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近红外Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点光纤的研究进展
1
作者 李帅 张蕾 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期757-771,共15页
半导体量子点材料具有独特的光学和电学特性,在LED、太阳能电池、荧光探针、催化等领域显示出巨大的应用潜力,尤其是Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料,荧光光谱处于近红外波段且可以覆盖光纤通信窗口,将其制备成量子点掺杂的光纤在光纤通信领域... 半导体量子点材料具有独特的光学和电学特性,在LED、太阳能电池、荧光探针、催化等领域显示出巨大的应用潜力,尤其是Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点材料,荧光光谱处于近红外波段且可以覆盖光纤通信窗口,将其制备成量子点掺杂的光纤在光纤通信领域具有较为广泛的应用。目前Ⅳ-Ⅵ族半导体量子点掺杂光纤的制备方法主要有改进的化学气相沉积法、溶胶-凝胶膜涂覆法、空心光纤灌装固化法、高温熔融直接拉丝法、管内熔融法、玻璃毛细管灌入法等六种。本文详细综述了以上六种实验制备方法及其优缺点,以及所制备量子点光纤的光学增益品质;基于六种不同理论模型和光纤类型,总结了量子点掺杂光纤发光性质及光学增益性质的理论计算;进一步讨论了实验和理论研究中存在的问题、解决方法,并对未来研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 Ⅳ-Ⅵ族 半导体量子点 量子点光纤 近红外发光 光学增益 电学特性
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GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展
2
作者 马玉麟 郭祥 丁召 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期25-37,共13页
稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材... 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料在电子和光电子领域具有广泛的应用前景,其制备方法主要有分子束外延法(MBE)和金属有机物气相外延法(MOVPE)。本文聚焦于具有较大带隙收缩、温度不敏感以及强自旋轨道分裂等特殊物理特性的GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料,对其制备方法和研究进展进行了综述。研究人员对GaAsBi材料的研究主要集中在薄膜、多量子阱、纳米线和量子点材料的制备。在薄膜材料方面,侧重于研究制备工艺条件对GaAsBi薄膜的影响,例如低衬底温度、低生长速率和非常规的Ⅴ/Ⅲ束流比;在多量子阱材料方面,采用双衬底温度技术有效减少Bi偏析问题;对于纳米线和量子点材料,金属Bi作为表面活性剂可以改善材料的形貌和光学性能。然而,目前在该材料研究和应用方面仍存在挑战,如薄膜材料的结晶质量恶化和金属Bi分凝团聚,以及量子点材料中Bi的均匀性和形成机制的争议。解决这些问题对于提高GaAs_(x)Bi_(1-x)半导体材料的质量和促进器件发展具有重要意义。 展开更多
关键词 稀铋Ⅲ-Ⅴ半导体材料 GaAsBi薄膜 多量子阱材料 量子点材料 MBE MOVPE
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氧化镍空穴材料在Ⅱ-Ⅵ族量子点电致发光器件中的应用进展
3
作者 林坚 张松林 +3 位作者 王悦安 孙浩 聂钰昌 陈德睢 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期1-8,共8页
鉴于高效发光的Ⅱ-Ⅵ族量子点(Ⅱ-ⅥQD)电致发光(EL)器件已达到基本的商用需求,器件长期性能(寿命)受到了更多的重视。Ⅱ-ⅥQD EL器件中PEDOT:PSS材料易吸湿、易腐蚀ITO电极,这对器件寿命及商业应用潜力存在负面影响。采用高稳定性的Ni... 鉴于高效发光的Ⅱ-Ⅵ族量子点(Ⅱ-ⅥQD)电致发光(EL)器件已达到基本的商用需求,器件长期性能(寿命)受到了更多的重视。Ⅱ-ⅥQD EL器件中PEDOT:PSS材料易吸湿、易腐蚀ITO电极,这对器件寿命及商业应用潜力存在负面影响。采用高稳定性的NiO代替PEDOT:PSS可避免材料对器件稳定性产生影响。本文系统综述了NiO空穴材料在Ⅱ-ⅥQD EL器件中的研究进展,重点归纳了NiO薄膜的不同制备方法、掺杂和界面特性对器件性能的影响,最后对基于金属氧化物空穴功能层的Ⅱ-ⅥQD EL器件的研究趋势进行了展望,以期为制备在材料与器件层面稳定、高效的电致发光器件提供借鉴。 展开更多
关键词 氧化镍 P型半导体 量子点 电致发光 掺杂 表面修饰
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外延量子点及其在光量子信息中的应用
4
作者 雷霞 翟亮 《中国测试》 CAS 北大核心 2024年第12期50-59,共10页
通过分子束外延制备而成的Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点具有发光快、亮度高、单光子纯度好、不可区分度强等特点,是构建包括单光子源、纠缠光子源等在内的确定性量子光源的理想载体。量子点是嵌于半导体中的纳米结构,其纳米尺度加之半导体特性... 通过分子束外延制备而成的Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点具有发光快、亮度高、单光子纯度好、不可区分度强等特点,是构建包括单光子源、纠缠光子源等在内的确定性量子光源的理想载体。量子点是嵌于半导体中的纳米结构,其纳米尺度加之半导体特性使其能够利用现今成熟的微纳工艺完成微纳光子学结构的制备加工,实现量子点在量子光子学应用的多种功能。量子点还可束缚单个电子或空穴形成固态量子比特,固态量子比特可短暂存储飞行的光子比特所携带的量子信息,形成量子网络中的节点。量子点因此可以作为量子光源与光量子器件在光量子信息应用中发挥重要作用。随着量子点技术的飞速发展,突破性的成果不断涌现,该文聚焦量子点领域的发展前沿,从量子点的生长、测试技术出发,讨论基于量子点的量子光源、自旋比特的基本技术方法,突出强调近期实现的重要突破,结合量子计算、量子网络的发展要求展望量子点在光量子信息应用中的前景与挑战。 展开更多
关键词 量子点 Ⅲ-Ⅴ族半导体 量子光源 光量子信息 自旋比特
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纳米材料生物安全性研究进展 被引量：20
5
作者 陆荔 马明 +2 位作者 张宇 唐萌 顾宁 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期711-714,共4页
初步归纳了国外对纳米材料 ,如纳米颗粒、碳纳米管、纳米聚四氟乙烯、碳颗粒、固体脂质纳米颗粒、包覆DNA的纳米颗粒、半导体量子点等的毒性研究 ;同时也介绍了国内对磁性纳米材料、硅壳类纳米材料、齿科桩钉用纳米SiO2 /S Gf/EAM复合... 初步归纳了国外对纳米材料 ,如纳米颗粒、碳纳米管、纳米聚四氟乙烯、碳颗粒、固体脂质纳米颗粒、包覆DNA的纳米颗粒、半导体量子点等的毒性研究 ;同时也介绍了国内对磁性纳米材料、硅壳类纳米材料、齿科桩钉用纳米SiO2 /S Gf/EAM复合材料等的毒性研究进展 .如下几个方面应引起重视 :由于粒径减小造成的毒性增强 ;材料外包被和性质的改变带来的毒性变化 ;不同染毒方式造成的毒性差异 ;纳米材料的毒性作用机制等 . 展开更多
关键词 纳米颗粒 纳米材料 生物安全性 毒性 安全性评价
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水溶胶CdSe/CdS核/壳结构纳米晶制备及光学性质的研究 被引量：22
6
作者 滕枫 唐爱伟 +3 位作者 高银浩 梁春军 徐征 王永生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期651-654,共4页
以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它... 以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它们的发光特性。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族半导体 量子点 水溶胶
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量子点敏化太阳能电池研究进展 被引量：18
7
作者 卫会云 王国帅 +3 位作者 吴会觉 罗艳红 李冬梅 孟庆波 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第1期201-213,共13页
量子点敏化太阳能电池(QDSCs)因其制备成本低、工艺简单及量子点(QDs)本身的优异性能(如尺寸效应、多激子效应)等优点,近年来受到广泛关注。在此类电池中,无机半导体量子点敏化剂作为吸光材料,其自身的光电性质、制备方法、表面缺陷、... 量子点敏化太阳能电池(QDSCs)因其制备成本低、工艺简单及量子点(QDs)本身的优异性能(如尺寸效应、多激子效应)等优点,近年来受到广泛关注。在此类电池中,无机半导体量子点敏化剂作为吸光材料,其自身的光电性质、制备方法、表面缺陷、化学稳定性及其在TiO_2光阳极上的敏化方法等是影响电池性能的关键。本文综述了无机半导体量子点敏化剂(包括窄带隙二元量子点、多元合金量子点及Type-II核壳量子点)的最新研究进展,重点介绍了胶体量子点的制备方法;分类阐释了量子点在TiO_2光阳极表面的沉积与敏化方法,特别是双官能团辅助自组装吸附法;总结了针对提高电子注入效率和减少复合的量子点表面修饰方法;最后简要介绍了QDSCs的电解质和对电极的研究进展。 展开更多
关键词 量子点敏化太阳能电池 无机半导体量子点 胶体量子点 双官能团辅助自组装 表面修饰
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玻璃中CdSSe量子点生长实验研究 被引量：11
8
作者 田强 吴畅书 +2 位作者 李永升 罗莹 宋金 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期205-207,共3页
介绍了玻璃中半导体量子点的生长过程 ,在 62 0℃用不同的生长时间在玻璃中生长了一系列不同尺寸的CdSSe量子点 .基于扩散控制的生长过程理论用光吸收谱对该系列量子点的生长特性进行了分析讨论 .
关键词 半导体量子点 CdSSe 玻璃 吸收谱 生长 共熔法
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II-VI族半导体量子点的发光特性及其应用研究进展 被引量：15
9
作者 唐爱伟 滕枫 +2 位作者 王元敏 周庆成 王永生 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期302-308,共7页
半导体量子点由于具有独特的发光特性而具有极高的应用价值。结合本实验室的工作介绍了半导体量子点的发光原理和发光特性,在实验中发现核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点比没有包覆的CdSe半导体量子点的发光稳定性提高,吸收光谱和发射光... 半导体量子点由于具有独特的发光特性而具有极高的应用价值。结合本实验室的工作介绍了半导体量子点的发光原理和发光特性,在实验中发现核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点比没有包覆的CdSe半导体量子点的发光稳定性提高,吸收光谱和发射光谱均发生红移,而且粒径不同,半导体量子点所呈现的颜色也不同,随着粒径的增加吸收光谱和发射光谱向长波方向红移。介绍了半导体量子点在光电子器件和生物医学方面的应用,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 半导体量子点 发光特性 生物荧光标记 电致发光器件
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量子点在生物医学中的应用 被引量：20
10
作者 孟磊 宋增璇 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第2期185-187,共3页
半导体量子点是无机纳米结晶 ,构成于硒化镉核心和硫化锌外壳 .这种荧光标记物的发射光强是常用有机荧光染料的 2 0倍 ,稳定性是其 1 0 0倍 .量子点的发射波长取决于核心粒子的大小 ,而每一种单色量子点的发射波长窄而对称 .这些光学特... 半导体量子点是无机纳米结晶 ,构成于硒化镉核心和硫化锌外壳 .这种荧光标记物的发射光强是常用有机荧光染料的 2 0倍 ,稳定性是其 1 0 0倍 .量子点的发射波长取决于核心粒子的大小 ,而每一种单色量子点的发射波长窄而对称 .这些光学特性使量子点在医学诊断、药物的高速筛选以及基因和蛋白质的高通量分析方面具有广泛的应用前景 .基于量子点的稳定性和生物相容性 ,有可能通过标记不同颜色的量子点到不同的分子 。 展开更多
关键词 半导体 量子点 纳米晶体 硒化镉 硫化锌 生物分子 生物医学
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丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO_2纳米晶薄膜电子转移机制 被引量：7
11
作者 李正顺 岳圆圆 +3 位作者 张艳霞 王岩 王雷 王海宇 《中国光学》 EI CAS CSCD 2015年第3期428-438,共11页
利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明：CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制——热电子和冷电子注入得以被证实,即：电子能... 利用超快光谱技术系统研究了在丁胺包裹的CdSe量子点敏化的TiO2纳米晶薄膜起始时刻界面间电子转移动力学。与之前的报道不同,该实验结果表明：CdSe量子点经过表面修饰后,两相电子注入机制——热电子和冷电子注入得以被证实,即：电子能分别从CdSe量子点导带中高的振动能级和导带底转移到TiO2的导带。该机制详细描绘了电子在纳米界面间转移的图景。进一步研究发现：热电子注入的电子耦合强度（3.6±0.1 meV）比弛豫后的基态电子注入高两个数量级,基于Marcus理论,伴随着0.083 eV的重组能,冷电子注入的耦合强度值为-50μeV。 展开更多
关键词 量子点太阳能电池 半导体纳米晶 表面修饰 CDSE 热电子注入
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水溶性CdSe/CdS量子点的合成及其与牛血清蛋白的共轭作用 被引量：20
12
作者 王雪婷 于俊生 谢颖 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1185-1193,共9页
用巯基乙酸(TGA)作为稳定剂,合成了水溶性的CdSe和核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱研究表明,核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点比单一的CdSe量子点具有更优异的发光特性。用TEM、电子衍射(ED)和XPS分别表征了CdSe和Cd... 用巯基乙酸(TGA)作为稳定剂,合成了水溶性的CdSe和核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点。吸收光谱和荧光光谱研究表明,核壳结构的CdSe/CdS半导体量子点比单一的CdSe量子点具有更优异的发光特性。用TEM、电子衍射(ED)和XPS分别表征了CdSe和CdSe/CdS纳米微粒的结构、形貌及分散性。红外光谱和核磁共振谱证实了巯基乙酸分子中的硫原子和氧原子与纳米微粒表面的金属离子发生了配位作用。在pH值为7.4的条件下,将合成的CdSe和CdSe/CdS量子点直接与牛血清白蛋白(BSA)相互作用。实验发现,两种量子点均对BSA的荧光产生较强的静态猝灭作用;而BSA对两种量子点的荧光则具有显著的荧光增敏作用,存在BSA时CdSe/CdS量子点的荧光增强是不存在BSA时体系荧光强度的3倍。 展开更多
关键词 巯基乙酸 CdSe/CdS 半导体量子点 BSA
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荧光纳米材料及其生物成像应用 被引量：9
13
作者 蒲源 王丹 +1 位作者 钱骏 陈建峰 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期103-111,共9页
荧光成像是生物医学研究领域应用最广的成像技术之一。随着纳米技术的快速发展,具有优良特性的荧光纳米材料不断涌现。相比于传统的荧光分子,荧光纳米材料具有光学稳定性高、形貌尺寸易调控、多功能化等优点。利用荧光纳米材料作为探针... 荧光成像是生物医学研究领域应用最广的成像技术之一。随着纳米技术的快速发展,具有优良特性的荧光纳米材料不断涌现。相比于传统的荧光分子,荧光纳米材料具有光学稳定性高、形貌尺寸易调控、多功能化等优点。利用荧光纳米材料作为探针的生物荧光成像能够为研究者提供从细胞、离体组织到活体生物样本的结构和动态信息等方面全面细致的探测方法,成为当前材料、光学、生物医学等多学科交叉领域的研究热点。结合近年来荧光纳米材料及其生物成像应用的发展趋势以及本课题组前期的研究工作基础,归纳概述了几种类型荧光纳米材料的特性,包括基于有机荧光染料的纳米颗粒、半导体量子点、碳基荧光纳米材料以及稀土掺杂上转换发光纳米材料,结合具体例子介绍了荧光纳米材料在生物医学成像中的应用,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 荧光纳米材料 半导体量子点 碳基量子点 上转换发光纳米颗粒 生物成像
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量子点荧光标记技术的研究热点及面临的挑战 被引量：8
14
作者 李常艳 李倩 +2 位作者 刘海涛 张军 阿勒坦高勒 《生物化学与生物物理进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第1期103-110,共8页
半导体量子点作为新型荧光标记物,在生物医学领域具有重要应用.与传统的有机染料及荧光蛋白等荧光标记物相比,半导体量子点具有发光颜色可调、激发范围宽、发射光谱窄、化学及光稳定性好、表面化学丰富以及生物偶联技术成熟等诸多优势,... 半导体量子点作为新型荧光标记物,在生物医学领域具有重要应用.与传统的有机染料及荧光蛋白等荧光标记物相比,半导体量子点具有发光颜色可调、激发范围宽、发射光谱窄、化学及光稳定性好、表面化学丰富以及生物偶联技术成熟等诸多优势,为生命体系的靶向示踪,高灵敏、原位、实时、动态荧光成像,DNA及蛋白质检测,靶向药物,临床医学,生物芯片和传感器等研究提供了新的发展契机.基于作者在半导体量子点生物荧光成像和安全性评价研究的基础,综述了半导体量子点荧光标记物在生命科学与医学领域应用的研究热点,并对半导体量子点荧光标记技术走向实用面临的挑战进行了评述. 展开更多
关键词 半导体量子点 生物荧光标记 生物医学
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AgInS_2量子点研究进展 被引量：4
15
作者 谢翠萍 向卫东 +3 位作者 骆乐 钟家松 赵斌宇 梁晓娟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期9-16,共8页
Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展... Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展,讨论了其存在的问题并对今后的研究进行了展望。 展开更多
关键词 AgInS2 半导体 量子点 研究进展
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不同溶剂中制备单分散量子点 被引量：7
16
作者 贺蓉 田红叶 古宏晨 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1816-1820,共5页
选用比较缓和反应条件,用无毒、价廉、稳定性好的无机化合物作为反应前驱体制备半导体量子点材料.通过选择不同的反应溶剂,可以得到粒径大小不同从而发光波长可“调谐”的一系列CdSe量子点材料.用紫外吸收光谱(UV-V is),荧光发射光谱(PL... 选用比较缓和反应条件,用无毒、价廉、稳定性好的无机化合物作为反应前驱体制备半导体量子点材料.通过选择不同的反应溶剂,可以得到粒径大小不同从而发光波长可“调谐”的一系列CdSe量子点材料.用紫外吸收光谱(UV-V is),荧光发射光谱(PL)跟踪了反应的过程,用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对得到的量子点材料的结构进行了表征.对量子点材料在有机溶剂和水溶液中的转相进行了研究,为量子点与生物分子的连接,进而在生物标记方面的应用提供材料基础.该方法是对传统高温条件下有机金属化合物前驱体分解制备方法的补充,是一种环境友好的半导体量子点材料的制备方法. 展开更多
关键词 量子点 半导体 溶剂
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一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究 被引量：16
17
作者 王科范 刘金锋 +4 位作者 邹崇文 徐彭寿 潘海滨 张西庚 王文君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期75-78,共4页
我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以... 我们成功地设计出一种新型的Si电子束蒸发器 ,并将它应用于Ge/Si(111)量子点的生长。由于采用悬臂式设计 ,它完全克服了高压短路的问题。电子束蒸发器的性能试验表明 ,稳定输出功率可以控制输出稳定的Si束流。应用这种电子束蒸发器可以在 70 0℃ ,成功沉积出平整的单晶Si薄膜。进一步的试验表明 ,在这种缓冲层表面可以自组装生长出Ge量子点。 展开更多
关键词 电子束蒸发 量子点 缓冲层 SI(111) 输出功率 薄膜 束流 自组装 单晶 表面
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镶嵌在SiO_2薄膜中的锗纳米晶粒的光致发光 被引量：10
18
作者 姚伟国 岳兰平 +1 位作者 戚震中 何怡贞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期477-478,共2页
采用６３０ｎｍ波长的激发光在室温下对镶嵌有锗纳米晶的ＳｉＯ２薄膜进行了光致发光研究。在室温下观察到了由于双光子吸收而导致的蓝色荧光峰。按照量子限域理论对所观察到的峰的特征进行了讨论。
关键词 量子点 锗 纳米晶 二氧化硅 光致发光 半导体
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反胶束法合成Cd_(1-x)Mn_xS量子点及其发光性能研究 被引量：4
19
作者 庞起 郭必成 +4 位作者 王建农 杨世和 王玉琦 葛惟昆 龚孟濂 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1593-1596,共4页
应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8～ 6nm,随 wo... 应用反胶束法制备了稀磁半导体 Cd1 - x Mnx S量子点 .量子点的大小可通过改变ωo 值 ( wo=[水 ]/ [表面活性剂 ])来控制 .高分辨透射电镜的分析结果表明 ,量子点呈单分散性 ,是几乎没有缺陷的单晶体 .量子点的大小约为 4.8～ 6nm,随 wo 值增大而增大 .电子能谱 ( EDS)测定结果表明 ,Mn2 +离子在量子点中的摩尔分数为 1 .5 % .由电子自旋共振 ( ESR)分析确定一部分 Mn2 + 离子取代 Cd2 + 离子位置而位于晶格 ,另一部分 Mn2 +离子位于 Cd1 - x Mnx S的表面或间隙位置 .吸收光谱显示 ,随着量子点变小 ,吸收带边发生蓝移 ,显示明显的量子尺寸效应 .光致荧光光谱分析表明 ,发光峰属于 Mn2 + 的 4 T1 -6 A1 跃迁 ,而且随着ωo 和粒径的增大 ,发光峰从 2 .2 6,2 .1 0 ,2 .0 5 e V红移到 1 .88e V;其发光峰偏离 2 .1 2 e V,主要是由于 Mn2 + 离子位于扭曲的四面体晶体场所致 . 展开更多
关键词 量子点 稀磁半导体 Cd1-xMnxS 反胶束 光致荧光
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近红外发射CdSeTe量子点测定铜离子 被引量：7
20
作者 刘声燕 王益林 杨昆 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期257-262,共6页
以CdCl2·2.5H2o、Na2SeO3、Na2TeO3和N2H4·H2o为反应物,以3-巯基丙酸(MPA)为稳定剂制备CdSeTe量子点.与CdTe量子点相比,CdSeTe合金量子点的发射光谱明显红移,发光颜色可扩展至近红外波段范围.基于铜离子能有效猝灭CdSeTe合金... 以CdCl2·2.5H2o、Na2SeO3、Na2TeO3和N2H4·H2o为反应物,以3-巯基丙酸(MPA)为稳定剂制备CdSeTe量子点.与CdTe量子点相比,CdSeTe合金量子点的发射光谱明显红移,发光颜色可扩展至近红外波段范围.基于铜离子能有效猝灭CdSeTe合金量子点荧光的特性,开发了一种用近红外CdSeTe量子点为荧光探针测定铜离子浓度的分析方法.在最佳实验条件下,该方法的线性检测范围为10～200 μg/L,检测上限为1.13 μg/L.应用于实际样品中铜的测定,结果与ICP测定值非常吻合. 展开更多
关键词 近红外量子点 铜离子 荧光猝灭
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