上不同诱因的亮点型不良维修成功率达98%。 展开更多
关键词 tft基板 暗点化维修 物理遮光 红外加热 响应面法
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TFT LCD用液晶显示材料进展 被引量：44
2
作者 李建 安忠维 杨毅 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第2期104-113,共10页
列举了一批近年来得到开发应用的 ＴＦＴ ＬＣＤ显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。ＴＦＴ ＬＣＤ要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求．含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液... 列举了一批近年来得到开发应用的 ＴＦＴ ＬＣＤ显示用液晶材料，并分析了其发展趋势。ＴＦＴ ＬＣＤ要求液晶材料具备高电压保持率、低粘度、低双折射串等特性，而传统的液晶材料无法满足上述要求．含氟液晶、环己烷类液晶、乙烷类液晶因其极性较低，分子粘度低，电阻率高，电压保持率高，在ＴＦＴ ＬＣＤ中得到广泛应用。初步阐明了其分子结构与物理性能之间的关系，为新型液晶分子设计及配方设计提供了线索。 展开更多
关键词 液晶材料 tft tftLCD 薄膜晶体管 阵列驱动液晶显示
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TFT-LCD周边驱动电路集成化设计 被引量：21
3
作者 徐杰 杨虹 +2 位作者 郭树旭 李英博 郜峰利 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期42-47,共6页
根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周... 根据N沟道和P沟道多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)的特性,使用Orcad作为辅助工具,设计了应用于132(RGB)×176TFT LCD的栅驱动电路和数据驱动电路。依据132RGB×176TFT LCD的参数对电路进行了模拟,实现了小尺寸液晶屏的p SiTFT周边集成驱动电路的设计。 展开更多
关键词 tft-LCD 多晶硅薄膜晶体管 集成周边驱动电路 液晶显示 电路设计 栅驱动电路 数据驱动电路
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基于FPGA的TFT液晶显示时序控制器设计 被引量：12
4
作者 陈建军 金强宁 +1 位作者 章鹏 刘凯丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期647-654,共8页
针对某些仅绑定栅源驱动芯片而没有时序控制电路的液晶显示面板,设计了一款基于FPGA的SOPC嵌入式系统的时序控制器。它利用FPGA的逻辑电路实现LVDS视频信号的解码、灰阶扩展、RSDS信号编码、显示控制时序转换等功能,并通过FPGA中Nios I... 针对某些仅绑定栅源驱动芯片而没有时序控制电路的液晶显示面板,设计了一款基于FPGA的SOPC嵌入式系统的时序控制器。它利用FPGA的逻辑电路实现LVDS视频信号的解码、灰阶扩展、RSDS信号编码、显示控制时序转换等功能,并通过FPGA中Nios II软核的串行口设置参数,编程GAMMA及VCOM电压,参数具有掉电保护功能。时序控制器中还增加了BIT检测电路,可实时査询电路运行状态。该时序控制器电路集成度高、功耗低,结构简单,适合特殊应用,具有较高使用价值。 展开更多
关键词 tft液晶显示 时序控制器 FPGA SOPC BIT
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手机用TFT-LCD Source Driver电路模块研究与设计 被引量：12
5
作者 高武 魏廷存 +1 位作者 张萌 李丹 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期179-184,共6页
SourceDriver电路模块是彩色TFT-LCD驱动控制芯片的关键电路之一,其功能是将数字图像显示数据转换成模拟驱动电压,从而驱动TFT-LCD显示各种彩色图像。本文从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种适合于手机用TFT-LCD的低功耗、小面积的Sour... SourceDriver电路模块是彩色TFT-LCD驱动控制芯片的关键电路之一,其功能是将数字图像显示数据转换成模拟驱动电压,从而驱动TFT-LCD显示各种彩色图像。本文从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种适合于手机用TFT-LCD的低功耗、小面积的SourceDriver电路体系结构,用0.25μmCMOS工艺设计并实现了显示26万(26×26×26)色,支持132RGB×176分辨率的手机用TFT-LCD驱动控制芯片中的SourceDriver电路,电路面积约15mm×0.6mm。Hspice仿真结果表明,SourceDriver电路的响应时间为1.49μs,静态功耗小于1mW。 展开更多
关键词 SOURCE DRIVER tft—LCD 灰度等级电压 HSPICE仿真
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用于TFT-LCD的大功率LED侧式背光系统 被引量：10
6
作者 王文根 李瑛 +5 位作者 邵明 王秀如 刘敬伟 李俊峰 王刚 孙润光 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期533-538,共6页
用蓝光激发黄色荧光粉发出的1W大功率白光LED作为TFT-LCD背光光源,LED左右两侧各12个以13.2mm等间距排列;采用由反射率为95%的反射镜构成的光学腔代替传统复杂的导光系统进行导光,仅仅用反射镜将LED发出的光导入液晶面板底部,减少了背... 用蓝光激发黄色荧光粉发出的1W大功率白光LED作为TFT-LCD背光光源,LED左右两侧各12个以13.2mm等间距排列;采用由反射率为95%的反射镜构成的光学腔代替传统复杂的导光系统进行导光,仅仅用反射镜将LED发出的光导入液晶面板底部,减少了背光结构的复杂程度;利用光学模拟软件Tracepro对设计的侧式背光系统的LED阵列位置及反射镜位置等参数进行模拟优化,设计了可应用于26.4cm(10.4in)TFT-LCD的大功率白光LED侧式背光源系统。经过优化的背光系统,其亮度均匀性和光利用率分别达到87%和74%,背光系统的几何尺寸为292mm×164mm×20mm。 展开更多
关键词 白光LED tft—LCD LED背光系统 亮度均匀性 光利用率
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a-Si TFT OLED有源驱动阵列参数的优化与布图设计 被引量：14
7
作者 张彤 郭小军 +4 位作者 赵毅 李春星 许武 王丽杰 刘式墉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第5期332-337,共6页
主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了... 主要介绍了用于有源驱动有机发光二极管显示屏的非晶硅薄膜晶体管阵列中各种电子器件参数的设计依据,通过理论计算,确定了单元像素中的各种器件参数;利用Aim spice进行模拟仿真,对器件的参数进行了优化;利用L Edit进行布图设计,完成了阵列像素的版图。该设计对小尺寸非晶硅有源驱动OLED的研究开发有一定的意义。 展开更多
关键词 有机发光二极管 薄膜晶体管 有源驱动 参数优化 布图设计 仿真 OLED 显示屏 非晶硅薄膜晶体管阵列
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IGZO TFT与ZnO TFT的性能比较 被引量：14
8
作者 吴为敬 颜骏 +1 位作者 许志平 赖志成 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期147-153,共7页
分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的... 分析比较了ZnO TFT与IGZO TFT的主要光电学特性以及阈值电压稳定性。结果表明:ZnO薄膜与IGZO薄膜在可见光波长范围内都有着较高的光学透过率;在同等制备条件下,IGZO TFT器件的场效应迁移率、开关电流比、阈值电压及亚阈值系数等方面的特性均明显好于ZnO TFT;二者都有着较低的泄漏电流,并且差别很小。另外,ZnO TFT在正负偏压下阈值电压都有漂移,而IGZO TFT在正偏压下阈值电压漂移比ZnO TFT的小且在负偏压下阈值电压没有漂移,由此可见IGZO TFT比ZnO TFT有着更好的稳定性。总之,IGZO薄膜比ZnO薄膜更适合作为下一代TFT的有源层材料。 展开更多
关键词 ZnOtft IGZOtft 性能比较 光电特性 阈值电压漂移
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ARM芯片S3C2410驱动TFT-LCD的研究 被引量：26
9
作者 张义磊 安吉宇 +3 位作者 仲崇亮 任爽 于涛 孙铁铮 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期61-66,共6页
介绍了 S3C2410 的 LCD 控制器的数据和控制管脚,并给出了 LCD 的控制流程和TFT LCD的控制器设置规则。参照 TFT LCD CJM10C0101 的逻辑要求和时序要求设计了其驱动电路,设置了各主要LCD寄存器。开发了 CJM10C0101 在嵌入式 LINUX下的... 介绍了 S3C2410 的 LCD 控制器的数据和控制管脚,并给出了 LCD 的控制流程和TFT LCD的控制器设置规则。参照 TFT LCD CJM10C0101 的逻辑要求和时序要求设计了其驱动电路,设置了各主要LCD寄存器。开发了 CJM10C0101 在嵌入式 LINUX下的显示驱动程序,并在CJM10C0101上显示了清晰稳定的画面。实验表明这套装置通用性好,能驱动大部分的TFT LCD;可移植性强,经过少许修改即可应用在其他嵌入式系统中。它是 S3C2410驱动TFT LCD的一套较佳的解决方案。 展开更多
关键词 显示技术 tft-LCD LINUX驱动程序
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TFT AMLCD视频系统驱动电路 被引量：9
10
作者 杨虹 黄锡珉 孙铁铮 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第4期277-282,共6页
介绍了ＴＦＴＡＭＬＣＤ视频系统的构成和驱动方式，具体分析了有源矩阵液晶显示的模拟驱动电路，以及其中参数的选择和需要注意的问题。
关键词 有源矩阵液晶显示 薄膜晶体管 模拟驱动 数字驱动 驱动电路 tft AMLCD视频系统
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TFT-LCD器件氧化铟锡层无退火工艺研究 被引量：5
11
作者 张家祥 卢凯 +8 位作者 郭建 姜晓辉 崔玉琳 王亮 阎长江 曲连杰 陈旭 闵泰烨 苏顺康 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期55-59,共5页
对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,... 对TFT-LCD器件氧化铟锡(ITO)层无退火新工艺进行了深入研究,通过将氧化铟锡相变与聚酰亚胺(PI)膜固化过程同步进行,简化了工艺过程,节约了生产成本。采用无退火工艺氧化铟锡膜层的平均电阻值和膜层透过率与传统高温退火工艺下基本相同,可以实现低的电阻值和高的透过率。无退火工艺下PI膜表面平整均匀,氧化铟锡膜与PI膜界面结合良好,无鼓包、麻点等,也没有反应产物生成;经过TFT特性测试发现,无退火工艺比高温退火工艺条件下,无论暗态还是光照状态,开电流没有明显区别,漏电流可降低44%;通过无退火工艺和传统高温退火工艺制备的液晶显示屏的V-T特性相同。 展开更多
关键词 无退火工艺 透过率 氧化铟锡层 tft特性
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TFT-LCD基板玻璃化学组成的发展状况与展望 被引量：46
12
作者 田英良 张磊 +1 位作者 戴琳 程金树 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1348-1352,1362,共6页
TFT-LCD基板玻璃是组成TFT-LCD的重要材料,其物理化学性能是由基板玻璃的化学组成来决定。文中介绍了典型商用TFT-LCD基板玻璃的化学组成及其物理化学性能,并对TFT-LCD基板玻璃的发展状况进行了展望。
关键词 tft-LCD 基板玻璃 化学组成
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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作 被引量：4
13
作者 刘金娥 廖燕平 +5 位作者 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期660-667,共8页
a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅... a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si∶HTFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m2。 展开更多
关键词 OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H tft
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基于柔性PI基底的氧化物IGZO TFT器件工艺及特性研究 被引量：9
14
作者 陈龙龙 张建华 +2 位作者 李喜峰 石继锋 孙翔 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期796-800,共5页
讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,... 讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff>106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。 展开更多
关键词 柔性 薄膜晶体管 铟镓锌氧化物 迁移率
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手机用TFT-LCD驱动控制芯片电源模块设计 被引量：7
15
作者 丁行波 魏廷存 +1 位作者 张萌 刘斯琳 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期169-173,共5页
电源模块是TFT-LCD驱动控制芯片内置模拟电路的一个重要组成部分,其性能直接影响着芯片的功耗以及彩屏手机的显示画质。文章从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种低功耗、易调节的电源模块设计思想,所产生的电压值可实现编程控制。用Hsp... 电源模块是TFT-LCD驱动控制芯片内置模拟电路的一个重要组成部分,其性能直接影响着芯片的功耗以及彩屏手机的显示画质。文章从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种低功耗、易调节的电源模块设计思想,所产生的电压值可实现编程控制。用Hspice对采用0.25μmCMOS工艺设计的电路进行仿真表明,系统在启动200ms后能够生成稳定、正确的驱动电源电压,其静态功耗小于2mW。 展开更多
关键词 tft—LCD彩屏手机 驱动芯片 模拟电路 电源模块
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VGA TFT LCD的驱动电路设计 被引量：28
16
作者 杨虹 唐志勇 +1 位作者 凌志华 黄锡珉 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第1期52-58,共7页
介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、 所使用的行反转驱动方法及其优点、 数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。 详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法， 并有效地解决了由于TFT寄生电容引起的电... 介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、 所使用的行反转驱动方法及其优点、 数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。 详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法， 并有效地解决了由于TFT寄生电容引起的电压跳变而导致的图像闪烁问题。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器 驱动电路 Vcom调节方法 行反转驱动 设计
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手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计 被引量：11
17
作者 岳帮辉 魏廷存 樊晓桠 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期566-570,共5页
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单... 内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。 展开更多
关键词 tft—LCD驱动芯片 单端口SRAM 存储单元 预充电路
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TFT阵列金属电极的制备与性能 被引量：4
18
作者 王大海 杨柏梁 +5 位作者 吴渊 刘传珍 李牧菊 李轶华 张玉 廖燕平 《液晶与显示》 CAS CSCD 2000年第4期260-267,共8页
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响 ,得到了制作 TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
关键词 磁控溅射 tft器件 溅射速率 金属薄膜 金属电极
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微胶囊电泳显示与TFT-LCD之比较分析 被引量：5
19
作者 李文波 徐征 +4 位作者 张卓 王刚 邵喜斌 刘宏宇 李云飞 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期576-581,共6页
对微胶囊电泳显示与TFT-LCD显示进行了对比研究,讨论并分析了它们在显示原理、电路的驱动方式和灰阶实现、像素设计以及显示性能等多方面的不同特性,并对微胶囊电泳显示的应用前景做了简要介绍和预测。
关键词 微胶囊电泳显示 tft—LCD显示 比较分析
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基于自适应局部增强的手机TFT-LCD屏Mura缺陷自动检测 被引量：11
20
作者 廖苗 刘毅志 +3 位作者 欧阳军林 余建勇 肖文辉 彭理 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期475-482,共8页
针对手机屏幕图像整体亮度不均以及Mura缺陷对比度低等特点,提出一种基于自适应局部增强的Mura缺陷自动在线检测方法。首先对CCD相机采集的手机屏幕原始图像进行感兴趣区域提取、几何校正、滤波等预处理,获取图像中的屏幕区域,然后将屏... 针对手机屏幕图像整体亮度不均以及Mura缺陷对比度低等特点,提出一种基于自适应局部增强的Mura缺陷自动在线检测方法。首先对CCD相机采集的手机屏幕原始图像进行感兴趣区域提取、几何校正、滤波等预处理,获取图像中的屏幕区域,然后将屏幕区域划分为多个不重叠的像素块,并根据每个像素块的灰度分布特征,采用自适应局部增强算法自动识别并定位图像中的Mura区域,最后考虑到Mura缺陷大小的不确定,提出采用多层级分块的方式对屏幕区域进行检测,提高算法鲁棒性。实验结果表明,相较现有多种屏幕缺陷自动检测算法,本文方法能更准确有效地识别手机屏幕中的Mura缺陷,且覆盖率和误检率分别为91.17%和5.84%。 展开更多
关键词 tft-LCD屏 Mura 图像增强 缺陷检测
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