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1
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
3
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2
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金属——氧化物——半导体场效应晶体管（MOSFET） |
吴腾奇
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《广东电子》
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1994 |
0 |
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3
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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4
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P型金属氧化物半导体(PMOS)剂量计探头的差分工作电路技术 |
王思源
孙静
陆妩
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《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
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2021 |
0 |
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5
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集成低势垒二极管的1.2 kV SiC MOSFET器件功耗 |
孙佳萌
付浩
魏家行
刘斯扬
孙伟锋
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《太赫兹科学与电子信息学报》
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2025 |
0 |
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6
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部分耗尽异质环栅场效应晶体管阈值电压模型 |
李尊朝
罗诚
王闯
苗治聪
张莉丽
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《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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7
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硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较 |
朱兆旻
张存
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《微纳电子技术》
CAS
北大核心
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2014 |
1
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8
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重离子源类别对SiC MOSFET单粒子效应的影响 |
郝晓斌
贾云鹏
周新田
胡冬青
吴郁
唐蕴
赵元富
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《航天器环境工程》
CSCD
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2024 |
0 |
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9
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SiC MOSFET的质子单粒子效应 |
史慧琳
郭刚
张峥
李府唐
刘翠翠
张艳文
殷倩
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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10
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车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述 |
李尊
张政
吴毅卓
王学耀
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《汽车工程师》
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2025 |
0 |
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11
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基于半导体物理的MOSFET亚阈区电流特性研究 |
高歌
殷树娟
于肇贤
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《北京信息科技大学学报（自然科学版）》
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2019 |
1
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12
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安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列,以达到业界更高能效的需求 |
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《电子设计工程》
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2014 |
0 |
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13
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安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET |
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《电子与电脑》
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2009 |
0 |
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14
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大功率半导体激光器脉冲驱动电源研制 |
王卫
夏连胜
谌怡
刘毅
石金水
邓建军
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《太赫兹科学与电子信息学报》
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2013 |
4
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15
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 |
赵正平
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2019 |
4
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16
|
新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 |
刁华彬
杨凯
赵超
罗军
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《微纳电子技术》
北大核心
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2019 |
3
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17
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大功率半导体技术现状及其进展 |
刘国友
王彦刚
李想
Arthur SU
李孔竞
杨松霖
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《机车电传动》
北大核心
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2021 |
14
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18
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美国国家半导体推出两款超小型门极驱动器 |
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《电子技术应用》
北大核心
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2004 |
0 |
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19
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《现代电子技术》
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2009 |
0 |
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20
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英飞凌和博世签订功率半导体合作协议 |
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《电子与电脑》
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2009 |
0 |
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