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Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟被引量：2: 1; 作者唐杜刘书焕 +1 位作者李永宏贺朝会《信息与电子工程》 2012年第5期616-620,共5页; 采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI)PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析。分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化。模... 展开更多; 关键词微剂量探测器瞬时电流空间电荷 tcad模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

内部梳齿状pn结结构对单晶硅太阳电池电学特性的影响: 2; 作者余孟尧王庆康《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期96-101,共6页; 提出梳齿状pn结单晶硅太阳电池,通过计算机TCAD模拟的方法,对单晶硅太阳电池的梳齿状pn结结构对电池内部电流分布和电池效率造成的影响进行模拟分析和理论研究。研究结果表明采用pn结梳齿状结构对单晶硅太阳电池的电学性能有一定程度上... 展开更多; 关键词单晶硅太阳电池电学结构 tcad模拟 PN结梳齿; 在线阅读下载PDF 职称材料

小尺寸栅极HEMT器件结温测量被引量：1: 3; 作者高立廖之恒 +1 位作者李世伟郭春生《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期833-837,843,共6页; 用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器... 展开更多; 关键词 GaN基HEMT器件结温红外法防自激电路 Sentaurus tcad软件模拟; 在线阅读下载PDF 职称材料

28 nm工艺开发中的器件局域失配研究: 4; 作者蔡恩静高金德 +2 位作者朱巧智魏文李强《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期714-719,共6页; 在集成电路28 nm和14 nm等先进制造工艺开发中,采用纳米探针锁定失配器件后,依然无法通过物性分析找出失效原因,成为提升低压良率的最大瓶颈。通过对存储失效单元器件特性的分析提出了失效模型,采用计算机辅助设计技术（TCAD）工具对器... 展开更多; 关键词低压(Vmin)良率器件局域失配离子注入随机波动(RDF) 计算机辅助设计技术(tcad)模拟麦克斯韦-玻耳兹曼分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟被引量：2: 1; 作者唐杜刘书焕李永宏贺朝会; 机构西安交通大学核科学技术学院; 出处《信息与电子工程》 2012年第5期616-620,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11175139); 文摘采用数值模拟软件TCAD对影响绝缘体上硅(SOI)PIN微剂量探测器灵敏区电荷收集特性的主要因素进行了模拟与分析。分析了3 MeVα粒子在PIN探测器内沉积能量产生的瞬时电流随探测器偏置电压(10 V至50 V)和掺杂浓度、粒子入射方向的变化。模拟结果表明,随着反偏电压的增大,载流子复合效应降低,瞬态电流增加;当n+区域反偏电压为10 V时,由α粒子入射产生的空间电荷在1 ns内几乎全部被收集,电荷收集效率接近100%;辐射产生的瞬时电流随探测器各端掺杂浓度的增大而减小。; 关键词微剂量探测器瞬时电流空间电荷 tcad模拟; Keywords microdosimeter transient current space charge tcad simulation; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名内部梳齿状pn结结构对单晶硅太阳电池电学特性的影响: 2; 作者余孟尧王庆康; 机构上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室; 出处《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期96-101,共6页; 基金国家高技术研究发展(863)计划(2011AA050518) 国家重点基础研究发展(973)计划(2012CB934302) 上海市科委项目(11DZ2290303); 文摘提出梳齿状pn结单晶硅太阳电池,通过计算机TCAD模拟的方法,对单晶硅太阳电池的梳齿状pn结结构对电池内部电流分布和电池效率造成的影响进行模拟分析和理论研究。研究结果表明采用pn结梳齿状结构对单晶硅太阳电池的电学性能有一定程度上的优化,但同时也带来电流集边等非理想效应。在模拟范围内,梳齿宽度为1μm,深度为30μm的梳齿状pn结单晶硅电池拥有更理想的电池效率。; 关键词单晶硅太阳电池电学结构 tcad模拟 PN结梳齿; Keywords single crystal silicon solar cell electrical structure tcad simulation pn junction interdigital structure; 分类号 TK513 [动力工程及工程热物理—热能工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名小尺寸栅极HEMT器件结温测量被引量：1: 3; 作者高立廖之恒李世伟郭春生; 机构中国电子技术标准化研究院北京工业大学微电子学院; 出处《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第11期833-837,843,共6页; 基金核心电子器件评价和检测技术资助项目(2012ZX01022002); 文摘用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法。结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度。通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对Al GaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据。; 关键词 GaN基HEMT器件结温红外法防自激电路 Sentaurus tcad软件模拟; Keywords GaN-based HEMT device junction temperature infrared method anti-self-excitation circuit Sentaurus tcad software simulation; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名28 nm工艺开发中的器件局域失配研究: 4; 作者蔡恩静高金德朱巧智魏文李强; 机构上海华力微电子有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期714-719,共6页; 文摘在集成电路28 nm和14 nm等先进制造工艺开发中,采用纳米探针锁定失配器件后,依然无法通过物性分析找出失效原因,成为提升低压良率的最大瓶颈。通过对存储失效单元器件特性的分析提出了失效模型,采用计算机辅助设计技术（TCAD）工具对器件失配进行模拟,给出失效现象的直观解释和工艺改善方向并优化了工艺条件。结果表明在常规器件分析流程中引入TCAD器件模拟是一种更有效的研究低压良率器件局域失配的方法,能大大缩短工艺开发周期。同时,采用热运动的麦克斯韦-玻耳兹曼分布对器件局域失配进行讨论计算,认为注入杂质热运动引起的扩散是导致因离子注入随机波动引起器件局域失配的主导因素。; 关键词低压(Vmin)良率器件局域失配离子注入随机波动(RDF) 计算机辅助设计技术(tcad)模拟麦克斯韦-玻耳兹曼分布; Keywords low-voltage （ Vmin ） yield device local mismatch random dopant fluctuation （RDF） technology computer aided design （tcad） simulation Maxwell-Bohzmann distribution; 分类号 TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Si SOI微剂量探测器电荷收集特性数值模拟	唐杜刘书焕李永宏贺朝会	《信息与电子工程》	2012	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	内部梳齿状pn结结构对单晶硅太阳电池电学特性的影响	余孟尧王庆康	《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	小尺寸栅极HEMT器件结温测量	高立廖之恒李世伟郭春生	《半导体技术》 CSCD 北大核心	2017	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	28 nm工艺开发中的器件局域失配研究	蔡恩静高金德朱巧智魏文李强	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	0	在线阅读下载PDF 职称材料